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기판;상기 기판상에 형성되는 제1 전극;상기 기판상에 형성되는 제2 전극;상기 기판상에 상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이를 연결하도록 형성되는 나노구조체;상기 제1 전극과 상기 제2 전극 간에 전압을 인가하는 전압원; 및상기 나노구조체에 흐르는 전류 값을 측정하는 전류계를 포함하며,상기 전류 값에 기초하여 상기 나노구조체에 조사되는 입사광을 검출하며,상기 제1 전극, 상기 제2 전극, 및 상기 나노구조체는 동일한 금속 레이어로 이루어져 상기 기판상에 일체로 형성되는 광 검출 장치
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제1 항에 있어서,상기 나노구조체는 상기 입사광의 파장에 대응하는 폭을 갖는 광 검출 장치
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제2 항에 있어서,상기 나노구조체는 상기 입사광에 따라 전도성이 변화되는 광 검출 장치
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제1 항에 있어서,상기 나노구조체는, 상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이를 연결하도록 형성되는 적어도 하나의 나노와이어(nano-wire)를 포함하는 광 검출 장치
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제1 항에 있어서,상기 나노구조체는, 상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이를 연결하도록 형성되는 복수의 나노와이어(nano-wire)를 포함하며,상기 복수의 나노와이어는, 서로 다른 폭을 갖는 나노와이어들을 포함하는 광 검출 장치
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제1 항에 있어서,상기 나노구조체는 등방성 단면 구조를 갖는 광 검출 장치
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제1 항에 있어서,상기 나노구조체는 이방성 단면 구조를 갖는 광 검출 장치
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제1 항에 있어서,상기 나노구조체는, 상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이를 연결하도록 형성되는 적어도 하나의 나노와이어(nano-wire)를 포함하며,상기 나노와이어는, 길이 방향을 따라 폭이 변화되는 광 검출 장치
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삭제
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제1 항에 있어서,상기 나노구조체는 금속을 포함하는 광 검출 장치
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제1 항에 있어서,상기 나노구조체는 준금속, 전도성 고분자, 및 그래핀을 포함한 전도성 소재 중의 적어도 하나를 포함하는 광 검출 장치
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제1 항에 있어서,상기 광 검출 장치는 상기 입사광 중 상기 나노구조체의 길이 방향에 수직한 편광을 검출하는 광 검출 장치
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제1 항에 있어서,상기 광 검출 장치는,상기 기판상에 형성되는 도전라인; 및상기 도전라인에 결합되는 복수의 나노구조체를 포함하는 광 검출 장치
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기판;상기 기판상에 형성되는 복수 쌍의 전극;상기 기판상에 각 쌍의 전극 사이를 연결하도록 형성되는 복수의 나노구조체;상기 각 쌍의 전극 간에 전압을 인가하는 전압원;상기 복수의 나노구조체 각각에 흐르는 전류 값을 측정하는 전류계를 포함하며,각각의 나노구조체에 흐르는 상기 전류 값에 기초하여 상기 복수의 나노구조체 각각에 대응하는 입사광을 검출하며,상기 복수 쌍의 전극, 상기 복수의 나노구조체는 동일한 금속 레이어로 이루어져 상기 기판상에 일체로 형성되는 광 검출 장치
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제14 항에 있어서,서로 다른 나노구조체는 서로 다른 폭을 갖는 광 검출 장치
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기판;상기 기판상에 형성되는 제1 전극;상기 기판상에 형성되는 제2 전극; 및상기 기판상에 상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이를 연결하도록 형성되고, 입사광의 파장에 대응하는 폭을 갖는 나노구조체를 포함하고,상기 나노구조체에 흐르는 전류 값은, 상기 입사광의 입사 여부에 따라 가변적이고,상기 제1 전극, 상기 제2 전극, 및 상기 나노구조체는 동일한 금속 레이어로 이루어져 상기 기판상에 일체로 형성되는 광 검출 소자
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제17 항에 있어서,상기 전류 값에 기초하여 상기 입사광을 검출하는 검출부를 더 포함하는 광 검출 소자
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제1 전극;상기 제1 전극과 이격되어 형성되는 제2 전극; 및상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이를 연결하도록 형성되고, 입사광의 파장에 대응하는 폭을 갖는 나노구조체를 포함하고,상기 나노구조체에 흐르는 전류 값은, 상기 입사광의 입사 여부에 따라 가변적이고,상기 제1 전극, 상기 제2 전극, 및 상기 나노구조체는 동일한 금속 레이어로 이루어져 상기 기판상에 일체로 형성되는 광 검출 소자
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제17 항 내지 제19 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 나노구조체는, 상기 입사광의 파장에 대응하는 폭을 가지며, 상기 입사광에 따라 전도성이 변화되는 광 검출 소자
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