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투명 기판,상기 투명 기판 위에 위치하는 차광 패턴층,상기 차광 패턴층 위에 위치하고 적어도 한 종류의 유전 물질을 포함하는 제1 유전체층, 그리고상기 제1 유전체층 위에 위치하고 적어도 한 종류의 금속을 포함하는 음굴절률층을 포함하고,상기 차광 패턴층은 상기 투명 기판을 덮지 않는 공간을 정의하는 인접한 차광 패턴들을 포함하고,상기 제1 유전체층은 상기 인접한 차광 패턴들 사이에서 상기 투명 기판과 접촉하고,노광기 광원의 파장대의 적어도 일부에 대해 표면 플라즈몬의 콰지 바운드 모드(quasi-bound mode)를 사용하여 노광할 수 있는노광용 포토마스크
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제1항에서,상기 음굴절률층은 두 종류 이상의 금속 혼합물을 포함하는 노광용 포토마스크
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제2항에서,상기 두 종류 이상의 금속의 플라즈마 주파수는 서로 다른 노광용 포토마스크
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제3항에서,상기 광원의 파장대는 365nm 내지 436nm을 포함하는 노광용 포토마스크
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제4항에서,상기 음굴절률층 위에 위치하며 적어도 한 종류의 유전 물질을 포함하는 제2 유전체층을 더 포함하는 노광용 포토마스크
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제5항에서,상기 제1 유전체층 및 상기 제2 유전체층 중 적어도 하나의 유전율은 4 이상인 노광용 포토마스크
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제1항에서,상기 음굴절률층은 유전 물질을 더 포함하는 노광용 포토마스크
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제7항에서,상기 음굴절률층에서 상기 금속이 차지하는 부피비는 0
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제8항에서,상기 광원의 파장대는 365nm 내지 436nm을 포함하는 노광용 포토마스크
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제9항에서,상기 음굴절률층 위에 위치하며 적어도 한 종류의 유전 물질을 포함하는 제2 유전체층을 더 포함하는 노광용 포토마스크
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제10항에서,상기 제1 유전체층 및 상기 제2 유전체층 중 적어도 하나의 유전율은 4 이상인 노광용 포토마스크
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제1항에서,상기 제1 유전체층의 유전율은 4 이상인 노광용 포토마스크
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제12항에서,상기 광원의 파장대는 365nm 내지 436nm을 포함하는 노광용 포토마스크
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제13항에서,상기 음굴절률층 위에 위치하며 적어도 한 종류의 유전 물질을 포함하는 제2 유전체층을 더 포함하는 노광용 포토마스크
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제14항에서,상기 제2 유전체층의 유전율은 4 이상인 노광용 포토마스크
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제1항에서,상기 광원의 파장대는 365nm 내지 436nm을 포함하는 노광용 포토마스크
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감광막이 도포된 대상 기판과 노광기 사이에 노광용 포토마스크를 위치시키는 단계, 그리고상기 노광기의 광원의 빛을 상기 노광용 포토마스크를 통해 상기 감광막 위로 조사하는 단계를 포함하고,상기 노광용 포토마스크는투명 기판,상기 투명 기판 위에 위치하는 차광 패턴층,상기 차광 패턴층 위에 위치하고 적어도 한 종류의 유전 물질을 포함하며 상기 차광 패턴층이 포함하는 차광 패턴에 의해 덮이지 않은 상기 투명 기판 위에 직접 위치하는 부분을 포함하는 제1 유전체층, 그리고상기 제1 유전체층 위에 위치하고 적어도 한 종류의 금속을 포함하는 음굴절률층을 포함하고,노광기 광원의 파장대의 적어도 일부에 대해 표면 플라즈몬의 콰지 바운드 모드(quasi-bound mode)를 사용하여 노광할 수 있는노광용 포토마스크를 이용한 패턴 형성 방법
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제17항에서,상기 음굴절률층은 두 종류 이상의 금속 혼합물을 포함하는 노광용 포토마스크를 이용한 패턴 형성 방법
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제17항에서,상기 음굴절률층은 유전 물질을 더 포함하는 노광용 포토마스크를 이용한 패턴 형성 방법
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제17항에서,상기 제1 유전체층의 유전율은 4 이상인 노광용 포토마스크를 이용한 패턴 형성 방법
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