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작용기로 치환된 알킬기, 또는 페닐기를 함유한트리알콕시실란을 이용한 실리카 입자의 표면개질방법 및그 실리카 입자

  • 기술번호 : KST2015127569
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 실리카 입자의 표면개질방법에 관한 것으로, 1 단계 방법에 의해 표면이 개질된 실리카 입자를 제조하는 방법 및 상기 방법에 의해 제조된, 표면이 개질된 실리카 입자에 관한 것이다. 구체적으로 본 발명은 실리카 입자의 생성 도중에, 작용기로 치환된 알킬기, 또는 페닐기를 함유한 트리알콕시실란을 첨가하는 것을 특징으로 한다. 본 발명의 표면개질방법은 반응물 및 그 비율을 최적화함으로써, 톨루엔과 같은 유독성 용매를 사용하는 2 단계 방법이 아닌, 간단한 1 단계 방법으로 실리카 표면을 개질하면서도, 고가의 유기실란을 소량만 사용한다는 데 그 특징이 있다. 특히, 종래 1 단계 방법에서 달성하기 어려웠던 입자 직경 및 형태의 균일화를 이루었을 뿐만 아니라, 이들의 제어 또한 가능하다는 장점이 있다. 그 밖에도, 비교적 간단한 산성화 과정을 거침으로써 실리카 입자 표면의 소수성 정도를 비약적으로 향상시킬 수 있는 장점 또한 가지고 있다.실리카 입자, 표면개질, 아미노프로필트리에톡시실란, 페닐트리에톡시실란
Int. CL C01B 33/18 (2006.01) C01B 33/00 (2006.01)
CPC C01B 33/18(2013.01) C01B 33/18(2013.01) C01B 33/18(2013.01) C01B 33/18(2013.01) C01B 33/18(2013.01) C01B 33/18(2013.01)
출원번호/일자 1020060136388 (2006.12.28)
출원인 연세대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-0840544-0000 (2008.06.17)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20080623) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2006.12.28)
심사청구항수 19

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 연세대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 서대문구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이강택 대한민국 서울 영등포구
2 김태훈 대한민국 경기 안양시 동안구
3 전명석 대한민국 서울 성북구
4 우 즈지엔 중국 컬리지 오브 머티리얼 사이언스 앤드 엔지니
5 씨앙 홍 중국 컬리지 오브 머티리얼 사이언스 앤드 엔지니

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 노우성 대한민국 서울특별시 강남구 언주로 ***, *층(논현동, 건설회관)(특허법인주원)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 연세대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 서대문구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application
2006.12.28 수리 (Accepted) 1-1-2006-0976332-22
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2007.08.02 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2007.08.24 수리 (Accepted) 9-1-2007-0050930-40
4 협의요구서
Request for Consultation
2007.09.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0523726-97
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2007.09.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0523725-41
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2007.11.27 수리 (Accepted) 1-1-2007-0854747-73
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2007.11.27 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2007-0854753-47
8 [협의에 의한 권리자선임]권리관계변경신고서
[Appointment of Lawful Right Holder Agreed upon by All the Patent Applicants] Report on Change of Proprietary Status
2007.11.27 수리 (Accepted) 1-1-2007-0854740-54
9 등록결정서
Decision to grant
2008.03.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0156397-94
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2011.12.15 수리 (Accepted) 4-1-2011-5252006-10
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2013.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2013-5062749-37
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2013.06.24 수리 (Accepted) 4-1-2013-5088566-87
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.09.25 수리 (Accepted) 4-1-2014-5114224-78
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번호 청구항
1 1
하기 단계를 포함하는, 표면개질된 실리카 입자의 제조방법:(A) 알콜 100 체적부 및 알콕시실란 8
2 2
제 1 항에 있어서, 상기 단계 (E) 이후에, (F) 상기 실리카 입자를 산 용액에 첨가한 후 18 내지 36 시간 동안 반응시키는 단계를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는, 표면개질된 실리카 입자의 제조방법
3 3
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 마지막 단계로서, (G) 알콜 또는 물에 상기 입자를 첨가하고, 초음파 처리한 후, 원심분리하는 단계를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는, 표면개질된 실리카 입자의 제조방법
4 4
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 마지막 단계로서, (H) 상기 입자를 건조하는 단계를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는, 표면개질된 실리카 입자의 제조방법
5 5
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 단계 (A) 또는 (B)의 알콜은 탄소수 1 내지 5인 것을 특징으로 하는, 표면개질된 실리카 입자의 제조방법
6 6
제 5 항에 있어서, 상기 단계 (A) 또는 (B)의 알콜은 에탄올인 것을 특징으로 하는, 표면개질된 실리카 입자의 제조방법
7 7
제 3 항에 있어서, 상기 단계 (G)의 알콜은 탄소수 1 내지 5인 것을 특징으로 하는, 표면개질된 실리카 입자의 제조방법
8 8
제 7 항에 있어서, 상기 단계 (G)의 알콜은 에탄올인 것을 특징으로 하는, 표면개질된 실리카 입자의 제조방법
9 9
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 단계 (A)의 알콕시실란은 테트라알콕시실란인 것을 특징으로 하는, 표면개질된 실리카 입자의 제조방법
10 10
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 단계 (A)의 알콕시실란은 탄소수 1 내지 5인 것을 특징으로 하는, 표면개질된 실리카 입자의 제조방법
11 11
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 단계 (A)의 알콕시실란은 테트라에톡시실란인 것을 특징으로 하는, 표면개질된 실리카 입자의 제조방법
12 12
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 화학식 1에서 M은 말단의 수소가 아민기로 치환된 탄소수 1 내지 10의 알킬기 또는 페닐기인 것을 특징으로 하는, 표면개질된 실리카 입자의 제조방법
13 13
제 12 항에 있어서, 상기 화학식 1에서 M은 아미노프로필기 또는 페닐기인 것을 특징으로 하는, 표면개질된 실리카 입자의 제조방법
14 14
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 화학식 1에서 L은 에톡시기인 것을 특징으로 하는, 표면개질된 실리카 입자의 제조방법
15 15
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 단계 (A)의 알콕시실란의 양은 알콜 100 체적부 당 10
16 16
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 단계 (B)의 암모니아수의 양은 알콜 100 체적부 당 2
17 17
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 단계 (B)의 물의 양은 알콜 100 체적부 당 30
18 18
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 단계 (D)의 화학식 1의 화합물의 양은 알콕시실란 100 몰부 당 3
19 19
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 단계 (E)의 고액분리는 원심분리인 것을 특징으로 하는, 표면개질된 실리카 입자의 제조방법
20 20
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지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.