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원자층 증착법으로 증착된 금속 산화물을 이용한 금속 황화물의 입체 구조 형성 방법

  • 기술번호 : KST2015127792
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 원자층 증착법을 이용하여 입체 형상 위에 금속 산화물을 증착하는 단계, 증착된 금속 산화물을 황화시켜 입체 형상에 대응하는 금속 황화물을 합성하는 단계를 포함하는 금속 황화물 입체 구조 형성 방법에 관한 것이다.
Int. CL C23C 16/455 (2006.01) C23C 16/448 (2006.01)
CPC C23C 16/45525(2013.01) C23C 16/45525(2013.01) C23C 16/45525(2013.01) C23C 16/45525(2013.01)
출원번호/일자 1020140006786 (2014.01.20)
출원인 연세대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1503733-0000 (2015.03.12)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20150319) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2014.01.20)
심사청구항수 15

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 연세대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 서대문구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김형준 대한민국 서울 영등포구
2 박주상 대한민국 서울 서대문구
3 송정규 대한민국 서울 서대문구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 권혁수 대한민국 서울특별시 강남구 언주로 ***, *층(삼일빌딩, 역삼동)(KS고려국제특허법률사무소)
2 송윤호 대한민국 서울특별시 강남구 언주로 *** (역삼동) *층(삼일빌딩)(케이에스고려국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 연세대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 서대문구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2014.01.20 수리 (Accepted) 1-1-2014-0057322-97
2 [우선심사신청]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Preferential Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)		 2014.04.22 수리 (Accepted) 1-1-2014-0380558-42
3 [우선심사신청]선행기술조사의뢰서
[Request for Preferential Examination] Request for Prior Art Search		 2014.04.25 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 [우선심사신청]선행기술조사보고서
[Request for Preferential Examination] Report of Prior Art Search		 2014.04.30 수리 (Accepted) 9-1-2014-0034477-24
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2014.05.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0369769-12
6 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2014.07.28 수리 (Accepted) 1-1-2014-0710226-07
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2014.08.28 수리 (Accepted) 1-1-2014-0822345-70
8 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2014.08.28 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2014-0822347-61
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.09.25 수리 (Accepted) 4-1-2014-5114224-78
10 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2014.09.29 수리 (Accepted) 1-1-2014-0928050-69
11 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2014.11.06 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0762792-15
12 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2015.01.06 수리 (Accepted) 1-1-2015-0011241-65
13 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2015.01.06 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2015-0011242-11
14 [대리인사임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Resignation of Agent] Report on Agent (Representative)		 2015.01.20 수리 (Accepted) 1-1-2015-0060422-60
15 등록결정서
Decision to grant		 2015.01.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0066427-74
16 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2015.07.21 수리 (Accepted) 1-1-2015-0707687-94
17 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2015.07.30 수리 (Accepted) 1-1-2015-0743546-09
18 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2015.08.13 수리 (Accepted) 1-1-2015-0788401-86
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
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원자층 증착법을 이용하여 실리콘 나노선 위에 금속 산화물을 증착하는 단계;증착된 상기 금속 산화물을 황화시켜 금속 황화물을 합성하는 단계; 및상기 실리콘 나노선을 제거하는 단계;를 포함하는 금속 황화물 나노 튜브 제조 방법
6 6
제5항에 있어서,상기 금속 산화물을 증착하는 단계에 앞서,상기 실리콘 나노선을 산소 분위기에서 열처리하여 실리콘 옥사이드 층을 형성하는 단계;를 더 포함하는 금속 황화물 나노 튜브 제조 방법
7 7
제6항에 있어서,상기 실리콘 옥사이드 층을 형성하는 단계는산소 분위기에서 800~1000℃로 30~90분 동안 열처리하여 수행되는 금속 황화물 나노 튜브 제조 방법
8 8
제5항에 있어서,상기 금속 산화물을 증착하는 단계는금속 소스로서 금속 유기 전구체 가스 비스이소프로필시클로펜타디에닐텅스텐디하이드라이드(WH2(iPrCp)2), W(CO)6, 또는 Mo(CO)6 를 이용하고, 산소 소스로서 물, 오존, 산소 플라즈마를 이용하는 금속 황화물 나노 튜브 제조 방법
9 9
제5항에 있어서,상기 금속 황화물을 합성하는 단계는제1 온도로 열처리하는 제1 열처리 단계; 그리고,상기 제1 온도보다 높은 제2 온도로 열처리하는 제2 열처리 단계를 포함하는 금속 황화물 나노 튜브 제조 방법
10 10
제9항에 있어서,상기 제2 열처리 단계 후에 비활성 분위기에서 냉각시키는 단계를 더 포함하는 금속 황화물 나노 튜브 제조 방법
11 11
제9항 또는 제10항 있어서,상기 제1 열처리 단계는 수소와 비활성 가스 분위기에서 실시되고,상기 제2 열처리 단계는 황화수소와 비활성 가스 분위기에서 실시되는 금속 황화물 나노 튜브 제조 방법
12 12
제11항에 있어서,상기 제1 열처리 단계는, 상기 제1 온도인 300~500℃에서 30~60분 동안 진행되는 금속 황화물 나노 튜브 제조 방법
13 13
제11항에 있어서,상기 제2 열처리 단계는, 상기 제2 온도인 700~1000℃에서 30~60분 진행되는 금속 황화물 나노 튜브 제조 방법
14 14
제5항에 있어서,상기 실리콘 나노선을 제거하는 단계는,상기 실리콘 나노선에 불화수소(HF)를 처리하여 상기 실리콘 나노선과 상기 실리콘 옥사이드 층을 에칭하여 수행되는 금속 황화물 나노 튜브 제조 방법
15 15
제14항의 방법에 의해 제조된 금속 황화물 나노 튜브
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원자층 증착법을 이용하여 실리콘 나노선 위에 텅스텐 산화물을 증착하는 단계;증착된 상기 텅스텐 산화물을 황화시켜 텅스텐 황화물을 합성하는 단계; 및상기 실리콘 나노선을 제거하는 단계;를 포함하는 텅스텐 황화물 나노 튜브 제조 방법
17 17
제16항에 있어서,상기 텅스텐 황화물을 합성하는 단계는수소와 아르곤 가스 분위기에서 제1온도로 열처리 하는 단계; 그리고, 황화수소와 아르곤 가스 분위기에서 상기 제1 온도보다 높은 제2온도로 열처리 하는 단계를 포함하는텅스텐 황화물 나노 튜브 제조 방법
18 18
제17항에 있어서,상기 제1 열처리 단계에서 수소 가스 및 비활성 가스를 각각 10~30sccm으로 공급되고, 상기 제1 열처리 단계는 300~500℃에서 30분 내지 90분 수행되는 텅스텐 황화물 나노 튜브 제조 방법
19 19
제17항 또는 제18항에 있어서,상기 제2 열처리 단계에서 황화수소는 5~30sccm으로 비활성 가스는 30~50sccm으로 공급되고, 상기 제2 열처리 단계는 700~1000℃에서 30~60분 수행되는 텅스텐 황화물 나노 튜브 제조 방법
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