맞춤기술찾기

홈으로 가기
맞춤기술찾기
이전대상기술
프린트하기

이전대상기술

질화크롬을이용한다이아몬드증착방법

  • 기술번호 : KST2015127976
  • 담당센터 : 부산기술혁신센터
  • 전화번호 : 051-606-6561
상담신청 PDF 받기
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 다이아몬드의 증착시 모재와의 밀착력을 향상시키기 위한 방법에 관한 것으로서 보다 상세하게는 모재의 표면에 크롬층을 형성시키는 단계와, 상기 크롬층을 질소와 반응시켜 질화크롬층으로 형성시키는 단계와, 상기 질화크롬층에 다이아몬드를 증착하는 단계로 이루어지는 것을 특징으로 하는 질화크롬을 이용한 다이아몬드 증착 방법에 관한 것이다.또한, 상기 질화크롬층의 두께는 0.3∼100㎛로 하고, 상기 크롬층의 형성은 전기분해법, 진공증착법, 스퍼터링법, 이온플레이팅법 등을 사용하며, 상기 질화크롬층의 형성은 가스질화법, 플라즈마 질화법, 염욕질화법을 사용하여 이루어지고, 상기 다이아몬드의 증착은 열필라멘트 법이나 플라즈마 분해법에 의해 이루어지는 것을 그 특징으로 한다.상기와 같은 본 발명에 의해 다이아몬드와 유사한 열팽창계수값을 갖는 질화크론을 일반탄소강, 공구강, 합금강 등의 모재와 다이아몬드 박막 사이에 중간층으로 형성시켜, 산업분야에서 직접 사용할 수 있는 밀착력을 갖는 다이아몬드 박막층을 형성시키므로써 향후 다이아몬드 박막의 산업적 응용에 크게 기여할 것으로 기대된다.
Int. CL C23C 14/06 (2006.01)
CPC C23C 28/343(2013.01) C23C 28/343(2013.01) C23C 28/343(2013.01) C23C 28/343(2013.01)
출원번호/일자 1019980020645 (1998.06.03)
출원인 한국기계연구원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2000-0000793 (2000.01.15) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1998.06.03)
심사청구항수 3

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 한국기계연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 이건환 대한민국 경기도 평택시
2 권식철 대한민국 경상남도 창원시
3 에이.호프만 이스라엘 이스라엘 하이파 **

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 홍성철 대한민국 서울특별시 금천구 가산디지털*로 ***, 에이스하이-엔드타워*제*층 ***호 홍익국제특허법률사무소 (가산동)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
최종권리자 정보가 없습니다
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1998.06.03 수리 (Accepted) 1-1-1998-0065143-97
2 특허출원서
Patent Application		 1998.06.03 수리 (Accepted) 1-1-1998-0065142-41
3 출원심사청구서
Request for Examination		 1998.06.03 수리 (Accepted) 1-1-1998-0065144-32
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.01.29 수리 (Accepted) 4-1-1999-0023978-02
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.06.21 수리 (Accepted) 4-1-1999-0085495-93
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.07.21 수리 (Accepted) 4-1-1999-0097569-09
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.09.07 수리 (Accepted) 4-1-1999-0115150-06
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.09.07 수리 (Accepted) 4-1-1999-0115145-77
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2000.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2000-0013536-94
10 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2000.04.06 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2000-0075969-80
11 지정기간연장신청서
Request for Extension of Designated Period		 2000.06.05 수리 (Accepted) 1-1-2000-5163314-85
12 의견서
Written Opinion		 2000.07.05 수리 (Accepted) 1-1-2000-5204052-13
13 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.		 2000.07.05 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2000-5204053-69
14 거절사정서
Decision to Refuse a Patent		 2000.09.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2000-0242154-60
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2001.03.03 수리 (Accepted) 4-1-2001-0023554-29
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2005.01.21 수리 (Accepted) 4-1-2005-0002690-32
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.04.08 수리 (Accepted) 4-1-2011-5069919-31
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.04.08 수리 (Accepted) 4-1-2011-5069914-14
19 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2017.11.28 수리 (Accepted) 4-1-2017-5193093-72
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1

모재의 표면에 크롬층을 형성시키는 단계와,

상기 크롬층을 질소와 반응시켜 질화크롬층으로 형성시키는 단계와,

상기 질화크롬층에 다이아몬드를 증착하는 단계로 이루어지는 것을 특징으로 하는 질화크롬을 이용한 다이아몬드 증착 방법

2 2

제 1항에 있어서,

상기 질화크롬층의 두께는 0

3 3

제 1항에 있어서,

상기 크롬층의 형성은 전기분해법, 진공증착법, 스퍼터링법, 이온플레이팅법 등을 사용하고, 상기 질화크롬층의 형성은 가스질화법, 플라즈마 질화법, 염욕질화법을 사용하여 이루어지며, 상기 다이아몬드의 증착은 열필라멘트 법이나 플라즈마 분해법에 의해 이루어지는 것을 특징으로 하는 질화크롬을 이용한 다이아몬드 증착 방법

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.