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기판; 및상기 기판상의 산화물 반도체층;을 포함하고,상기 산화물 반도체층은 두께 방향으로 산소 공공(oxygen vacancy)의 농도가 상이하고,상기 산화물 반도체층은,상기 기판상의 제1 산화물 박막; 및상기 제1 산화물 박막 상의 제2 산화물 박막;을 포함하고,상기 제1 산화물 박막의 산소 공공의 농도가 제2 산화물 박막의 산소 공공의 농도보다 높으며,상기 제1 산화물 박막과 상기 제2 산화물 박막의 두께 비는 3:1인 산화물 반도체 소자
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제1 항에 있어서,상기 제1 산화물 박막 및 상기 제2 산화물 박막을 구성하는 금속 원소는 동일한 산화물 반도체 소자
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제1 항에 있어서,상기 산화물 반도체층은,InGaZnO, ZnO, ZrInZnO, InZnO, AlInZnO, ZnO, InGaZnO4, ZnInO, ZnSnO, In2O3, Ga2O3, HfInZnO, GaInZnO, HfO2, SnO2, WO3, TiO2, Ta2O5, In2O3SnO2, MgZnO, ZnSnO3, ZnSnO4, CdZnO, CuAlO2, CuGaO2, Nb2O5 또는 TiSrO3 중 어느 하나를 포함하는 산화물 반도체 소자
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제1 항, 제4 항 및 제6 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 기판과 상기 산화물 반도체층 사이에 배치된 게이트 전극 및 게이트 절연층; 및상기 산화물 반도체층 상의 소스 전극 및 드레인 전극;을 더 포함하는 산화물 반도체 소자
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제7 항에 있어서,상기 산화물 반도체층은,상기 게이트 전극에 가까울수록 산소 공공의 농도가 높은 산화물 반도체 소자
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진공 공정으로 산화물 반도체 소자를 제조하는 방법에 있어서,진공 챔버 내에 기판을 준비하는 단계; 및상기 기판상에 산화물 반도체층을 형성하는 단계;를 포함하며,상기 산화물 반도체층을 형성하는 단계는,상기 챔버 내의 산소분압을 가변하는 단계;를 포함하고,상기 산화물 반도체층을 형성하는 단계는,상기 기판 상에 제1 산화물 박막을 형성하는 단계; 및상기 제1 산화물 박막 상에 제2 산화물 박막을 형성하는 단계;를 포함하며,상기 제2 산화물 박막을 형성하는 단계는,상기 제1 산화물 박막을 형성하는 단계보다 산소 분압을 높게 조절하여 형성하고,상기 제1 산화물 박막 및 상기 제2 산화물 박막의 두께 비를 3:1로 형성하는 산화물 반도체 소자 제조 방법
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제9 항에 있어서,상기 제1 산화물 박막을 형성하는 단계는,상기 챔버 내의 산소분압을 0%로 조절하여 형성하고,상기 제2 산화물 박막을 형성하는 단계는,상기 챔버 내의 산소분압을 5%로 조절하여 형성하는 산화물 반도체 소자 제조 방법
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제9 항 또는 제12 항에 있어서,상기 산화물 반도체층을 형성하는 단계 전에, 상기 기판 상에 게이트 전극 및 게이트 절연층을 형성하는 단계; 및상기 산화물 반도체층을 형성하는 단계 후에, 상기 산화물 반도체층 상에 소스 전극 및 드레인 전극을 형성하는 단계;를 더 포함하는 산화물 반도체 소자 제조 방법
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