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자기조립법을 이용한 나노선의 정렬방법

  • 기술번호 : KST2015127651
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 자기조립법을 이용한 나노선의 정렬방법에 관한 것으로, 본 발명에 따른 자기조립법을 이용한 나노선의 정렬방법은 기판을 제공하는 단계와, 상기 기판 상에 PDMS 스탬프를 사용한 광스탬핑 전사방법을 수행하여 PDMS 패턴을 형성하는 단계와, 상기 PDMS 패턴이 형성된 기판을 SAMs 용액에 담궈 단분자막을 형성하는 단계와, 상기 기판상의 단분자막 상에 나노선을 정렬하는 단계를 포함한다. 나노선, 자기조립법
Int. CL B82B 1/00 (2006.01) G03F 7/00 (2006.01) B82B 3/00 (2006.01) H01L 21/027 (2006.01)
CPC G03F 7/0002(2013.01) G03F 7/0002(2013.01)
출원번호/일자 1020080128863 (2008.12.17)
출원인 엘지디스플레이 주식회사, 연세대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1521659-0000 (2015.05.13)
공개번호/일자 10-2010-0070233 (2010.06.25) 문서열기
공고번호/일자 (20150519) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2013.12.10)
심사청구항수 6

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 엘지디스플레이 주식회사 대한민국 서울특별시 영등포구
2 연세대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 서대문구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김재현 대한민국 경기도 수원시 장안구
2 성명모 대한민국 서울특별시 서초구
3 황재권 대한민국 서울특별시 노원구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 서교준 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 **길**, **층 (역삼동, 케이앤아이타워)(특허사무소소담)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 엘지디스플레이 주식회사 대한민국 서울특별시 영등포구
2 연세대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 서대문구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2008.12.17 수리 (Accepted) 1-1-2008-0868393-10
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2010.12.21 수리 (Accepted) 4-1-2010-5241074-12
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.10.04 수리 (Accepted) 4-1-2011-5199065-15
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.12.15 수리 (Accepted) 4-1-2011-5252006-10
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.12.29 수리 (Accepted) 4-1-2011-5262372-95
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2013-5062749-37
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.06.24 수리 (Accepted) 4-1-2013-5088566-87
8 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)		 2013.12.10 수리 (Accepted) 1-1-2013-1128626-04
9 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)		 2013.12.10 수리 (Accepted) 1-1-2013-1128689-69
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.09.25 수리 (Accepted) 4-1-2014-5114224-78
11 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2014.10.22 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0718956-30
12 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2014.12.18 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2014-1234043-39
13 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2014.12.18 수리 (Accepted) 1-1-2014-1234042-94
14 등록결정서
Decision to grant		 2015.04.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0278992-10
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판을 제공하는 단계와,상기 기판 상에 PDMS 스탬프를 사용한 광스탬핑 전사방법을 수행하여 PDMS 패턴을 형성하는 단계와, 상기 PDMS 패턴이 형성된 기판을 SAMs 용액에 담궈 단분자막을 형성하는 단계와, 상기 기판상의 단분자막 상에 나노선을 정렬하는 단계를 포함하는 자기조립법을 이용한 나노선의 정렬방법
2 2
제1 항에 있어서, 상기 기판은 실리콘, SiO2 및 TiO2 중 어느 하나를 사용하는 것을 특징으로 하는 자기조립법을 이용한 나노선의 정렬방법
3 3
제1 항에 있어서, 상기 PDMS 스탬프를 사용한 광스탬핑 전사방법은돌출부가 구비된 PDMS 스탬프를 상기 기판 상에 정렬하고 상기 돌출부를 기판과 미세접촉시킨 후 UV 조사하는 것을 특징으로 하는 자기조립법을 이용한 나노선의 정렬방법
4 4
제1 항에 있어서, 상기 SAMs 용액은 메탄올 47ml, 3-aminoprophyltriethoxysilane (APS) 0
5 5
제1 항에 있어서, 상기 기판 상의 단분자막상에 나노선을 정렬하는 방법은 상기 단분자막이 형성된 기판을 나노선이 분산되어 있는 아이소프로필알콜 내에 담근 후 빼내고 아이소프로필알콜로 상기 기판을 세척한 후 N2 가스로 퍼징(purging) 하여 상기 PDMS 패턴상에 위치된 나노선만 제거하여 형성하는 것을 특징으로 하는 자기조립법을 이용한 나노선의 정렬방법
6 6
제1 항에 있어서, 상기 PDMS 패턴은 소수성을 띠는 것을 특징으로 하는 자기조립법을 이용한 나노선의 정렬방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.