| 1 |
1
제1 표면 특성을 갖는 물질 층을 형성하는 단계;상기 물질 층의 표면에 복수 개의 세포를 포함하는 세포 배양 액적을 접착시키는 단계;상기 물질 층의 표면의 적어도 일부분이 제2 표면 특성을 갖도록 표면 처리하는 단계; 및현적 배양(hanging drop)에 의해 상기 세포 배양 액적으로부터 세포 스페로이드를 형성하는 단계;를 포함하는 세포 스페로이드 형성 방법
|
| 2 |
2
제1 항에 있어서,상기 제1 표면 특성은 상기 물질 층의 표면에 상기 세포 배양 액적의 접착이 가능케하는 소수성 또는 친수성이고,상기 제2 표면 특성은 초소수성인 세포 스페로이드 형성 방법
|
| 3 |
3
제1 항 또는 제2 항에 있어서,상기 제1 표면 특성을 갖는 물질 층을 형성하는 단계는,상기 제2 표면 특성을 갖는 물질 층을 형성하는 단계; 및상기 제2 표면 특성을 갖는 물질 층을 상기 제1 표면 특성을 갖도록 표면 처리하는 단계;를 포함하는 세포 스페로이드 형성 방법
|
| 4 |
4
제3 항에 있어서,상기 제2 표면 특성을 갖는 물질 층을 형성하는 단계는,기판 상에 상기 기판보다 거친 표면 거칠기를 갖는 거친 표면 물질을 형성하는 단계;를 포함하는 세포 스페로이드 형성 방법
|
| 5 |
5
제4 항에 있어서,상기 거친 표면 물질은, 나노와이어 및 다공성 물질 중 적어도 하나를 포함하는 세포 스페로이드 형성 방법
|
| 6 |
6
제3 항에 있어서,상기 제2 표면 특성을 갖는 물질 층을 상기 제1 표면 특성을 갖도록 표면 처리하는 단계는,상기 제2 표면 특성을 갖는 물질 층의 적어도 일부분에 반응 물질을 증착 형성하는 단계; 및상기 반응 물질에 반응 기체를 공급하는 단계;를 포함하며,상기 반응 물질은 상기 반응 기체와 반응하여 제1 표면 특성을 갖도록 부피가 변화하는 세포 스페로이드 형성 방법
|
| 7 |
7
제6 항에 있어서,상기 반응 물질은, Pd, Pt, Mg, MgO, ZnO, SnO2, 탄소나노튜브 및 그래핀 중 적어도 하나를 포함하는 세포 스페로이드 형성 방법
|
| 8 |
8
제7 항에 있어서,상기 반응 기체는, H2, O2, NH3, H2O 및 CO2 중 적어도 하나를 포함하는 세포 스페로이드 형성 방법
|
| 9 |
9
제6 항에 있어서,상기 물질 층의 표면의 적어도 일부분이 제2 표면 특성을 갖도록 표면 처리하는 단계는,상기 반응 물질과 반응한 반응 기체를 제거하는 단계;를 포함하는 세포 스페로이드 형성 방법
|
| 10 |
10
제9 항에 있어서,상기 반응 기체를 제거하는 단계는,상기 물질 층의 표면에 세포 배양 액적이 접착되지 않은 부분의 반응 물질과 반응한 반응 기체를 제거하는 세포 스페로이드 형성 방법
|
| 11 |
11
기판 상에 거친 표면 물질을 형성하는 단계;상기 거친 표면 물질의 적어도 일부분에 반응 물질을 증착 형성하는 단계;상기 반응 물질에 반응 기체를 공급하는 단계;상기 반응 기체와 반응한 반응 물질에 세포 배양액적을 접착하는 단계; 및상기 세포 배양액적이 접착된 후, 상기 반응 물질과 반응한 반응 기체를 제거하는 단계; 및현적 배양(hanging drop)에 의해 상기 세포 배양액적으로부터 세포 스페로이드를 형성하는 단계;를 포함하는 세포 스페로이드 형성 방법
|
| 12 |
12
제11 항에 있어서,상기 반응 물질이 증착된 거친 표면 물질은 초소수성의 표면 특성을 갖고,상기 반응 물질이 반응기체와 반응하는 경우 세포 배양 액적의 접촉을 가능케하는 친수성 또는 소수성을 표면 특성을 갖는 세포 스페로이드 형성 방법
|
| 13 |
13
제11 항에 있어서,상기 거친 표면 물질은, 나노와이어 및 다공성 물질 중 적어도 하나를 포함하는 세포 스페로이드 형성 방법
|
| 14 |
14
제13 항에 있어서,상기 거친 표면 물질의 적어도 일부분에 반응 물질을 증착 형성하는 단계는,상기 기판상에 형성된 나노와이어의 상부에 증착 형성하는 세포 스페로이드 형성 방법
|
| 15 |
15
제11 항에 있어서,상기 반응 물질은, 상기 반응 기체와 반응하여 부피가 변화하는 세포 스페로이드 형성 방법
|
| 16 |
16
제11 항에 있어서,상기 반응 물질은, Pd, Pt, Mg, MgO, ZnO, SnO2, 탄소나노튜브 및 그래핀 중 적어도 하나를 포함하는 세포 스페로이드 형성 방법
|
| 17 |
17
제16 항에 있어서,상기 반응 기체는, H2, O2, NH3, H2O 및 CO2 중 적어도 하나를 포함하는 세포 스페로이드 형성 방법
|
| 18 |
18
제11 항에 있어서,상기 반응 기체를 제거하는 단계는,상기 세포 배양 액적이 접착되지 않은 부분의 반응 물질과 반응한 반응 기체를 제거하는 세포 스페로이드 형성 방법
|
| 19 |
19
삭제
|
| 20 |
20
삭제
|
| 21 |
21
삭제
|
