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반도체 광 증폭기(300)에서 나온 빛이 단일모드 광섬유 분배기(320)를 통하여 95%의 빛이 회절격자(340)로 진행하는 제1단계;상기 제1단계에서 상기 회절격자(340)에 의해 1차 회절된 빛은 갈바노미터 결합 거울(350)에 의해서 반사되어 상기 회절격자(340)에 다시 입사되는 제2단계;상기 제2단계에서 상기 회절격자(340)에 다시 입사된 빛은 상기 회절격자(340)에 의해 다시 반사되어 특정파장의 빛만이 상기 제1광섬유-콜리메이터(330)로 입사하게 되는 제3단계;상기 제3단계에서 상기 제1광섬유-콜리메이터(330)로 입사된 빛은 상기 단일모드 광섬유 분배기(320)를 통해 반도체 광증폭기(300)로 전달되는 제4단계;상기 제4단계에서 반도체 광 증폭기로 들어간 빛이 증폭되는 제5단계;상기 제1단계 내지 제5단계의 과정이 반복되어 빛이 증폭하게 되어 단일모드 광섬유 분배기(320)에 의해서 5%가 출력으로 나오게 되는 제6단계;를 구비하는 것을 특징으로 하는 광대역 파장 변환 광원의 구동방법
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제1항에 있어서,제6단계에서 출력으로 나오는 빛은, 상기 제1광섬유-콜리메이터(330)로부터 상기 단일모드 광섬유 분배기(320)를 통해 반도체 광증폭기(300)로 입사되어 증폭된 빛이 상기 단일모드 광섬유 분배기(320)를 통해 출력단인 제2 광섬유-콜리메이터(360)에서 수렴하여 출력되는 것을 특징으로 하는 광대역 파장 변환 광원의 구동방법
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제1항에 있어서,상기 반도체 광 증폭기(300)와 상기 단일모드 광섬유 분배기(320)의 사이에는 편광조절기(310)를 구비하여, 상기 편광조절기(310)는 반도체 광증폭기(300)로부터 입사된 광대역의 빛이 단일편광 상태가 되도록 편광을 조절하여 광섬유(370)를 통해 단일모드 광섬유분배기(320)로 전달하도록 이루어진 것을 특징으로 하는 광대역 파장 변환 광원의 구동방법
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제1항 내지 제3항 중 어느 한항에 있어서상기 특정파장은(단, 여기서 λL은 선택된 빛의 파장이며, d는 회절격자(340)에서의 격자들 사이의 공간 거리이며, m은 회절 차수이며, α는 빛의 입사 각도이며, β는 회절 각도임) 에 의해서 파장이 정해지는 것을 특징으로 하는 광대역 파장 변환 광원의 구동방법
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제1항에 있어서상기 광섬유(370)는 단일모드 광섬유인 것을 특징으로 하는 광대역 파장 변환 광원의 구동방법
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제1항에 있어서,상기 반도체 광 증폭기(300)와 상기 단일모드 광섬유 분배기(320)의 사이에 편광조절기(310)를 더 구비하는 것을 특징으로 하는 광대역 파장 변환 광원의 구동방법
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제1항에 있어서,상기 반도체 광증폭기(300)는 한 쪽이 AR/HR 코팅이 되어있어, 다른 한 쪽 방향으로만 빛이 진행하도록 이루어져 있는 것을 특징으로 하는 광대역 파장 변환 광원의 구동방법
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제7항에 있어서,상기 반도체 광증폭기(300)는 800nm 대역에서 넓은 대여폭을 갖는 것을 특징으로 하는 광대역 파장 변환 광원의 구동방법
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제1항에 있어서, 상기 회절격자(340)는 금이 도금된 것을 특징으로 하는 광대역 파장 변환 광원의 구동방법
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제1항에 있어서,상기 갈바노미터는 정해진 각도로 그리고 일정한 속도로 변화되도록 이루어져 있는 것을 특징으로 하는 광대역 파장 변환 광원의 구동방법
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제1항에 있어서,상기 단일모드 광섬유 분배기(320)는 빛의 증폭을 최대 효율로 빛이 증폭될 수 있도록 회절격자(340) 방향과 출력단 방향으로 분배되는 빛 양의 비율을 조절하는 것을 특징으로 하는 광대역 파장 변환 광원의 구동방법
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제1항에 있어서,상기 특정 파장은 갈바노미터의 각도에 의해서 결정되어지는 것을 특징으로 하는 광대역 파장 변환 광원의 구동방법
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