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카르복실산을 이용한 전도성 금속 박막의 제조방법

  • 기술번호 : KST2015127549
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 고효율의 전도성을 요구하는 반도체 금속 박막의 제조방법에 있어서, 카르복실산을 이용하여 전도성 금속 입자의 산화막을 제거 또는 환원 처리한 후, 전도성 금속 박막을 형성함으로써 전도성과 소결성이 우수한 전도성 금속 박막의 제조방법을 제공한다.자세하게, 본 발명은 코어/쉘(core/shell) 구조의 전도성 금속 입자를 포함하는 분산액에 카르복실산을 첨가하여 전도성 금속 코팅액을 제조하는 단계; 상기 전도성 금속 코팅액을 기재 상부에 코팅하고, 열처리하여 코어/쉘 구조의 전도성 금속 입자 표면의 산화막을 제거하는 단계; 및 상기 산화막이 제거된 전도성 금속 입자로 박막을 형성하는 단계; 를 포함하는 전도성 금속 박막의 제조방법을 제공하고자 한다. 특히, 코어/쉘(core/shell) 구조의 산화 구리 성분을 구리로 환원시키고, 산화를 방지함으로써 전도성 및 소결성을 향상시키는 방법을 제공한다. 또한 구리와 같은 저가 재료를 사용함으로써 재료비도 절감되므로 유연성 전자/전기 시스템 적용을 위한 전극의 공정비용을 감소할 수 있다.구리 나노 입자, 코어/쉘, 열처리, 산화 구리 환원, 카르복실산, 고전도도, 전극
Int. CL C23C 18/54 (2006.01) C23C 18/16 (2006.01) C23C 18/52 (2006.01)
CPC C23C 18/52(2013.01) C23C 18/52(2013.01) C23C 18/52(2013.01)
출원번호/일자 1020090101696 (2009.10.26)
출원인 한화케미칼 주식회사, 연세대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1651932-0000 (2016.08.23)
공개번호/일자 10-2011-0045230 (2011.05.04) 문서열기
공고번호/일자 (20160830) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2013.09.12)
심사청구항수 10

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한화솔루션 주식회사 대한민국 서울특별시 중구
2 연세대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 서대문구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 손원일 대한민국 대전광역시 유성구
2 박선진 대한민국 대전광역시 유성구
3 김의덕 대한민국 대전광역시 유성구
4 오석헌 대한민국 대전광역시 유성구
5 문주호 대한민국 서울특별시 서대문구
6 우규희 대한민국 서울특별시 강동구
7 김동조 대한민국 경기도 수원시 팔달구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인 플러스 대한민국 대전광역시 서구 한밭대로 ***번지 (둔산동, 사학연금회관) **층

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한화솔루션 주식회사 서울특별시 중구
2 연세대학교 산학협력단 서울특별시 서대문구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2009.10.26 수리 (Accepted) 1-1-2009-0653761-78
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2010.04.01 수리 (Accepted) 4-1-2010-5057199-04
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2010.04.07 수리 (Accepted) 4-1-2010-5061078-27
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2010.05.18 수리 (Accepted) 4-1-2010-5087738-51
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2011.12.15 수리 (Accepted) 4-1-2011-5252006-10
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2013.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2013-5062749-37
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2013.06.24 수리 (Accepted) 4-1-2013-5088566-87
8 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)
2013.09.12 수리 (Accepted) 1-1-2013-0833493-31
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.08.21 수리 (Accepted) 4-1-2014-5100422-39
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.09.25 수리 (Accepted) 4-1-2014-5114224-78
11 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2015.02.23 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0120158-43
12 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2015.04.15 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2015-0367215-82
13 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2015.04.15 수리 (Accepted) 1-1-2015-0367340-81
14 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2015.09.23 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0658402-18
15 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2015.11.05 수리 (Accepted) 1-1-2015-1078632-30
16 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2015.11.05 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2015-1078647-14
17 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2016.03.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0228697-74
18 [명세서등 보정]보정서(재심사)
Amendment to Description, etc(Reexamination)
2016.04.27 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2016-0405014-27
19 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2016.04.27 수리 (Accepted) 1-1-2016-0405064-00
20 등록결정서
Decision to Grant Registration
2016.05.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0396702-66
21 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.01.14 수리 (Accepted) 4-1-2020-5009798-18
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
전도성 금속입자인 코어(core)와 상기 코어의 자연 산화막인 쉘(shell)로 둘러싸인 코어/쉘(core/shell) 구조의 입자를 포함하는 분산액에 자연 산화막을 제거하는 카르복실산을 첨가하여 전도성 금속 코팅액을 제조하는 단계;상기 전도성 금속 코팅액을 기재 상부에 코팅하고, 대기 또는 저진공 하에서 열처리하여 잔존하는 카르복실산에 의해 코어/쉘 구조의 전도성 금속 입자 표면의 자연 산화막을 제거하는 단계; 및상기 자연 산화막이 제거된 전도성 금속 입자로 박막을 형성하는 단계;를 포함하고, 상기 코어/쉘(core/shell) 구조의 전도성 금속 입자를 포함하는 분산액은 (a) 전도성 금속 입자 5~40 중량%; (b) 에틸렌글리콜(ethyleneglycol) 및 메틸알코올(methyl alcohol)을 포함하는 유기용매 50~90 중량%; 및 (c) 디부틸 세바케이트(Dibutyl sebacate; DBS), 도데실 황산나트륨(Sodium dodecyl sulfate; SDS), 소듐비스(2-에틸헥실)설포석시네이트(Sodium bis(2-ethylhexyl) sulfosuccinate; AOT), 세틸트리메틸암모늄브로마이드(Cetyltrimethylammonium bromide; CTAB), 트윈 20(Tween 20), 폴리아크릴산(Poly(acrylic acid); PAA), 폴리스티렌-알트-말레산(poly styrene-alt-maleic acid; PSM), 폴리스티렌-코-아크릴산(Poly(styrene-co-acrylic acid; PSA) 및 에틸렌디아민테트라아세트산(Ethylenediaminetetraacetic acid; EDTA)으로부터 선택되는 1종 이상인 분산제 1~10 중량%; 를 포함하는 전도성 금속 박막의 제조방법
2 2
제 1 항에 있어서,상기 코어/쉘(core/shell) 구조의 전도성 금속 입자는 구리, 알루미늄, 니켈, 코발트, 몰리브데넘 및 이들의 합금으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 전도성 금속 박막의 제조방법
3 3
제 2 항에 있어서,상기 코어/쉘(core/shell) 구조의 전도성 금속 입자는 구리인 것을 특징으로 하는 전도성 금속 박막의 제조방법
4 4
삭제
5 5
제 1 항에 있어서,상기 열처리는 핫플레이트, 가열공기대류, IR 램프, 플라즈마 소결(Plasma sintering), 마이크로파 소결(Microwave sintering) 및 레이저 소결(Laser sintering)으로부터 선택되는 열처리 방법을 이용하는 것을 특징으로 하는 전도성 금속 박막의 제조방법
6 6
제 5 항에 있어서,상기 열처리 온도는 150 내지 300℃인 것을 특징으로 하는 전도성 금속 박막의 제조방법
7 7
제 6 항에 있어서,상기 열처리 온도는 150 내지 250℃인 것을 특징으로 하는 전도성 금속 박막의 제조방법
8 8
제 1 항에 있어서, 상기 카르복실산은 포화 모노-카르복실산, 불포화카르복실산, 다이-카르복실산 및 트라이-카르복실산으로부터 선택되는 1종 이상인 것을 특징으로 하는 전도성 금속 박막의 제조방법
9 9
제 8 항에 있어서,상기 카르복실산은 포름산, 아세트산, 프로피온산, 아크릴산, 말론산, 옥살산 및 시트르산으로부터 선택되는 1종 이상인 것을 특징으로 하는 전도성 금속 박막의 제조방법
10 10
삭제
11 11
삭제
12 12
삭제
13 13
제 1 항에 있어서,상기 카르복실산은 코어/쉘(core/shell) 구조의 전도성 금속 입자에 대하여 0
14 14
제 1 항에 있어서,상기 코팅은 잉크젯 프린팅, 스핀 코팅, 스크린 프린팅, 딥 코팅, 액적 캐스팅, 플렉소(Felxo), 그라비어(Gravure) 및 오프-셋(Off-set)으로부터 선택되는 코팅 방법을 이용하는 것을 특징으로 하는 전도성 금속 박막의 제조방법
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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 JP05468141 JP 일본 FAMILY
2 JP25508934 JP 일본 FAMILY
3 US09318233 US 미국 FAMILY
4 US20120219703 US 미국 FAMILY
5 WO2011052966 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY
6 WO2011052966 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 JP2013508934 JP 일본 DOCDBFAMILY
2 JP5468141 JP 일본 DOCDBFAMILY
3 TW201114860 TW 대만 DOCDBFAMILY
4 TWI478993 TW 대만 DOCDBFAMILY
5 US2012219703 US 미국 DOCDBFAMILY
6 US9318233 US 미국 DOCDBFAMILY
7 WO2011052966 WO 세계지적재산권기구(WIPO) DOCDBFAMILY
8 WO2011052966 WO 세계지적재산권기구(WIPO) DOCDBFAMILY
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 지식경제부 한화석유화학(주) 청정제조기반산업원천기술개발사업 디지털 프린팅 청정 용액 소재 개발