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나노구조형 ＴａＣ- 천이금속계 복합분말 제조방법

  • 기술번호 : KST2015128186
  • 담당센터 : 부산기술혁신센터
  • 전화번호 : 051-606-6561
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 나노구조형 TaC- 천이금속계 복합분말의 제조방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 TaC- 천이금속계 복합분말의 제조방법은, 먼저 Ta 염화물염 또는 Ta옥살산과 천이금속이 함유된 수용성 염을 물이나 유기용매에 분산시키거나 용해후 교반한다. 이 교반된 혼합원료를 분무건조하여 전구체 분말을 얻는 다음, 상기 전구체 분말을 하소열처리하여 초미립 Ta- 천이금속 복합산화물 분말을 만든다. 그 후, 상기 초미립 Ta- 천이금속 복합산화물 분말에 나노크기의 탄소입자를 혼합한 후, 이를 건조된 복합산화물 분말을 비산화성 분위기에서 1000℃ 내지 1350℃ 사이의 온도로 환원/침탄 열처리한다.이렇게 제조된 초미립 TaC- 천이금속 복합분말은 기존의 방법으로 얻는 것보다 미세한 TaC가 함유되어 있다. TaC, 천이금속, 초미립, 나노, 절삭공구
Int. CL B82Y 30/00 (2011.01) B22F 9/16 (2011.01)
CPC
출원번호/일자 1020030028766 (2003.05.07)
출원인 한국기계연구원, 주식회사 나노테크
등록번호/일자 10-0536062-0000 (2005.12.06)
공개번호/일자 10-2004-0095995 (2004.11.16) 문서열기
공고번호/일자 (20051212) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2003.05.07)
심사청구항수 4

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국기계연구원 대한민국 대전광역시 유성구
2 주식회사 나노테크 대한민국 충청북도 청원군

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김병기 대한민국 부산광역시동래구
2 홍성현 대한민국 경상남도창원시가음동*
3 우용원 대한민국 경기도성남시분당구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인원전 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 ***, 풍림빌딩 *층 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 주식회사 나노테크 대한민국 충청북도 청원군
2 한국기계연구원 대한민국 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2003.05.07 수리 (Accepted) 1-1-2003-0162285-45
2 전자문서첨부서류제출서
Submission of Attachment to Electronic Document		 2003.05.09 수리 (Accepted) 1-1-2003-5090333-66
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2004.11.15 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2004.12.16 수리 (Accepted) 9-1-2004-0076555-15
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2005.01.21 수리 (Accepted) 4-1-2005-0002690-32
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2005.04.19 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2005-0175642-62
7 의견서
Written Opinion		 2005.06.20 수리 (Accepted) 1-1-2005-0324643-12
8 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.		 2005.06.20 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2005-0324642-77
9 등록결정서
Decision to grant		 2005.09.08 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2005-0445341-35
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.04.08 수리 (Accepted) 4-1-2011-5069914-14
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.04.08 수리 (Accepted) 4-1-2011-5069919-31
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.09.12 수리 (Accepted) 4-1-2014-0085716-10
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2017.11.28 수리 (Accepted) 4-1-2017-5193093-72
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번호 청구항
1 1
TaC- 천이금속계 복합분말의 제조방법에 있어서,Ta이 함유된 원료와 천이금속을 함유된 수용성 염을 용매에 분산시켜 교반한 후, 교반된 원료를 분무건조하여 전구체 분말을 얻는 단계;상기 전구체 분말을 하소열처리하여 초미립 Ta- 천이금속 복합산화물 분말을 만드는 단계;상기 초미립 Ta- 천이금속 복합산화물 분말에 나노크기의 탄소입자를 혼합한 후, 이를 건조하여 복합산화물 분말을 얻는 단계; 및상기에서 건조된 복합산화물 분말을 비산화성 분위기에서 1000℃ 내지 1350℃ 사이의 온도로 환원/침탄 열처리하는 단계를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 나노구조형 TaC- 천이금속계 복합분말의 제조방법
2 2
삭제
3 3
제1항에 있어서,상기 천이금속의 양은 상기 복합분말 중에 1~ 30중량%의 범위에서 함유되는 것을 특징으로 하는 나노구조형 TaC- 천이금속계 복합분말의 제조방법
4 4
제1항에 있어서,상기 하소는 250℃ 내지 1000℃ 사이의 온도에서 행하는 것을 특징으로 하는 나노구조형 TaC- 천이금속계 복합분말의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 환원/침탄 열처리단계는, 천이금속의 환원을 위하여 비산화성 분위기에서 600℃ 내지 1100℃ 사이의 온도로 일정시간 동안 열처리하는 단계를 선행한 후에 실시하는 것을 특징으로 하는 나노구조형 TaC- 천이금속계 복합분말의 제조방법
6 5
제1항에 있어서,상기 환원/침탄 열처리단계는, 천이금속의 환원을 위하여 비산화성 분위기에서 600℃ 내지 1100℃ 사이의 온도로 일정시간 동안 열처리하는 단계를 선행한 후에 실시하는 것을 특징으로 하는 나노구조형 TaC- 천이금속계 복합분말의 제조방법
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1 JP16332103 JP 일본 FAMILY
2 US07153340 US 미국 FAMILY
3 US20040223865 US 미국 FAMILY

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 CN1277942 CN 중국 DOCDBFAMILY
2 CN1548566 CN 중국 DOCDBFAMILY
3 JP2004332103 JP 일본 DOCDBFAMILY
4 US2004223865 US 미국 DOCDBFAMILY
5 US7153340 US 미국 DOCDBFAMILY
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