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하기 식 1로 표시되는 가교 고분자 전해질막
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제 1 항에 있어서,
상기 가교 고분자 전해질막의 이온전도도는 3 X 10-3∼9
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(a) 하기 식 2의 염소계 고분자 및 하기 식 3의 술폰화 단량체를 유기용매에 용해시키고, 전이금속 할로겐화물 및 배위 리간드를 첨가한 후, 교반 및 가열하는 단계;
또는 (2)
상기 식 중, X1 내지 X4 는 서로 독립적으로 수소, 염소 및 불소로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나이고, x 및 y는 각각 100∼50,000의 정수이다
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제 3 항에 있어서,
상기 유기용매는 N-메틸 피롤리돈, 디메틸 포름아미드, 디메틸설폭사이드 및 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 하나인 것을 특징으로 하는 가교 고분자 전해질막의 제조방법
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제 3 항에 있어서,
상기 염소계 고분자 1 중량부에 대한 술폰화 단량체의 사용량은 3∼10 중량부인 것을 특징으로 하는 가교 고분자 전해질막의 제조방법
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제 3 항에 있어서,
상기 산성 전도성 염소계 고분자의 수평균분자량은 10,000∼5,000,000인 것을 특징으로 하는 가교 고분자 전해질막의 제조방법
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7
제 3 항에 있어서,
상기 염소계 고분자는 폴리비닐리덴 플로라이드-코-클로로트리플루오로에틸렌(Poly Vinylidene Fluoride-Co-Chloro trifluoro ethylene), 폴리비닐클로라이드(Poly Vinyl Chloride), 폴리클로로트리플루오로에틸렌(Poly Chloro Trifluoroethylene), 폴리디클로로디플루오로에틸렌(Poly dichloro difluoro ethylene), 폴리비닐리덴클로라이드(Poly Vinylidene chloride) 및 이들의 공중합체로 이루어진 군에서 선택된 적어도 하나인 것을 특징으로 하는 가교 고분자 전해질막의 제조방법
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제 3 항에 있어서,
상기 술폰화 단량체는 스티렌 술포닉산, 메틸 프로펜 술포닉산, 술포프로필 메타크릴레이트, 술포부틸 메타크릴레이트, 술포프로필 아크릴레이트, 술포에틸 아크릴레이트, 술포부틸 아크릴레이트 및 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 하나인 것을 특징으로 하는 가교 고분자 전해질막의 제조방법
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제 3 항에 있어서,
상기 전이금속 할로겐화물은 CuCl, CuCl2, CuBr 및 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 하나인 것을 특징으로 하는 가교 고분자 전해질막의 제조방법
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10
제 3 항에 있어서,
상기 배위 리간드는 2,2-비피리딘, 트리페닐포스판, 트리스(2-아미노에틸)아민(TREN), N,N,N',N',N"-펜타메틸디에틸렌트리아민, 1,1,4,7,10,10-헥사메틸트리에틸렌테트라아민, 테트라메틸에틸렌디아민 및 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 하나인 것을 특징으로 하는 가교 고분자 전해질막의 제조방법
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11
제 3 항에 있어서,
상기 전이금속 할로겐화물의 첨가량은 상기 염소계 고분자 및 술폰화 단량체의 혼합용액 총 중량에 대하여 0
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제 3 항에 있어서,
상기 배위 리간드의 첨가량은 상기 염소계 고분자 및 술폰화 단량체의 혼합용액 총 중량에 대하여 0
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제 3 항에 있어서,
상기 (b)단계에서 산성 전도성 염소계 고분자를 얻는 단계는 메탄올, 에탄올, 프로판올, 물, 헥산 및 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택된 어느 하나를 첨가하여 침전물을 얻는 것을 특징으로 하는 가교 고분자 전해질막의 제조방법
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제 1 항 또는 제 2 항에 따른 전해질막을 포함하는 연료전지
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