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기판;상기 기판 상부의 소정부위에 형성되는 게이트 전극;상기 게이트 전극을 포함한 기판 전면에 형성되는 게이트 절연막;상기 게이트 전극 중앙 부분의 게이트 절연막 상에 형성되는 자화금속;상기 자화 금속을 둘러싸면서 형성되고 상기 자화금속의 측면과 자장입자에 의해 결합되는 나노물질로 이루어진 반도체층; 상기 반도체층 상부의 중앙 부위에 형성된 고정판; 상기 게이트 절연막을 사이에 두고 게이트 전극과 중첩되어 상기 자화금속 및 반도체층을 덮도록 형성되는 드레인 전극; 및 상기 반도체층의 양측면을 덮도록 형성되는 소스 전극을 포함하여 구성됨을 특징으로 하는 박막 트랜지스터
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제 1 항에 있어서, 상기 자화금속은 철, 니켈, 코발트 등의 강자성체 금속 물질로 이루어짐을 특징으로 하는 박막 트랜지스터
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제 1 항에 있어서,상기 자장입자는 철, 니켈, 코발트 등의 강자성체 금속 물질로 이루어짐을 특징으로 하는 박막 트랜지스터
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제 1 항에 있어서, 상기 나노 물질은 나노와이어, 나노케이블 및 나노튜브 중 어느 하나로 이루어진 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터
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제 1 항에 있어서,상기 고정판의 길이는 소스/드레인 전극의 간격보다 크고, 나노와이어의 길이보다 작은 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터
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기판;상기 기판 상부의 소정부위에 형성되는 게이트 전극;상기 게이트 전극을 포함한 기판 전면에 형성되는 게이트 절연막;상기 게이트 전극 중앙 부분의 게이트 절연막 상에 형성되는 자화금속;상기 자화 금속을 둘러싸면서 형성되고 상기 자화금속의 측면과 자장입자에 의해 결합되는 나노물질로 이루어진 반도체층; 상기 반도체층 상부의 중앙 부위에 형성된 고정판; 상기 게이트 절연막을 사이에 두고 게이트 전극과 중첩되어 상기 자화금속 및 반도체층을 덮도록 형성되는 드레인 전극; 상기 반도체층의 양측면을 덮도록 형성되는 소스 전극;상기 반도체층, 소스 전극, 드레인 전극을 포함한 기판 전면에 형성되며, 상기 드레인 전극 상부에 콘택홀을 구비한 보호막; 및상기 콘택홀을 통해 상기 드레인 전극과 전기적으로 연결되어 형성된 화소전극을 포함하여 구성됨을 특징으로 하는 액정표시장치
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제 7 항에 있어서,상기 자화금속은 철, 니켈, 코발트 등의 강자성체 금속 물질로 이루어짐을 특징으로 하는 액정표시장치
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제 7 항에 있어서,상기 자장입자는 철, 니켈, 코발트 등의 강자성체 금속 물질로 이루어짐을 특징으로 하는 액정표시장치
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제 7 항에 있어서, 상기 나노 물질은 나노와이어, 나노케이블 및 나노튜브 중 어느 하나로 이루어진 것을 특징으로 하는 액정표시장치
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제 7 항에 있어서,상기 고정판의 길이는 소스/드레인 전극의 간격보다 크고, 나노와이어의 길이보다 작은 것을 특징으로 하는 액정표시장치
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기판 상부 소정의 부위에 게이트 전극을 형성하는 단계;상기 게이트 전극을 포함한 기판 전면에 게이트 절연막을 형성하는 단계;상기 게이트 전극 중앙 부분의 게이트 절연막 상에 자화금속을 형성하는 단계;상기 자화금속을 둘러싸면서 상기 자화금속의 측면과 자장입자에 의해 결합되는 나노물질로 구성된 반도체층을 형성하는 단계; 상기 반도체층 상부의 중앙 부위에 고정판을 형성하는 단계; 및 상기 게이트 절연막을 사이에 두고 상기 게이트 전극과 중첩되어 상기 자화금속 및 반도체층을 덮도록 드레인 전극을 형성하고, 상기 반도체층의 양측면을 덮도록 소스 전극을 형성하는 단계를 포함하여 이루어짐을 특징으로 하는 박막 트랜지스터의 제조 방법
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제 13 항에 있어서,상기 자화금속은 철, 니켈, 코발트 등의 강자성체 금속 물질을 사용하여 형성하는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터의 제조 방법
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제 13 항에 있어서,상기 자장입자는 철, 니켈, 코발트 등의 강자성체 금속 물질을 사용하여 형성하는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터의 제조 방법
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제 13 항에 있어서, 상기 나노 물질은 나노와이어, 나노케이블 및 나노튜브 중 어느 하나를 사용하여 형성하는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터의 제조 방법
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제 13 항에 있어서,상기 고정판은 상기 반도체층을 포함한 기판의 전면에 감광성 고분자층을 형성하는 단계; 및상기 감광성 고분자층을 노광 및 현상하여 패터닝하는 단계로 이루어짐을 특징으로 하는 박막 트랜지스터의 제조방법
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제 18 항에 있어서, 상기 감광성 고분자층은 포토 아크릴막을 사용하는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터의 제조방법
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기판 상부 소정의 부위에 게이트 전극을 형성하는 단계;상기 게이트 전극을 포함한 기판 전면에 게이트 절연막을 형성하는 단계;상기 게이트 전극 중앙 부분의 게이트 절연막 상에 자화금속을 형성하는 단계;상기 자화금속을 둘러싸면서 상기 자화금속의 측면과 자장입자에 의해 결합되는 나노물질로 구성된 반도체층을 형성하는 단계;상기 반도체층 상부의 중앙 부위에 고정판을 형성하는 단계;상기 게이트 절연막을 사이에 두고 상기 게이트 전극과 중첩되어 상기 자화금속 및 반도체층을 덮도록 드레인 전극을 형성하고, 상기 반도체층의 양측면을 덮도록 소스 전극을 형성하는 단계; 상기 반도체층, 소스 전극, 드레인 전극을 포함한 기판 전면에 보호막을 형성하는 단계;상기 드레인 전극의 표면이 소정부분 노출되도록 상기 보호막을 선택적으로 제거하여 콘택홀을 형성하는 단계; 및상기 콘택홀을 통해 상기 드레인 전극과 전기적으로 연결되는 화소전극을 형성하는 단계를 포함하여 이루어짐을 특징으로 하는 액정표시장치의 제조 방법
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제 20 항에 있어서,상기 자화금속은 철, 니켈, 코발트 등의 강자성체 금속 물질을 사용하여 형성하는 것을 특징으로 하는 액정표시장치의 제조 방법
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제 20 항에 있어서,상기 자장입자는 철, 니켈, 코발트 등의 강자성체 금속 물질을 사용하여 형성하는 것을 특징으로 하는 액정표시장치의 제조 방법
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제 20 항에 있어서, 상기 나노 물질은 나노와이어, 나노케이블 및 나노튜브 중 어느 하나를 사용하여 형성하는 것을 특징으로 하는 액정표시장치의 제조방법
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제 20 항에 있어서,상기 고정판은 상기 반도체층을 포함한 기판의 전면에 감광성 고분자층을 형성하는 단계; 및상기 감광성 고분자층을 노광 및 현상하여 패터닝하는 단계로 이루어짐을 특징으로 하는 액정표시장치의 제조방법
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제 25 항에 있어서, 상기 감광성 고분자층은 포토 아크릴막을 사용하는 것을 특징으로 하는 액정표시장치의 제조방법
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