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광전 분광 기법을 이용한 계면 결함 분석 방법, 그 기록 매체 및 장치

  • 기술번호 : KST2015127512
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 광전 분광 기법을 이용한 계면 결함 분석 방법, 그 기록 매체 및 장치가 개시된다. 본 발명의 일 실시 예에 따른 광전 분광 기법을 이용한 계면 결함 분석 방법은 트랜지스터의 채널 반도체와 게이트 절연막 사이의 계면에 장파장에서 단파장의 순서로 단일파장 광신호를 인가하는 단계; 각 파장별로 게이트 전압과 드레인 전류 사이의 관계에 기반하여 파장별 문턱 전압을 측정하는 단계; 상기 파장별 문턱 전압에 기반하여 상기 계면의 결함 전하량을 연산하는 단계; 및 상기 결함 전하량으로부터 에너지 준위당 계면 결함 농도를 산출하는 단계를 포함한다. 본 발명의 실시 예들에 의하면, 기존의 분석법에 비하여 계면 특성에 극히 민감한 분석 결과를 얻을 수 있고, 채널 반도체/게이트 절연막 계면 내에 존재하는 에너지 준위별 결함 농도를 정량적으로 구해낼 수 있고, 모든 전계 효과 트랜지스터 소자에 대하여 적용 가능하며, 상대적으로 저에너지 에너지원인 광신호를 이용하여 분석 과정중의 분석 시편의 변질을 최소화 할 수 있으며, 진공이나 저온 환경 등의 이상 환경 조성이 필요 없고, 상온, 대기압 하에서도 결함 분석이 가능하다.
Int. CL H01L 21/66 (2006.01)
CPC H01L 22/12(2013.01) H01L 22/12(2013.01) H01L 22/12(2013.01)
출원번호/일자 1020090130083 (2009.12.23)
출원인 연세대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1141242-0000 (2012.04.23)
공개번호/일자 10-2011-0072960 (2011.06.29) 문서열기
공고번호/일자 (20120504) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2009.12.23)
심사청구항수 11

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 연세대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 서대문구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 임성일 대한민국 서울특별시 마포구
2 김재훈 미국 서울특별시 영등포구
3 이기문 대한민국 서울특별시 강남구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인충현 대한민국 서울특별시 서초구 동산로 **, *층(양재동, 베델회관)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 연세대학교 산학협력단 서울특별시 서대문구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2009.12.23 수리 (Accepted) 1-1-2009-0798557-71
2 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)
2010.07.29 수리 (Accepted) 1-1-2010-0491538-61
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2011.04.14 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2011.05.17 수리 (Accepted) 9-1-2011-0042198-19
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2011.05.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0287505-61
6 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2011.07.26 수리 (Accepted) 1-1-2011-0577509-76
7 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2011.08.29 수리 (Accepted) 1-1-2011-0671717-49
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2011.09.27 수리 (Accepted) 1-1-2011-0753480-14
9 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2011.09.27 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0753481-60
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2011.12.15 수리 (Accepted) 4-1-2011-5252006-10
11 등록결정서
Decision to grant
2012.03.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0182223-41
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2013.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2013-5062749-37
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2013.06.24 수리 (Accepted) 4-1-2013-5088566-87
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.09.25 수리 (Accepted) 4-1-2014-5114224-78
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번호 청구항
1 1
트랜지스터의 채널 반도체와 게이트 절연막 사이의 계면에 장파장에서 단파장의 순서로 단일파장 광신호를 인가하는 단계; 상기 트랜지스터를 켜짐 상태(On-state)로 전환하고 상기 계면 내의 결함 준위를 여기시킴으로써 상기 순차적으로 인가한 파장들의 광신호에 대해 각 파장별로 게이트 전압과 드레인 전류 사이의 관계에 기반하여 파장별 문턱 전압을 측정하는 단계;상기 파장별 문턱 전압에 기반하여 상기 계면에 유도된 결함 전하량을 연산하는 단계; 및상기 결함 전하량으로부터 에너지 준위당 계면 결함 농도를 산출하는 단계를 포함하는, 광전 분광 기법을 이용한 계면 결함 분석 방법
2 2
제 1 항에 있어서,상기 광신호를 인가하는 단계는다파장 광원에서 생성되는 다파장 광신호를 단일파장 필터로 장파장에서 단파장의 순서로 필터링하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는, 광전 분광 기법을 이용한 계면 결함 분석 방법
3 3
제 2 항에 있어서,상기 광신호를 인가하는 단계는상기 단일파장 필터에서 필터링되어 나오는 광을 광섬유로 상기 계면에 조사하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는, 광전 분광 기법을 이용한 계면 결함 분석 방법
4 4
제 1 항에 있어서,상기 에너지 준위당 계면 결함 농도를 산출하는 단계는Qeff(ε)이 상기 계면의 결함 전하량, q가 단위 전하량, CBM이 전도대의 최소 에너지(Conduction Band Minimum), ε이 단일파장 광신호의 에너지, VBM이 가전자대의 최대 에너지(Valence Band Maximum), E가 에너지 준위일 때, 상기 에너지 준위당 계면 결함 농도 D(E)는 의 관계식을 이용하여 산출하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는, 광전 분광 기법을 이용한 계면 결함 분석 방법
5 5
제 1 항에 있어서,상기 에너지 준위당 계면 결함 농도를 산출하는 단계는Qeff(ε)이 상기 계면의 결함 전하량, q가 단위 전하량, ε이 단일파장 광신호의 에너지, VBM이 가전자대의 최대 에너지(Valence Band Maximum), E가 에너지 준위일 때, 상기 에너지 준위당 계면 결함 농도 D(E)는 의 관계식을 이용하여 산출하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는, 광전 분광 기법을 이용한 계면 결함 분석 방법
6 6
제1항 내지 제5항 중 어느 한 항의 방법을 컴퓨터 시스템에서 실행하기 위한 프로그램이 기록된, 컴퓨터 시스템이 판독할 수 있는 기록매체
7 7
트랜지스터의 채널 반도체와 게이트 절연막 사이의 계면에 단파장의 순서로 단일파장 광신호를 인가하는 광 인가부; 및상기 트랜지스터의 게이트에 전압을 인가하여 상기 트랜지스터를 켜짐 상태(On-state)로 전환하고 상기 계면 내의 결함 준위를 여기시킴으로써, 상기 순차적으로 인가한 파장들의 광신호에 대해 각 파장별로 게이트 전압과 드레인 전류 사이의 관계에 기반하여 파장별 문턱 전압을 측정하고, 상기 파장별 문턱 전압에 기반하여 상기 계면에 유도된 결함 전하량을 연산하며, 상기 결함 전하량으로부터 에너지 준위당 계면 결함 농도를 산출하는 결함 분석부를 포함하는, 광전 분광 기법을 이용한 계면 결함 분석 장치
8 8
제 7 항에 있어서,상기 광 인가부는다파장의 광신호를 생성하는 다파장 광원; 및상기 다파장 광신호로부터 장파장에서 단파장의 순서로 광신호를 필터링하는 단일파장 필터를 포함하는 것을 특징으로 하는, 광전 분광 기법을 이용한 계면 결함 분석 장치
9 9
제 8 항에 있어서,상기 광 인가부는상기 단일파장 필터에서 필터링되어 나오는 광을 상기 계면에 조사하는 광섬유를 포함하는 것을 특징으로 하는, 광전 분광 기법을 이용한 계면 결함 분석 장치
10 10
제 8 항에 있어서,상기 결함 분석부는CBM이 전도대의 최소 에너지(Conduction Band Minimum), Vth가 문턱 전압, ε이 단일파장 광신호의 에너지, Cox가 절연막의 정전용량, q가 단위 전하량일 때, 연속된 단파장 에너지에 따른 미분을 통해 에너지 준위에 따른 계면 전하 농도 를 구하는 것을 특징으로 하는, 광전 분광 기법을 이용한 계면 결함 분석 장치
11 11
제 8 항에 있어서,상기 결함 분석부는VBM이 가전자대의 최대 에너지(Valence Band Maximum), Vth가 문턱 전압, ε이 단일파장 광신호의 에너지, Cox가 절연막의 정전용량, q가 단위 전하량일 때, 연속된 단파장 에너지에 따른 미분을 통해 에너지 준위에 따른 계면 전하 농도 를 구하는 것을 특징으로 하는, 광전 분광 기법을 이용한 계면 결함 분석 장치
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 한국과학재단 연세대학교 산학협력단 중견연구자지원사업(도약연구사업) 하이브리드 박막 소자 연구실