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복수의 원소들을 포함하는 비정질 합금 부분, 그리고과냉각 액체 구간에서 상기 비정질 합금 부분의 표면에 위치하는 비정질 산화물을 포함하는 금속 유리
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제1항에서,상기 비정질 산화물은 상기 복수의 원소들 중 적어도 하나의 원소가 산화되어 형성된 금속 유리
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제1항에서,상기 비정질 합금 부분은 산소(O2) 1몰 당 산화물 형성 깁스 자유 에너지가 -900 내지 -1250 kJ/mol인 적어도 세 종류의 원소를 포함하는 금속 유리
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제3항에서,상기 원소들은 알루미늄(Al), 티타늄(Ti), 지르코늄(Zr), 베릴륨(Be), 마그네슘(Mg), 바륨(Ba), 망간(Mn), 리튬(Li), 이트륨(Y), 칼슘(Ca), 우라늄(U), 유로퓸(Eu), 스트론튬(Sr), 란탄(La), 세륨(Ce), 네오디뮴(Nd), 이테르븀(Yb), 사마륨(Sm), 토륨(Th), 디스프로슘(Dy), 루테튬(Lu), 홀뮴(Ho), 톨륨(Tm), 에르븀(Er) 및 스칸듐(Sc)에서 선택되는 금속 유리
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제4항에서,상기 비정질 합금 부분은 지르코늄(Zr), 알루미늄(Al) 및 베릴륨(Be)을 포함하는 금속 유리
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제4항에서,상기 비정질 합금 부분은 비저항이 70μΩ㎝보다 낮은 저저항 금속을 더 포함하는 금속 유리
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제6항에서,상기 저저항 금속은 구리(Cu), 알루미늄(Al), 은(Ag), 금(Au), 철(Fe), 니켈(Ni), 티타늄(Ti), 마그네슘(Mg), 칼슘(Ca), 이트륨(Y), 란탄(La), 네오디뮴(Nd), 안티모니 (Sb), 알세닉(As), 바륨(Ba), 베릴륨 (Be), 카드뮴(Cd), 세슘(Cs), 칼슘(Ca), 크롬(Cr), 코발트(Co), 하프늄(Hf), 인듐(In), 이리듐 (Ir), 납(Pb), 리튬(Li), 루테튬(Lu), 몰리브덴(Mo), 니오븀(Nb), 오시뮴(Os), 팔라듐(Pd), 플라티늄(Pt), 칼륨(K), 레늄(Re), 로듐(Rh), 루비듐(Rb), 루테늄(Ru), 스칸듐 (Sc), 셀렌 (Se), 나트륨 (Na), 스트론튬 (Sr), 탄탈륨 (Ta), 탈륨 (Tl), 토륨 (Th), 주석 (Sn), 텅스텐 (W), 우라늄 (U), 바나듐 (V), 이테르븀 (Yb), 이트륨 (Y), 아연 (Zn) 및 지르코늄(Zr)에서 선택된 적어도 하나를 포함하는 금속 유리
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제7항에서,상기 비정질 합금 부분은 구리(Cu), 지르코늄(Zr), 알루미늄(Al) 및 베릴륨(Be)을 포함하는 금속 유리
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제8항에서,상기 비정질 산화물은 비정질 지르코늄 산화물(amorphous ZrO2)을 포함하는 금속 유리
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제1항에서,상기 비정질 합금 부분은 산소(O2) 1몰 당 산화물 형성 깁스 자유 에너지가 -900 내지 -1250 kJ/mol인 적어도 두 종류의 원소를 포함하고,상기 적어도 두 종류의 원소는 상기 비정질 합금 부분의 총 원자 개수에 대하여 적어도 60at%로 포함되어 있는 금속 유리
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제10항에서,상기 원소들은 알루미늄(Al), 티타늄(Ti), 지르코늄(Zr), 베릴륨(Be), 마그네슘(Mg), 바륨(Ba), 망간(Mn), 리튬(Li), 이트륨(Y), 칼슘(Ca), 우라늄(U), 유로퓸(Eu), 스트론튬(Sr), 란탄(La), 세륨(Ce), 네오디뮴(Nd), 이테르븀(Yb), 사마륨(Sm), 토륨(Th), 디스프로슘(Dy), 루테튬(Lu), 홀뮴(Ho), 톨륨(Tm), 에르븀(Er) 및 스칸듐(Sc)에서 선택되는 금속 유리
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제11항에서,상기 비정질 합금 부분은 지르코늄(Zr) 및 알루미늄(Al)을 포함하는 금속 유리
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제10항에서,상기 비정질 합금 부분은 비저항이 70μΩ㎝보다 낮은 저저항 금속을 더 포함하는 금속 유리
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제13항에서,상기 저저항 금속은 구리(Cu), 알루미늄(Al), 은(Ag), 금(Au), 철(Fe), 니켈(Ni), 티타늄(Ti), 마그네슘(Mg), 칼슘(Ca), 이트륨(Y), 란탄(La), 네오디뮴(Nd), 안티모니(Sb), 알세닉(As), 바륨(Ba), 베릴륨(Be), 카드뮴(Cd), 세슘(Cs), 칼슘(Ca), 크롬(Cr), 코발트(Co), 하프늄(Hf), 인듐(In), 이리듐(Ir), 납(Pb), 리튬(Li), 루테튬(Lu), 몰리브덴(Mo), 니오븀(Nb), 오시뮴(Os), 팔라듐(Pd), 플라티늄(Pt), 칼륨(K), 레늄(Re), 로듐(Rh), 루비듐(Rb), 루테늄(Ru), 스칸듐(Sc), 셀렌(Se), 나트륨(Na), 스트론튬(Sr), 탄탈륨(Ta), 탈륨(Tl), 토륨(Th), 주석(Sn), 텅스텐(W), 우라늄(U), 바나듐(V), 이테르븀(Yb), 이트륨(Y), 아연(Zn) 및 지르코늄(Zr)에서 선택된 적어도 하나를 포함하는 금속 유리
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제14항에서,상기 비정질 합금 부분은 구리(Cu), 지르코늄(Zr) 및 알루미늄(Al)을 포함하고,상기 지르코늄(Zr) 및 알루미늄(Al)은 구리(Cu), 지르코늄(Zr) 및 알루미늄(Al)의 총 원자 개수에 대하여 적어도 60at%로 포함되어 있는 금속 유리
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제15항에서,상기 비정질 산화물은 비정질 지르코늄 산화물(amorphous ZrO2)을 포함하는 금속 유리
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제14항에서,상기 비정질 합금 부분은 니켈(Ni), 지르코늄(Zr) 및 알루미늄(Al)을 포함하고,상기 지르코늄(Zr) 및 알루미늄(Al)은 니켈(Ni), 지르코늄(Zr) 및 알루미늄(Al)의 총 원자수에 대하여 적어도 60at%로 포함되어 있는 금속 유리
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제17항에서,상기 비정질 산화물은 비정질 지르코늄 산화물(amorphous ZrO2)을 포함하는 금속 유리
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제1항 내지 제18항 중 어느 한 항에 따른 금속 유리의 소성물을 포함하는 성형품
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도전성 분말, 제1항 내지 제18항 중 어느 한 항에 따른 금속 유리, 그리고유기 비히클을 포함하는 도전성 페이스트
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제20항에서,상기 도전성 분말은 알루미늄(Al), 은(Ag), 구리(Cu), 니켈(Ni), 이들의 합금 또는 이들의 조합을 포함하는 도전성 페이스트
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제20항에서,상기 도전성 분말, 상기 금속 유리 및 상기 유기 비히클은 상기 도전성 페이스트의 총 함량에 대하여 각각 30 내지 99중량%, 0
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제20항에 따른 도전성 페이스트의 소성물을 포함하는 전극을 포함하는 전자 소자
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