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아연을 함유하는 제1 화합물,인듐을 함유하는 제2 화합물, 그리고마그네슘을 함유하는 제3 화합물을 포함하고,상기 아연과 상기 마그네슘의 원자수 비율은 1:0
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제1항에서,상기 아연과 상기 인듐의 원자수 비율은 1:10 내지 10:1인 산화물 박막 형성용 용액 조성물
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제1항에서,상기 아연과 상기 인듐의 원자수 비율은 1:5 내지 5:1인 산화물 박막 형성용 용액 조성물
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제1항에서,상기 아연과 상기 인듐의 원자수 비율은 1:10 내지 1:1인 산화물 박막 형성용 용액 조성물
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제1항에서,상기 아연과 상기 인듐의 원자수 비율은 1:5 내지 1:1인 산화물 박막 형성용 용액 조성물
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제1항에서,상기 제3 화합물은 마그네슘 아세테이트(magnesium acetate), 마그네슘 클로라이드(magnesium chloride), 마그네슘 나이트레이트(magnesium nitrate), 마그네슘 설페이트(magnesium sulfate) 및 이들의 수화물에서 선택된 적어도 하나를 포함하는 산화물 박막 형성용 용액 조성물
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제7항에서,상기 제1 화합물은 아연 히드록사이드, 아연 알콕사이드, 아연 시트레이트, 아연 아세테이트, 아연 카보네이트, 아연 (메타)아크릴레이트, 아연 나이트레이트, 아연 아세틸아세토네이트, 아연 할라이드, 아연 티오카바메이트, 아연 설포네이트, 아연 운데실레이트, 아연 포스페이트, 아연 보레이트 및 이들의 수화물에서 선택된 적어도 하나를 포함하고, 상기 제2 화합물은 인듐 히드록사이드, 인듐 알콕시드, 인듐 시트레이트, 인듐 아세테이트, 인듐 카보네이트, 인듐 (메타)아크릴레이트, 인듐 나이트레이트, 인듐 아세틸아세토네이트, 인듐 할라이드, 인듐 티오카바메이트, 인듐 설포네이트, 인듐 운데실레이트, 인듐 보레이트 및 이들의 수화물에서 선택된 적어도 하나를 포함하는 산화물 박막 형성용 용액 조성물
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제8항에서,상기 제1 화합물은 아연 아세테이트 수화물을 포함하고, 상기 제2 화합물은 인듐 나이트레이트 수화물을 포함하는 산화물 박막 형성용 용액 조성물
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제1항에서,알코올 아민 화합물, 알킬 암모늄 하이드록시 화합물, 알킬 아민 화합물, 케톤 화합물, 산 화합물, 염기 화합물 및 탈이온수에서 선택된 적어도 하나를 더 포함하는 산화물 박막 형성용 용액 조성물
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아연, 인듐 및 마그네슘을 포함하고 상기 아연과 상기 마그네슘의 원자수 비율이 1:0
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제11항에서,상기 산화물 반도체는 상기 아연과 상기 인듐의 원자수 비율이 1:10 내지 10:1인 전자 소자
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제11항에서,상기 산화물 반도체는 상기 아연과 상기 인듐의 원자수 비율이 1:5 내지 5:1인 전자 소자
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제11항에서,상기 산화물 반도체는 상기 아연과 상기 인듐의 원자수 비율이 1:10 내지 1:1인 전자 소자
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제11항에서,상기 산화물 반도체는 상기 아연과 상기 인듐의 원자수 비율이 1:5 내지 1:1인 전자 소자
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제11항에서,상기 전자 소자는 박막 트랜지스터이고,상기 박막 트랜지스터는상기 산화물 반도체와 중첩하는 게이트 전극,상기 산화물 반도체와 전기적으로 연결되어 있는 소스 전극, 그리고상기 산화물 반도체와 전기적으로 연결되어 있으며 상기 소스 전극과 마주하는 드레인 전극을 더 포함하는전자 소자
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