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BI2-XPBYSR2CA2.2CU3OZ/MGO고온초전도체와그제조방법

  • 기술번호 : KST2015128042
  • 담당센터 : 부산기술혁신센터
  • 전화번호 : 051-606-6561
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 Bi2-xPbySr2Ca2.2Cu3Oz/MgO 고온 초전도체와 그 제조방법에 관한 것으로서, Bi-2223 기재내 MgO입자가 분산되어 있는 조성 : Bi2-xPbySr2Ca2.2Cu3Oz+(2∼30vol%)MgO (x,y=0.2∼0.4)이 조성됨을 특징으로 하는 Bi-2223고온 초전도체와 그 제조방법.
Int. CL C04B 35/475 (2006.01)
CPC C04B 35/4525(2013.01) C04B 35/4525(2013.01) C04B 35/4525(2013.01) C04B 35/4525(2013.01)
출원번호/일자 1019950002157 (1995.02.07)
출원인 한국기계연구원
등록번호/일자 10-0126995-0000 (1997.10.17)
공개번호/일자 10-1996-0031392 (1996.09.17) 문서열기
공고번호/일자 1019970010352 (19970625) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1995.02.07)
심사청구항수 2

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국기계연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 고재웅 대한민국 경남창원시
2 김해두 대한민국 경남창원시
3 정형식 대한민국 경남창원시

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김경식 대한민국 서울특별시 서초구 서초대로 ***, *층 (서초동, 모인터빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국기계연구원 대한민국 대전광역시유성구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1995.02.07 수리 (Accepted) 1-1-1995-0009762-22
2 특허출원서
Patent Application		 1995.02.07 수리 (Accepted) 1-1-1995-0009761-87
3 출원심사청구서
Request for Examination		 1995.02.07 수리 (Accepted) 1-1-1995-0009763-78
4 출원공고결정서
Written decision on publication of examined application		 1997.05.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1995-0004884-15
5 등록사정서
Decision to grant		 1997.09.08 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1995-0004885-61
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.01.29 수리 (Accepted) 4-1-1999-0023978-02
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.06.21 수리 (Accepted) 4-1-1999-0085495-93
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.07.21 수리 (Accepted) 4-1-1999-0097569-09
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.09.07 수리 (Accepted) 4-1-1999-0115150-06
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.09.07 수리 (Accepted) 4-1-1999-0115145-77
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2000.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2000-0013536-94
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2001.03.03 수리 (Accepted) 4-1-2001-0023554-29
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2005.01.21 수리 (Accepted) 4-1-2005-0002690-32
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.04.08 수리 (Accepted) 4-1-2011-5069919-31
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.04.08 수리 (Accepted) 4-1-2011-5069914-14
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2017.11.28 수리 (Accepted) 4-1-2017-5193093-72
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1

Bi-2223기지내에서 MgO가 분산되어 있는 조성 : Bi2-xPbySr2Ca2

2 2

합성된 Bi-2223 전구물질(Precursor)분말에 MgO 혹은 Mg염(salts)을 2-30vol% 첨가하여 혼합후 830-850℃의 범위에서 열처리함으로서 열화되지 않는 Bi-2223/MgO초전도체를 제조하는 것을 특징으로 하는 Bi-2223고온 초전도체의 제조방법

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.