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다수의 메모리를, 고장이 없거나 해당 메모리에 구비된 예비 셀 어레이를 이용하여 수리 가능한 양품 메모리, 다른 메모리에 구비된 예비 셀 어레이를 이용하여 수리 가능한 상호 수리 가능(inter-repairable) 메모리, 및 수리가 불가능한 불량 메모리로 분류하는 메모리 분류부;상기 다수의 메모리 중 고장이 발생한 메모리에 대하여 해당 메모리에 적용 가능한 수리 방법을 결정하는 수리 방법 결정부; 및제 1 수리 방법을 기반으로 상기 양품 메모리 중에서 상기 상호 수리 가능 메모리를 수리할 수 있는 메모리를 지정하여 해당 상호 수리 가능 메모리와 매칭시킨 후, 상기 제 1 수리 방법과 다른 제 2 수리 방법을 기반으로, 상기 제 1 수리 방법에 의해 매칭되지 않은 양품 메모리 중에서 상기 제 1 수리 방법에 의해 매칭되지 않은 상호 수리 가능 메모리를 수리할 수 있는 메모리를 지정하여 해당 상호 수리 가능 메모리와 매칭시키는 메모리 매칭부;를 포함하고,상기 메모리 매칭부는:상기 적용 가능한 수리 방법이 적은 순서대로 상기 양품 메모리 및 상기 상호 수리 가능 메모리를 매칭시키는 메모리 수리 장치
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다수의 메모리를, 고장이 없거나 해당 메모리에 구비된 예비 셀 어레이를 이용하여 수리 가능한 양품 메모리, 다른 메모리에 구비된 예비 셀 어레이를 이용하여 수리 가능한 상호 수리 가능(inter-repairable) 메모리, 및 수리가 불가능한 불량 메모리로 분류하는 메모리 분류부;상기 다수의 메모리 중 고장이 발생한 메모리에 대하여 해당 메모리에 적용 가능한 수리 방법을 결정하는 수리 방법 결정부; 및제 1 수리 방법을 기반으로 상기 양품 메모리 중에서 상기 상호 수리 가능 메모리를 수리할 수 있는 메모리를 지정하여 해당 상호 수리 가능 메모리와 매칭시킨 후, 상기 제 1 수리 방법과 다른 제 2 수리 방법을 기반으로, 상기 제 1 수리 방법에 의해 매칭되지 않은 양품 메모리 중에서 상기 제 1 수리 방법에 의해 매칭되지 않은 상호 수리 가능 메모리를 수리할 수 있는 메모리를 지정하여 해당 상호 수리 가능 메모리와 매칭시키는 메모리 매칭부;를 포함하고,상기 수리 방법 결정부는:상기 고장이 발생한 메모리를 수리하기 위해 요구되는 상기 예비 셀 어레이의 수가 적은 순서대로 기 설정된 개수의 수리 방법을 해당 메모리에 적용 가능한 수리 방법으로 결정하는 메모리 수리 장치
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제 2 항에 있어서,상기 수리 방법 결정부는:상기 고장이 발생한 메모리를 수리하기 위해,n 개의 예비 셀 어레이 행 및 m 개의 예비 셀 어레이 열이 요구되는 제 1 수리 방법 후보;n-1 개의 예비 셀 어레이 행 및 m+1 개의 예비 셀 어레이 열이 요구되는 제 2 수리 방법 후보; 및n+1 개의 예비 셀 어레이 행 및 m-1 개의 예비 셀 어레이 열이 요구되는 제 3 수리 방법 후보를 해당 메모리에 적용 가능한 수리 방법으로 결정하는 메모리 수리 장치
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4
다수의 메모리를, 고장이 없거나 해당 메모리에 구비된 예비 셀 어레이를 이용하여 수리 가능한 양품 메모리, 다른 메모리에 구비된 예비 셀 어레이를 이용하여 수리 가능한 상호 수리 가능(inter-repairable) 메모리, 및 수리가 불가능한 불량 메모리로 분류하는 메모리 분류부;상기 다수의 메모리 중 고장이 발생한 메모리에 대하여 해당 메모리에 적용 가능한 수리 방법을 결정하는 수리 방법 결정부; 및제 1 수리 방법을 기반으로 상기 양품 메모리 중에서 상기 상호 수리 가능 메모리를 수리할 수 있는 메모리를 지정하여 해당 상호 수리 가능 메모리와 매칭시킨 후, 상기 제 1 수리 방법과 다른 제 2 수리 방법을 기반으로, 상기 제 1 수리 방법에 의해 매칭되지 않은 양품 메모리 중에서 상기 제 1 수리 방법에 의해 매칭되지 않은 상호 수리 가능 메모리를 수리할 수 있는 메모리를 지정하여 해당 상호 수리 가능 메모리와 매칭시키는 메모리 매칭부;를 포함하고,상기 수리 방법 결정부는:각각의 메모리에 적용 가능한 수리 방법에 관한 정보를 해당 메모리에 구비된 저장부 및 상기 메모리 수리 장치에 구비된 저장부 중 적어도 하나에 저장하는 메모리 수리 장치
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삭제
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제 1 항에 있어서,상기 메모리 매칭부는:상기 적용 가능한 수리 방법이 하나인 제 1 상호 수리 가능 메모리를 해당 수리 방법을 기반으로 상기 양품 메모리와 매칭시키고,상기 적용 가능한 수리 방법이 복수인 제 2 상호 수리 가능 메모리를 상기 복수의 적용 가능한 수리 방법 중 어느 하나를 기반으로 상기 양품 메모리와 매칭시키고,상기 제 2 상호 수리 가능 메모리 중 매칭에 실패한 제 3 상호 수리 가능 메모리를 상기 복수의 적용 가능한 수리 방법 중 나머지를 기반으로 상기 양품 메모리와 매칭시키는 메모리 수리 장치
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7
제 6 항에 있어서,상기 메모리 매칭부는:상기 제 3 상호 수리 가능 메모리의 매칭 후 남은 양품 메모리 중 복수의 적용 가능한 수리 방법으로 수리 가능한 메모리가 있는 경우, 해당 양품 메모리의 수리에 적용되는 수리 방법을 변경하고,상기 제 3 상호 수리 가능 메모리 중 매칭에 실패한 제 4 상호 수리 가능 메모리를 상기 수리 방법이 변경된 양품 메모리와 매칭시키는 메모리 수리 장치
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제 1 항에 있어서,상기 메모리 매칭부는:상기 적용 가능한 수리 방법이 하나인 제 1 상호 수리 가능 메모리를 해당 수리 방법을 기반으로 상기 양품 메모리와 매칭시키고,상기 적용 가능한 수리 방법이 복수인 제 2 상호 수리 가능 메모리를 상기 복수의 적용 가능한 수리 방법 중 어느 하나를 기반으로 상기 양품 메모리와 매칭시키고,상기 제 2 상호 수리 가능 메모리의 매칭 후 남은 양품 메모리 중 복수의 적용 가능한 수리 방법으로 수리 가능한 메모리가 있는 경우, 해당 양품 메모리의 수리에 적용되는 수리 방법을 변경하고,상기 제 2 상호 수리 가능 메모리 중 매칭에 실패한 제 3 상호 수리 가능 메모리를 상기 수리 방법이 변경된 양품 메모리와 매칭시키는 메모리 수리 장치
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9
제 8 항에 있어서,상기 메모리 매칭부는:상기 제 3 상호 수리 가능 메모리 중 매칭에 실패한 제 4 상호 수리 가능 메모리를 복수의 적용 가능한 수리 방법 중 나머지를 기반으로 상기 양품 메모리와 매칭시키는 메모리 수리 장치
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10
다수의 메모리를, 고장이 없거나 해당 메모리에 구비된 예비 셀 어레이를 이용하여 수리 가능한 양품 메모리, 다른 메모리에 구비된 예비 셀 어레이를 이용하여 수리 가능한 상호 수리 가능 메모리, 및 수리가 불가능한 불량 메모리로 분류하는 단계;상기 다수의 메모리 중 고장이 발생한 메모리에 대하여 해당 메모리에 적용 가능한 수리 방법을 결정하는 단계;제 1 수리 방법을 기반으로 상기 양품 메모리 중에서 상기 상호 수리 가능 메모리를 수리할 수 있는 메모리를 지정하여 해당 상호 수리 가능 메모리와 매칭시키는 단계;상기 제 1 수리 방법과 다른 제 2 수리 방법을 기반으로, 상기 제 1 수리 방법에 의해 매칭되지 않은 양품 메모리 중에서 상기 제 1 수리 방법에 의해 매칭되지 않은 상호 수리 가능 메모리를 수리할 수 있는 메모리를 지정하여 해당 상호 수리 가능 메모리와 매칭시키는 단계;를 포함하고,상기 제 1 수리 방법을 기반으로 매칭시키는 단계는:상기 적용 가능한 수리 방법이 적은 순서대로 상기 양품 메모리 및 상기 상호 수리 가능 메모리를 매칭시키는 단계를 포함하는 메모리 수리 방법
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다수의 메모리를, 고장이 없거나 해당 메모리에 구비된 예비 셀 어레이를 이용하여 수리 가능한 양품 메모리, 다른 메모리에 구비된 예비 셀 어레이를 이용하여 수리 가능한 상호 수리 가능 메모리, 및 수리가 불가능한 불량 메모리로 분류하는 단계;상기 다수의 메모리 중 고장이 발생한 메모리에 대하여 해당 메모리에 적용 가능한 수리 방법을 결정하는 단계;제 1 수리 방법을 기반으로 상기 양품 메모리 중에서 상기 상호 수리 가능 메모리를 수리할 수 있는 메모리를 지정하여 해당 상호 수리 가능 메모리와 매칭시키는 단계;상기 제 1 수리 방법과 다른 제 2 수리 방법을 기반으로, 상기 제 1 수리 방법에 의해 매칭되지 않은 양품 메모리 중에서 상기 제 1 수리 방법에 의해 매칭되지 않은 상호 수리 가능 메모리를 수리할 수 있는 메모리를 지정하여 해당 상호 수리 가능 메모리와 매칭시키는 단계;를 포함하고,상기 수리 방법을 결정하는 단계는:상기 고장이 발생한 메모리를 수리하기 위해 요구되는 상기 예비 셀 어레이의 수가 적은 순서대로 기 설정된 개수의 수리 방법을 해당 메모리에 적용 가능한 수리 방법으로 결정하는 단계를 포함하는 메모리 수리 방법
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제 11 항에 있어서,상기 기 설정된 개수의 수리 방법을 해당 메모리에 적용 가능한 수리 방법으로 결정하는 단계는:n 개의 예비 셀 어레이 행 및 m 개의 예비 셀 어레이 열이 요구되는 제 1 수리 방법 후보;n-1 개의 예비 셀 어레이 행 및 m+1 개의 예비 셀 어레이 열이 요구되는 제 2 수리 방법 후보; 및n+1 개의 예비 셀 어레이 행 및 m-1 개의 예비 셀 어레이 열이 요구되는 제 3 수리 방법 후보;를 해당 메모리에 적용 가능한 수리 방법으로 결정하는 단계를 포함하는 메모리 수리 방법
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삭제
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제 10 항에 있어서,상기 제 1 수리 방법을 기반으로 매칭시키는 단계는:상기 적용 가능한 수리 방법이 하나인 제 1 상호 수리 가능 메모리를 해당 수리 방법을 기반으로 상기 양품 메모리와 매칭시키는 단계; 및상기 적용 가능한 수리 방법이 복수인 제 2 상호 수리 가능 메모리를 상기 복수의 적용 가능한 수리 방법 중 어느 하나를 기반으로 상기 양품 메모리와 매칭시키는 단계;를 포함하는 메모리 수리 방법
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제 14 항에 있어서,상기 제 2 수리 방법을 기반으로 매칭시키는 단계는:상기 제 2 상호 수리 가능 메모리 중 매칭에 실패한 제 3 상호 수리 가능 메모리를 상기 복수의 적용 가능한 수리 방법 중 나머지를 기반으로 상기 양품 메모리와 매칭시키는 단계를 포함하는 메모리 수리 방법
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제 15 항에 있어서,상기 제 3 상호 수리 가능 메모리의 매칭 후 남은 양품 메모리 중 복수의 적용 가능한 수리 방법으로 수리 가능한 메모리가 있는 경우, 해당 양품 메모리의 수리에 적용되는 수리 방법을 변경하는 단계; 및상기 제 3 상호 수리 가능 메모리 중 매칭에 실패한 제 4 상호 수리 가능 메모리를 상기 수리 방법이 변경된 양품 메모리와 매칭시키는 단계;를 더 포함하는 메모리 수리 방법
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제 14 항에 있어서,상기 제 2 수리 방법을 기반으로 매칭시키는 단계는:상기 제 2 상호 수리 가능 메모리의 매칭 후 남은 양품 메모리 중 복수의 적용 가능한 수리 방법으로 수리 가능한 메모리가 있는 경우, 해당 양품 메모리의 수리에 적용되는 수리 방법을 변경하는 단계; 및상기 제 2 상호 수리 가능 메모리 중 매칭에 실패한 제 3 상호 수리 가능 메모리를 상기 수리 방법이 변경된 양품 메모리와 매칭시키는 단계;를 포함하는 메모리 수리 방법
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제 17 항에 있어서,상기 제 3 상호 수리 가능 메모리 중 매칭에 실패한 제 4 상호 수리 가능 메모리를 복수의 적용 가능한 수리 방법 중 나머지를 기반으로 상기 양품 메모리와 매칭시키는 단계를 더 포함하는 메모리 수리 방법
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다수의 메모리를 검사하는 메모리 검사 장치; 및상기 다수의 메모리 중 고장이 발생한 메모리를 수리하는 메모리 수리 장치를 포함하며, 상기 메모리 수리 장치는: 상기 다수의 메모리를 고장이 없거나 해당 메모리에 구비된 예비 셀 어레이를 이용하여 수리 가능한 양품 메모리, 다른 메모리에 구비된 예비 셀 어레이를 이용하여 수리 가능한 상호 수리 가능 메모리, 및 수리가 불가능한 불량 메모리로 분류하는 메모리 분류부; 상기 고장이 발생한 메모리에 대하여 해당 메모리에 적용 가능한 수리 방법을 결정하는 수리 방법 결정부; 및 제 1 수리 방법을 기반으로 상기 양품 메모리 중에서 상기 상호 수리 가능 메모리를 수리할 수 있는 메모리를 지정하여 해당 상호 수리 가능 메모리와 매칭시킨 후, 상기 제 1 수리 방법과 다른 제 2 수리 방법을 기반으로, 상기 제 1 수리 방법에 의해 매칭되지 않은 양품 메모리 중에서 상기 제 1 수리 방법에 의해 매칭되지 않은 상호 수리 가능 메모리를 수리할 수 있는 메모리를 지정하여 해당 상호 수리 가능 메모리와 매칭시키는 메모리 매칭부;를 포함하고,상기 메모리 매칭부는:상기 적용 가능한 수리 방법이 적은 순서대로 상기 양품 메모리 및 상기 상호 수리 가능 메모리를 매칭시키는 메모리 수리 시스템
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컴퓨터로 읽을 수 있는 기록매체에 있어서,제 10 항 내지 제 12 항 및 제 14 항 내지 제 18 항 중 어느 한 항에 따른 메모리 수리 방법을 실행하기 위한 프로그램이 기록된 기록매체
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