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투명 기판;투명 기판 상에 형성된 금속 나노와이어; 금속 나노와이어에 코팅된 전도성 고분자층; 및 금속 나노와이어 및 전도성 고분자층 사이에 형성된 보호층을 포함하며,계면 전기용량은 0
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제 1 항에 있어서,금속 나노와이어는 은, 금, 구리, 아연 및 주석으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1 종 이상을 함유하는 것을 특징으로 하는 슈퍼 커패시터용 전극
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제 1 항에 있어서,금속 나노와이어는평균 직경은 0
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제 1 항에 있어서,전도성 고분자층은 폴리(3,4-에틸렌디옥시티오펜):폴리스티렌설폰산, 폴리피롤:폴리스티렌설폰산, 폴리티오펜:폴리스티렌설폰산 및 폴리아닐린:폴리스티렌설폰산으로 이루어진 그룹으로부터 선택되는 1 종 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 슈퍼 커패시터용 전극
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제 1 항에 있어서,보호층은 전도성 유화제와 알코올성 고분자간의 그라프트 공중합체를 포함하는 것을 특징으로 하는 슈퍼 커패시터용 전극
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제 1 항에 있어서,보호층은 하기 화학식 1 또는 2로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 슈퍼 커패시터용 전극:[화학식 1][화학식 2]상기 화학식 1 및 2에서,R1은 4-톨루엔설폰산, 1-나프탈렌설폰산, 도데실벤젠설폰산, 폴리비닐설폰산 및 폴리스티렌설폰산 중 1 종 이상을 포함하는 분자량 100 내지 1,000,000의 고분자 물질이고,R2는 폴리아크릴산 및 폴리메타크릴산 중 1 종 이상을 포함하는 분자량 100 내지 1,000,000의 고분자 물질이고,R3은 에테르를 포함하는 분자량 100 내지 1,000,000의 고분자 물질이고,R4는 폴리(에틸렌글리콜)메틸에테르, 폴리(프로필렌글리콜)아크릴레이트, 폴리(프로필렌글리콜)메타크릴레이트, 폴리(프로필렌글리콜)모노부틸에테르 및 폴리(프로필렌글리콜)모노옥틸에테르 중 1 종 이상이다
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투명 기판 상에 금속 나노와이어를 형성하여 집전체를 형성하는 단계; 집전체 상에 보호층을 형성하는 단계; 및보호층 상에 전도성 고분자 및 유화제를 포함하는 용액을 이용하여 전도성 고분자층을 형성하는 단계를 포함하는 슈퍼 커패시터용 전극의 제조방법
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제 7 항에 있어서,보호층 상에 전도성 고분자 및 유화제를 포함하는 용액을 이용하여 전도성 고분자층을 형성하는 단계에서,용액은 도펀트를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 슈퍼 커패시터용 전극의 제조방법
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제 7 항에 있어서,보호층 상에 전도성 고분자 및 유화제를 포함하는 용액을 이용하여 전도성 고분자층을 형성하는 단계 이후에,금속 나노와이어, 보호층 및 전도성 고분자층이 형성된 투명 기판을 친수성 용매에 침지시키는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 슈퍼 커패시터용 전극의 제조방법
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제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 따른 슈퍼 커패시터용 전극을 포함하는 슈퍼 커패시터
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