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파릴렌 박막 형성 장치 및 상기 파릴렌 박막 형성 장치를 이용한 파릴렌 박막 형성 방법

  • 기술번호 : KST2015127839
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 파릴렌 박막 형성 장치, 더욱 구체적으로 파릴렌 모노머를 기화, 열분해 및 중합 단계를 거쳐 파릴렌 박막을 형성하는 파릴렌 박막 형성 장치 및 상기 파릴렌 박막 형성 장치를 이용하여 파릴렌 박막을 형성하는 방법에 관한 발명이다. 본 발명에 따른 파릴렌 박막 형성 방법은: 파릴렌 다이머를 파릴렌을 기화시키는 제 1 단계, 상기 기화된 파릴레 다이머를 열분해하여 중간 생성물을 형성하는 제 2 단계, 및 상기 중간생성물을 증착 챔버 내부로 도입하여, 상기 증착 챔버 내부에 형성된 기판 위에 파릴렌 박막을 증착시키면서, 상기 증착 챔버 내부에 형성된 QCM 센서의 공진 주파수를 측정하여, 상기 QCM 센서의 공진 주파수가 사전에 결정된 주파수에 도달하면 상기 파릴렌 막막의 증착을 중단시키는 제 3 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.
Int. CL C23C 14/12 (2006.01) C23C 16/44 (2006.01) C08J 5/18 (2006.01)
CPC C23C 16/44(2013.01) C23C 16/44(2013.01) C23C 16/44(2013.01) C23C 16/44(2013.01) C23C 16/44(2013.01) C23C 16/44(2013.01)
출원번호/일자 1020110105695 (2011.10.17)
출원인 연세대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2013-0041454 (2013.04.25) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호 1020130152123;
심사청구여부/일자 Y (2011.10.17)
심사청구항수 7

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 연세대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 서대문구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 변재철 대한민국 서울특별시 서대문구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김승욱 대한민국 서울특별시 서초구 강남대로 ***, ***호(서초동, 두산베어스텔)(아이피마스터특허법률사무소)
2 이채형 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 **길 ** (대치동 동구빌딩 *층) Neo국제특허법률사무소

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2011.10.17 수리 (Accepted) 1-1-2011-0807131-06
2 보정요구서
Request for Amendment		 2011.10.18 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2011-0095708-76
3 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2011.10.19 수리 (Accepted) 1-1-2011-0815444-13
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.12.15 수리 (Accepted) 4-1-2011-5252006-10
5 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2012.01.03 수리 (Accepted) 1-1-2012-0004316-12
6 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2012.11.29 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
7 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2012.12.26 수리 (Accepted) 9-1-2012-0096041-05
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2013-5062749-37
9 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2013.05.10 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0321474-01
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.06.24 수리 (Accepted) 4-1-2013-5088566-87
11 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2013.07.08 수리 (Accepted) 1-1-2013-0611068-00
12 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2013.08.07 수리 (Accepted) 1-1-2013-0714802-44
13 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2013.10.08 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0693501-15
14 [법정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Extension of Legal Period] Request for Extension of Period (Reduction, Expiry Reconsideration)		 2013.11.08 수리 (Accepted) 7-1-2013-0043921-14
15 [명세서등 보정]보정서(재심사)
Amendment to Description, etc(Reexamination)		 2013.12.09 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2013-1123379-59
16 [분할출원]특허출원서
[Divisional Application] Patent Application		 2013.12.09 수리 (Accepted) 1-1-2013-1123397-71
17 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2014.01.15 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0030743-75
18 [법정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Extension of Legal Period] Request for Extension of Period (Reduction, Expiry Reconsideration)		 2014.02.04 수리 (Accepted) 7-1-2014-0004248-70
19 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.09.25 수리 (Accepted) 4-1-2014-5114224-78
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
파릴렌 모노머를 기화시키는 기화부와, 상기 기화된 파릴렌 다이머 기체를 열분해하는 열분해부와, 상기 열분해된 중간 생성물을 기판에 증착시켜 파릴렌 박막을 형성하는 증착 챔버를 포함하고,상기 증착 챔버는 상기 증착 챔버 내부에 형성되는 QCM(Quartz Crystal Microbalance) 센서를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 파릴렌 박막 형성 장치
2 2
청구항 1에 있어서, 상기 파릴렌 박막 형성 장치는 상기 QCM 센서의 공진 주파수값을 실시간으로 모니터링 할 수 있는 모니터링 수단을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 파릴렌 박막 형성 장치
3 3
청구항 1 또는 청구항 2에 있어서, 상기 기화부는 복수로 형성되는 것을 특징으로 하는 파릴렌 박막 형성 장치
4 4
파릴렌 다이머를 파릴렌을 기화시키는 제 1 단계, 상기 기화된 파릴레 다이머를 열분해하여 중간 생성물을 형성하는 제 2 단계, 상기 중간생성물을 증착 챔버 내부로 도입하여, 상기 증착 챔버 내부에 형성된 기판 위에 파릴렌 박막을 증착시키면서, 상기 증착 챔버 내부에 형성된 QCM 센서의 공진 주파수를 측정하여, 상기 QCM 센서의 공진 주파수가 사전에 결정된 주파수에 도달하면 상기 파릴렌 박막의 증착을 중단시키는 제 3 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 파릴렌 박막 형성 방법
5 5
청구항 4에 있어서, 상기 제 1 단계에서 파릴렌 다이머는 140℃ 내지 180℃의 온도에서 기화시키는 것을 특징으로 하는 파릴렌 박막 형성 방법
6 6
청구항 4에 있어서, 상기 제 2 단계에서 상기 열분해는 600℃ 이상의 온도에서 진행되는 것을 특징으로 하는 파릴렌 박막 형성 방법
7 7
청구항 4에 있어서, 또한, 상기 제 2 단계에서 형성된 중간 생성물은 고반응성 p-자일렌 라디칼인 것을 특징으로 하는 파릴렌 박막 형성 방법
8 8
청구항 4 내지 청구항 7 중 어느 한 항에 있어서, 상기 파릴렌 박막의 증착을 중간시키기 위한 주파수의 결정은 다음의 수학식을 이용하여 계산되는 것을 특징으로 하는 파릴렌 박막 형성 방법
지정국 정보가 없습니다
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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 KR1020140009951 KR 대한민국 FAMILY

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
DOCDB 패밀리 정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 서울특별시 연세대학교 산학협력단 서울시 산학연 협력사업(2011년 중소기업 제품개선 지원사업) 상온 플라스마 기반 파릴렌 증착기 개발