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큐리 온도 조절이 가능한 저온 소성형 후막 유전재료 조성물 및 그 조성물을 포함하는 임베디드형 커패시터

  • 기술번호 : KST2015127749
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명에 따라서 커패시터용 후막 유전 재료 조성물이 제공되는데, 상기 조성물은 95 wt%의 BaTiO3와, 2~ 3 wt%의 플루오르화물(fluoride)과, 3~2 wt%의 유리 프릿(glass frit)으로 이루어지며, 상기 플루오르화물의 조성 비율에 따라 큐리 온도가 변화되는 것을 특징으로 한다.
Int. CL H01G 4/12 (2006.01) C04B 35/468 (2006.01)
CPC H01G 4/1227(2013.01) H01G 4/1227(2013.01) H01G 4/1227(2013.01) H01G 4/1227(2013.01)
출원번호/일자 1020100026084 (2010.03.24)
출원인 연세대학교 산학협력단, 삼성전기주식회사
등록번호/일자 10-1264184-0000 (2013.05.08)
공개번호/일자 10-2011-0106980 (2011.09.30) 문서열기
공고번호/일자 (20130514) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2010.03.24)
심사청구항수 5

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 연세대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 서대문구
2 삼성전기주식회사 대한민국 경기도 수원시 영통구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 조용수 대한민국 서울특별시 동작구
2 김병곤 대한민국 서울특별시 마포구
3 기성훈 대한민국 서울특별시 마포구
4 정태성 대한민국 경기도 화성
5 이승은 대한민국 경기도 성남시 분당구
6 신이나 대한민국 서울특별시 송파구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김승욱 대한민국 서울특별시 서초구 강남대로 ***, ***호(서초동, 두산베어스텔)(아이피마스터특허법률사무소)
2 이채형 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 **길 ** (대치동 동구빌딩 *층) Neo국제특허법률사무소

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 연세대학교 산학협력단 서울특별시 서대문구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2010.03.24 수리 (Accepted) 1-1-2010-0184919-30
2 [출원인변경]권리관계변경신고서
[Change of Applicant] Report on Change of Proprietary Status
2011.01.28 수리 (Accepted) 1-1-2011-0070818-77
3 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment
2011.01.28 수리 (Accepted) 1-1-2011-0069501-85
4 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2011.10.06 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
5 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2011.11.18 수리 (Accepted) 9-1-2011-0090136-69
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2011.12.08 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0728486-58
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2011.12.15 수리 (Accepted) 4-1-2011-5252006-10
8 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2012.02.07 수리 (Accepted) 1-1-2012-0098238-85
9 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2012.03.08 수리 (Accepted) 1-1-2012-0188253-04
10 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2012.04.06 수리 (Accepted) 1-1-2012-0274913-70
11 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2012.05.08 수리 (Accepted) 1-1-2012-0365042-29
12 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2012.06.08 수리 (Accepted) 1-1-2012-0455468-09
13 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2012.06.08 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2012-0455476-64
14 최후의견제출통지서
Notification of reason for final refusal
2012.10.22 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0627673-33
15 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2012.12.17 수리 (Accepted) 1-1-2012-1045793-06
16 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2012.12.17 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2012-1045801-84
17 등록결정서
Decision to grant
2013.04.16 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0256424-14
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2013.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2013-5062749-37
19 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2013.06.24 수리 (Accepted) 4-1-2013-5088566-87
20 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5050935-32
21 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.09.25 수리 (Accepted) 4-1-2014-5114224-78
22 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.09.25 수리 (Accepted) 4-1-2019-5200786-38
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
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5 5
커패시터용 후막 유전 재료 조성물로서,95 wt%의 BaTiO3와, 2~ 3 wt%의 플루오르화물(fluoride)과, 3~2 wt%의 유리 프릿(glass frit)으로 이루어지며, 상기 플루오르화물은 BaF2-ZnF2의 2종 플루오르화물 또는 LiF-ZnF2의 2종 플루오르화물로 이루어지고, 상기 2종의 플루오르화물의 상대 조성 비율에 따라 큐리 온도가 변화되며, 상기 플루오르화물에서 ZnF2의 비율이 커질수록 큐리 온도가 감소하는 것을 특징으로 하는 커패시터용 후막 유전 재료 조성물
6 6
청구항 5에 있어서, 상기 유리 프릿은 bismuth-boron-silicate 계열의 유리 프릿인 것을 특징으로 하는 커패시터용 후막 유전 재료 조성물
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큐리 온도를 변화시킬 수 있는 조성물을 포함하는 임베디드형 커패시터로서,하부 전극과;상기 하부 전극 상에 소정의 모양으로 패터닝된 유전 후막층으로서,상기 유전 후막층은 95 wt%의 BaTiO3와, 2~ 3 wt%의 플루오르화물(fluoride)과, 3~2 wt%의 유리 프릿(glass frit)으로 이루어지며, 상기 플루오르화물은 BaF2-ZnF2의 2종 플루오르화물 또는 LiF-ZnF2의 2종 플루오르화물인 것인, 상기 유전 후막층과,상기 후막 유전체 상에 형성된 상부 전극과;상기 하부 전극의 밑면 및 상기 상부 전극의 상면에 형성된 PCB 기판과;상기 PCB 기판을 관통하여 상기 각 전극에 이르는 비아 홀을 포함하고,상기 유전 후막층은 그 층에 포함되는 2종 플루오르화물의 상대 비율에 따라 상이한 큐리 온도를 나타내고,상기 유전 후막층은 그 층에 포함되는 2종 플루오르화물에서 ZnF2의 비율이 커질수록 더 낮은 큐리 온도를 나타내는 것을 특징으로 하는 임베디드형 커패시터
10 10
청구항 9에 있어서, 상기 유리 프릿은 bismuth-boron-silicate 계열의 유리 프릿인 것을 특징으로 하는 임베디드형 커패시터
11 11
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12 12
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13 13
청구항 9 또는 청구항 10에 있어서, 상기 하부 전극과 상부 전극은 구리로 이루어지고, 상기 PCB 기판은 FR4로 이루어지는 것을 특징으로 하는 임베디드형 커패시터
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 지식경제부 연세대학교산학협력단 부품소재기술개발 Cu-PCB용 고정전용량/고파괴전압 유전체 개발 연구(2차년도)