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다수의 메모리;상기 다수의 메모리를 검사하여 각 메모리 내 고장 셀의 개수 정보를 획득한 후, 상기 고장 셀의 개수 정보를 기반으로 상기 다수의 메모리를 순차적으로 재검사하여 각 메모리 내 상기 고장 셀의 위치 정보를 획득하는 검사부; 및상기 고장 셀의 개수 정보 및 위치 정보를 기반으로 고장이 발생한 메모리를 수리하는 수리부;를 포함하는 반도체 회로 장치
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제 1 항에 있어서,상기 검사부는:상기 다수의 메모리를 동시에 검사하여 각 메모리 내 고장 셀의 개수 정보를 획득하는 반도체 회로 장치
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제 1 항에 있어서,상기 각 메모리 내 고장 셀의 개수 정보는 해당 메모리의 랩퍼(wrapper)에 저장되는 반도체 회로 장치
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삭제
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제 1 항에 있어서,상기 검사부는:상기 고장 셀이 많은 순서대로 상기 다수의 메모리를 재검사하는 반도체 회로 장치
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다수의 메모리;상기 다수의 메모리를 검사하여 각 메모리 내 고장 셀의 개수 정보를 획득하고, 상기 고장 셀의 개수 정보를 기반으로 상기 다수의 메모리를 재검사하여 각 메모리 내 상기 고장 셀의 위치 정보를 획득하는 검사부; 및상기 고장 셀의 개수 정보 및 위치 정보를 기반으로 고장이 발생한 메모리를 수리하는 수리부;를 포함하고,상기 검사부는:재검사 시, 상기 위치 정보가 획득된 고장 셀의 개수가, 검사 시 획득된 해당 메모리 내 고장 셀의 개수와 일치하게 되면, 해당 메모리에 대한 재검사를 종료하는 반도체 회로 장치
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제 1 항에 있어서,상기 수리부는:각 메모리에 대한 재검사가 완료되면, 재검사가 완료된 해당 메모리의 수리를 시작하여 고장을 수리하기 위한 수리 방법을 결정하는 반도체 회로 장치
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다수의 메모리;상기 다수의 메모리를 검사하여 각 메모리 내 고장 셀의 개수 정보를 획득하고, 상기 고장 셀의 개수 정보를 기반으로 상기 다수의 메모리를 재검사하여 각 메모리 내 상기 고장 셀의 위치 정보를 획득하는 검사부; 및상기 고장 셀의 개수 정보 및 위치 정보를 기반으로 고장이 발생한 메모리를 수리하는 수리부;를 포함하고,상기 수리부는, 상기 고장이 발생한 메모리를 수리하기 위한 수리 방법이 없는 경우, 상기 검사부로 메모리 수리 불가를 통보하고,상기 검사부는, 상기 메모리 수리 불가를 통보받으면, 상기 다수의 메모리에 대한 재검사를 종료하는 반도체 회로 장치
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반도체 회로 장치에 내장된 다수의 메모리를 상기 반도체 회로 장치에 구비된 검사부 및 수리부를 이용하여 검사하고 수리하는 방법에 있어서,일차적으로 상기 다수의 메모리를 검사하여 각 메모리 내 고장 셀의 개수 정보를 획득하는 단계;이차적으로 상기 고장 셀의 개수 정보를 기반으로 상기 다수의 메모리를 순차적으로 재검사하여 각 메모리 내 상기 고장 셀의 위치 정보를 획득하는 단계; 및상기 고장 셀의 개수 정보 및 위치 정보를 기반으로 고장이 발생한 메모리를 수리하는 단계;를 포함하는 메모리 검사 및 수리 방법
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제 9 항에 있어서,상기 각 메모리 내 고장 셀의 개수 정보를 획득하는 단계 후,상기 각 메모리 내 고장 셀의 개수 정보를 해당 메모리의 랩퍼에 저장하는 단계를 더 포함하는 메모리 검사 및 수리 방법
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제 9 항에 있어서,상기 다수의 메모리를 순차적으로 재검사하여 각 메모리 내 고장 셀의 위치 정보를 획득하는 단계는:상기 고장 셀이 많은 순서대로 상기 다수의 메모리를 재검사하는 단계를 포함하는 메모리 검사 및 수리 방법
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반도체 회로 장치에 내장된 다수의 메모리를 상기 반도체 회로 장치에 구비된 검사부 및 수리부를 이용하여 검사하고 수리하는 방법에 있어서,상기 다수의 메모리를 검사하여 각 메모리 내 고장 셀의 개수 정보를 획득하는 단계;상기 고장 셀의 개수 정보를 기반으로 상기 다수의 메모리를 재검사하여 각 메모리 내 상기 고장 셀의 위치 정보를 획득하는 단계; 및상기 고장 셀의 개수 정보 및 위치 정보를 기반으로 고장이 발생한 메모리를 수리하는 단계;를 포함하고,상기 다수의 메모리를 재검사하여 각 메모리 내 고장 셀의 위치 정보를 획득하는 단계는:상기 위치 정보가 획득된 고장 셀의 개수가, 검사 시 획득된 해당 메모리 내 고장 셀의 개수와 일치하게 되면, 해당 메모리에 대한 재검사를 종료하는 단계를 포함하는 메모리 검사 및 수리 방법
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제 9 항에 있어서,상기 고장이 발생한 메모리를 수리하는 단계는:각 메모리에 대한 재검사가 완료되면, 재검사가 완료된 해당 메모리의 수리를 시작하는 단계를 포함하는 메모리 검사 및 수리 방법
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반도체 회로 장치에 내장된 다수의 메모리를 상기 반도체 회로 장치에 구비된 검사부 및 수리부를 이용하여 검사하고 수리하는 방법에 있어서,상기 다수의 메모리를 검사하여 각 메모리 내 고장 셀의 개수 정보를 획득하는 단계;상기 고장 셀의 개수 정보를 기반으로 상기 다수의 메모리를 재검사하여 각 메모리 내 상기 고장 셀의 위치 정보를 획득하는 단계; 및상기 고장 셀의 개수 정보 및 위치 정보를 기반으로 고장이 발생한 메모리를 수리하는 단계;를 포함하고,상기 고장이 발생한 메모리를 수리하는 단계는, 상기 고장이 발생한 메모리를 수리하기 위한 수리 방법이 없는 경우, 상기 검사부로 메모리 수리 불가를 통보하는 단계를 포함하며,상기 메모리 검사 및 수리 방법은, 상기 검사부가 상기 메모리 수리 불가를 통보받으면, 상기 다수의 메모리에 대한 재검사를 종료하는 단계를 더 포함하는 메모리 검사 및 수리 방법
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다수의 메모리;상기 다수의 메모리를 동시에 검사하여 각 메모리 내 고장 셀의 개수 정보를 획득한 후, 상기 고장 셀이 많은 순서대로 상기 다수의 메모리를 순차적으로 재검사하여 각 메모리 내 상기 고장 셀의 위치 정보를 획득하는 검사부; 및각 메모리에 대한 재검사가 완료되면 재검사가 완료된 해당 메모리의 수리를 시작하여, 상기 고장 셀의 개수 정보 및 위치 정보를 기반으로 고장이 발생한 메모리를 수리하기 위한 수리 방법을 결정하는 수리부;를 포함하는 반도체 칩
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다수의 메모리;상기 다수의 메모리를 동시에 검사하여 각 메모리 내 고장 셀의 개수 정보를 획득하고, 상기 고장 셀이 많은 순서대로 상기 다수의 메모리를 순차적으로 재검사하여 각 메모리 내 상기 고장 셀의 위치 정보를 획득하는 검사부; 및각 메모리에 대한 재검사가 완료되면 재검사가 완료된 해당 메모리의 수리를 시작하여, 상기 고장 셀의 개수 정보 및 위치 정보를 기반으로 고장이 발생한 메모리를 수리하기 위한 수리 방법을 결정하는 수리부;를 포함하고,상기 검사부는:재검사 시, 상기 위치 정보가 획득된 고장 셀의 개수가, 검사 시 획득된 해다 메모리 내 고장 셀의 개수와 일치하게 되면, 해당 메모리에 대한 재검사를 종료하는 반도체 칩
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제 18 항에 있어서,상기 수리부는, 상기 고장이 발생한 메모리를 수리하기 위한 수리 방법이 없는 경우, 상기 검사부로 메모리 수리 불가를 통보하고,상기 검사부는, 상기 메모리 수리 불가를 통보받으면, 상기 다수의 메모리에 대한 재검사를 종료하는 반도체 칩
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