맞춤기술찾기

이전대상기술

ITO 도전막, 그 증착방법 및 증착 장치

  • 기술번호 : KST2015127327
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 ITO 도전막, 그 증착 방법 및 증착 장치가 제공된다. 본 발명에 따른 ITO 도전막 증착방법은 산화인듐(InOx) 및 산화주석(SnOx)을 가열하여 증발시키는 단계; 및 상기 증발된 산화인듐 및 산화주석을 동시에 기판상에 증착시키는 단계를 포함하며, 기판의 손상없이 ITO 도전막의 증착이 가능하며, 별도의 이온-소스가 필요 없기 때문에, 종래의 ITO 증착 공정에 비하여 경제성이 우수하다.
Int. CL C23C 14/08 (2006.01) C23C 14/24 (2006.01)
CPC C23C 14/08(2013.01) C23C 14/08(2013.01) C23C 14/08(2013.01) C23C 14/08(2013.01) C23C 14/08(2013.01)
출원번호/일자 1020080006274 (2008.01.21)
출원인 연세대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-0967413-0000 (2010.06.24)
공개번호/일자 10-2009-0080367 (2009.07.24) 문서열기
공고번호/일자 (20100701) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2008.01.21)
심사청구항수 1

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 연세대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 서대문구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 정광호 대한민국 경기 고양시 일산동구
2 정인승 대한민국 경기 고양시 일산동구
3 김창오 대한민국 경기 광명시 광

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 현종철 대한민국 서울특별시 중구 다산로 **, *층 특허법인충현 (신당동, 두지빌딩)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 연세대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 서대문구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2008.01.21 수리 (Accepted) 1-1-2008-0049542-95
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2008.11.04 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2008.12.05 수리 (Accepted) 9-1-2008-0078347-10
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2009.11.17 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2009-0471688-65
5 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2010.01.12 수리 (Accepted) 1-1-2010-0020474-13
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2010.02.09 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2010-0088152-09
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2010.02.09 수리 (Accepted) 1-1-2010-0088153-44
8 등록결정서
Decision to grant
2010.05.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0229358-62
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2011.12.15 수리 (Accepted) 4-1-2011-5252006-10
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2013.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2013-5062749-37
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2013.06.24 수리 (Accepted) 4-1-2013-5088566-87
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.09.25 수리 (Accepted) 4-1-2014-5114224-78
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
산화인듐(InOx) 및 산화주석(SnOx)을 각각 독립적으로 가열하여 증발시키는 단계; 및 산소 분위기 하에서 상기 증발된 산화인듐 및 산화주석을 5:1 내지 15:1의 증착 속도비로 기판상에 동시에 증착시키는 단계를 포함하되 상기 증착단계에서 기판은 300℃의 온도를 유지하는 것을 특징으로 하는 ITO 도전막 증착 방법
2 2
삭제
3 3
삭제
4 4
삭제
5 5
삭제
6 6
삭제
7 7
삭제
8 8
삭제
9 9
삭제
10 10
삭제
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.