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3차원 구조의 다결정 화합물 반도체 이미지센서용 포토다이오드 및 그 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015127746
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 3차원 구조의 다결정 화합물 반도체 이미지센서용 포토다이오드 및 그 제조 방법에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 빛의 수광 면적을 극대화시켜 광감응 효율을 크게 개선시킬 수 있고, 빛이 최초 입사되는 표면인 반도체 에피층에 메탈전극을 형성하여 역바이어스용 접지전극으로 사용할 수 있도록 한 3차원 구조의 다결정 화합물 반도체 이미지센서용 포토다이오드 및 그 제조 방법에 관한 것이다.이를 위해, 본 발명은 제1도전형(P형) 반도체기판와; 상기 제1도전형(P형) 반도체기판 위에 형성되며, 제2도전형(N형)의 불순물층으로 이루어진 신호전달영역과; 상기 신호전달영역과 이격 형성되며, 제2도전형(N형) 불순물층으로 이루어진 신호검출영역과; 상기 신호검출영역에 전기적으로 연결되는 복수의 메탈라인과; 상기 제1도전형(P형) 반도체기판 위에 형성되며, 상기 신호전달영역과 신호검출영역간에 전하를 전송하기 위하여 연결된 전달게이트와; 상기 신호전달영역 및 전달게이트, 신호검출영역를 포함하는 상기 제1도전형(P형) 반도체기판 위에 형성된 층간절연층과; 상기 신호전달영역에 연결되어 층간절연층에 내재되는 수직 메탈전극과, 이 수직 메탈전극으로부터 연장되면서 상기 층간절연층의 표면으로 노출되는 수평 형태의 최상위 메탈전극으로 이루어진 메탈전극과; 상기 최상위 메탈전극을 포함하는 층간절연층의 표면에 형성되며 P형과 N형 불순물을 주입하여 PN접합이 구현되는 포토다이오드 영역이 되는 다결정 실리콘 에피층 또는 다결정 화합물 반도체 에피층; 을 포함하여 구성된 것을 특징으로 하는 3차원 구조의 다결정 화합물 반도체 이미지센서용 포토다이오드 및 그 제조 방법을 제공한다.화합물 반도체, 이미지센서, 포토다이오드, 메탈전극, 다결정 화합물 반도체 에피층, 접지전극
Int. CL H01L 27/146 (2006.01)
CPC H01L 27/1461(2013.01) H01L 27/1461(2013.01) H01L 27/1461(2013.01) H01L 27/1461(2013.01) H01L 27/1461(2013.01)
출원번호/일자 1020070013618 (2007.02.09)
출원인 연세대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-0819743-0000 (2008.03.31)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20080408) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2007.02.09)
심사청구항수 4

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 연세대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 서대문구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 한건희 대한민국 서울 서대문구
2 김보경 대한민국 서울 서대문구
3 윤일구 대한민국 서울 강남구
4 명재민 대한민국 경기 고양시 일산동구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 이학수 대한민국 부산광역시 연제구 법원로 **, ****호(이학수특허법률사무소)
2 백남훈 대한민국 서울특별시 강남구 강남대로 ***, KTB네트워크빌딩**층 한라국제특허법률사무소 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 연세대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 서대문구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2007.02.09 수리 (Accepted) 1-1-2007-0121797-53
2 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.		 2007.03.07 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2007-0186724-98
3 서지사항보정서
Amendment to Bibliographic items		 2007.03.07 수리 (Accepted) 1-1-2007-5022683-41
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2007.12.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0689135-61
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2008.02.20 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2008-0124738-29
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2008.02.20 수리 (Accepted) 1-1-2008-0124739-75
7 등록결정서
Decision to grant		 2008.03.14 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0146824-10
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.12.15 수리 (Accepted) 4-1-2011-5252006-10
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2013-5062749-37
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.06.24 수리 (Accepted) 4-1-2013-5088566-87
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.09.25 수리 (Accepted) 4-1-2014-5114224-78
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
제1도전형(P형) 반도체기판(205)와;상기 제1도전형(P형) 반도체기판(205) 위에 형성되며, 제2도전형(N형)의 불순물층으로 이루어진 신호전달영역(206)과;상기 신호전달영역(206)과 이격 형성되며, 제2도전형(N형) 불순물층으로 이루어진 신호검출영역(208)과;상기 신호검출영역(208)에 전기적으로 연결되는 복수의 메탈라인(207)과;상기 제1도전형(P형) 반도체기판(205) 위에 형성되며, 상기 신호전달영역(206))과 신호검출영역(208))간에 전하를 전송하기 위하여 연결된 전달게이트(204)와;상기 신호전달영역(206) 및 전달게이트(204), 신호검출영역(208)을 포함하는 상기 제1도전형(P형) 반도체기판(204) 위에 형성된 층간절연층(210)과;상기 포토다이오드 영역(206)에 연결되어 층간절연층(210)에 내재되는 수직 메탈전극(211)과, 이 수직 메탈전극(211)으로부터 연장되면서 상기 층간절연층(210)의 표면으로 노출되는 수평 형태의 최상위 메탈전극(212)으로 이루어진 메탈전극(203)과;상기 최상위 메탈전극(212)을 포함하는 층간절연층(210)의 표면에 형성되며 P형과 N형 불순물을 주입하여 PN접합이 구현되어 포토다이오드 영역(209)이 되는 다결정 실리콘 에피층 또는 다결정 화합물 반도체 에피층(202); 을 포함하여 구성된 것을 특징으로 하는 3차원 구조의 다결정 화합물 반도체 이미지센서용 포토다이오드
2 2
청구항 1에 있어서, 상기 다결정 실리콘 에피층 또는 다결정 화합물 반도체 에피층(202)에는 역바이어스용 접지전극(201)을 형성하되, 상기 에피층(202) 의 면적범위에서 그 외곽쪽 위치에 복수의 역바이어스용 접지전극(201)을 이격되게 형성되는 것을 특징으로 하는 3차원 구조의 다결정 화합물 반도체 이미지센서용 포토다이오드
3 3
제1도전형(P형) 반도체기판(205) 위에 신호전달영역(206)이 되는 제2도전형(N형)의 불순물층과, 복수의 메탈라인(207)이 연결되는 신호검출영역(208)용 제2도전형(N형) 불순물층을 형성하는 단계와;상기 신호전달영역(206)과 신호검출영역(208)간에 전하를 전송하기 위한 게이트로 사용되는 전달게이트(204)를 형성하는 단계와;상기 신호전달영역(206) 및 전달게이트(204), 신호검출영역(208)을 포함하는 상기 제1도전형(P형) 반도체기판(205) 위쪽으로 메탈전극(203)을 포함하는 층간절연층(210)을 증착하는 단계와;상기 층간절연층(210)의 표면 및 이 표면으로 노출된 상기 메탈전극(203)의 최상위 메탈전극(212) 위에 다결정 실리콘 에피층 또는 다결정 화합물 반도체 에피층(202)이 형성되는 단계와;상기 다결정 화합물 반도체 에피층(202) 내부에 P형과 N형 불순물을 주입하여 다결정 화합물 반도체 에피층(202)의 PN접합을 구현하여 포토다이오드 영역(209)을 형성하는 단계;를 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 3차원 구조의 다결정 화합물 반도체 이미지센서용 포토다이오드 제조 방법
4 4
청구항 3에 있어서, 상기 다결정 실리콘 에피층 또는 다결정 화합물 반도체 에피층(202)에 역바이어스용 접지전극(201)을 형성하되, 상기 에피층(202)의 면적범위에서 그 외곽쪽 위치에 복수의 역바이어스용 접지전극(201)을 이격되게 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 3차원 구조의 다결정 화합물 반도체 이미지센서용 포토다이오드 제조 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.