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선택적 부가압력을 이용한 UV 나노임프린트 리소그래피공정

  • 기술번호 : KST2015128197
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 UV 나노임프린트 리소그래피 공정(Ultraviolet Nanoimprint Lithography)에서 스탬프와 기판 각각의 평탄도 오차에 의해 발생하는 불완전 가압된 일정 소량의 레지스트를 선택적으로 압력을 가함으로써 나노구조물을 제작하는 UV 나노임프린트 리소그래피 공정에 관한 것이다. 본 발명에 따른 UV 나노임프린트 리소그래피 공정은, 상기 기판 상면에 레지스트(resist)를 도포하는 단계와; 형성하고자 하는 나노구조물에 대응되는 나노구조물이 표면에 형성된 스탬프를 상기 레지스트 상면에 접촉시켜 상온에서 소정의 저압력으로 가압하는 단계와; 불완전 가압된 레지스트 부분을 탐지하는 단계와; 상기 불완전 가압된 레지스트 부분이 압착되도록 선택적으로 부가압력을 가하는 단계와; 자외선을 상기 가압된 레지스트에 조사(照査)하는 단계와; 상기 스탬프를 상기 레지스트로부터 분리하는 단계; 및 상기 레지스트가 도포된 기판의 상면을 식각(etching)하는 단계를 포함한다. UV 나노임프린트 리소그래피, 나노구조물, 다중 양각 요소 스탬프, 선택적 부가압력
Int. CL B82Y 40/00 (2011.01) H01L 21/027 (2011.01)
CPC G03F 7/0002(2013.01) G03F 7/0002(2013.01) G03F 7/0002(2013.01)
출원번호/일자 1020030033494 (2003.05.26)
출원인 한국기계연구원
등록번호/일자 10-0504080-0000 (2005.07.19)
공개번호/일자 10-2004-0101777 (2004.12.03) 문서열기
공고번호/일자 (20050727) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2003.05.26)
심사청구항수 17

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국기계연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 정준호 대한민국 대전광역시유성구
2 손현기 대한민국 대전광역시유성구
3 심영석 대한민국 서울특별시광진구
4 신영재 대한민국 대전광역시유성구
5 이응숙 대한민국 대전광역시유성구
6 황경현 대한민국 대전광역시서구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 유미특허법인 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 ***, 서림빌딩 **층 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국기계연구원 대한민국 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application
2003.05.26 수리 (Accepted) 1-1-2003-0187416-60
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2005.01.21 수리 (Accepted) 4-1-2005-0002690-32
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2005.05.13 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2005.06.16 수리 (Accepted) 9-1-2005-0035624-18
5 등록결정서
Decision to grant
2005.06.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2005-0308375-52
6 대리인변경신고서
Agent change Notification
2007.06.14 수리 (Accepted) 1-1-2007-0430491-57
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2011.04.08 수리 (Accepted) 4-1-2011-5069919-31
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2011.04.08 수리 (Accepted) 4-1-2011-5069914-14
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2017.11.28 수리 (Accepted) 4-1-2017-5193093-72
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번호 청구항
1 1
기판(substrate) 상에 나노구조물(nanostructure)을 형성하기 위한 UV 나노임프린트 리소그래피(Ultraviolet Nanoimprint Lithography) 공정에 있어서, 상기 기판 상면에 레지스트(resist)를 도포하는 단계; 형성하고자 하는 나노구조물에 대응되는 나노구조물이 표면에 형성된 스탬프를 상기 레지스트 상면에 접촉시켜 상온에서 소정의 저압력으로 가압하는 단계; 불완전 가압된 레지스트 부분을 탐지하는 단계; 상기 불완전 가압된 레지스트 부분이 압착되도록 선택적으로 부가압력을 가하는 단계; 자외선을 상기 레지스트에 조사(照査)하는 단계; 상기 스탬프를 상기 레지스트로부터 분리하는 단계; 및 상기 레지스트가 도포된 기판의 상면을 식각(etching)하는 단계 를 포함하는 UV 나노임프린트 리소그래피 공정
2 2
제 1 항에 있어서, 상기 스탬프는 나노구조물이 각인된 면이 평탄한 스탬프인 것을 특징으로 하는 UV 나노임프린트 리소그래피 공정
3 3
제 1 항에 있어서, 상기 스탬프는 적어도 2개 이상의 요소(element) 스탬프들로 구성되며, 서로 이웃한 요소 스탬프들 사이에 상기 각각의 요소 스탬프 상에 각인된 나노구조물의 깊이보다 더 깊은 홈(groove)이 형성된 다중 양각 요소 스탬프인 것을 특징으로 하는 UV 나노임프린트 리소그래피 공정
4 4
제 1 항에 있어서, 상기 불완전 가압된 레지스트 부분을 탐지하는 단계는 광학 측정장치를 이용하여 상기 기판 상면에 도포된 레지스트 층의 두께를 측정하는 것을 포함하는 UV 나노임프린트 리소그래피 공정
5 5
제 1 항에 있어서, 상기 불완전 가압된 레지스트 부분을 탐지하는 단계는 상기 스탬프의 상면으로부터 광학 측정장치를 이용하여 스탬프에 각인된 나노구조물의 면적보다 가압된 레지스트 액적이 적게 펴진 부분을 탐지하는 것을 포함하는 UV 나노임프린트 리소그래피 공정
6 6
제 1 항에 있어서, 상기 부가압력을 가하는 단계는 상기 기판의 배면으로부터 부가압력을 가하는 것을 포함하는 UV 나노임프린트 리소그래피 공정
7 7
제 6 항에 있어서, 상기 기판의 배면으로부터 부가압력을 가하는 단계는 상기 기판이 놓이는 기판 테이블에 적어도 하나 이상의 구멍을 형성하고 이 구멍에 부가압력 작동기를 설치하여 부가압력을 가하는 것을 포함하는 UV 나노임프린트 리소그래피 공정
8 8
제 7 항에 있어서, 상기 부가압력 작동기는 압전소자 작동기인 것을 특징으로 하는 UV 나노임프린트 리소그래피 공정
9 9
제 7 항에 있어서, 상기 부가압력 작동기는 공압 작동기인 것을 특징으로 하는 UV 나노임프린트 리소그래피 공정
10 10
제 7 항에 있어서, 상기 부가압력 작동기는 스프링-나사 메카니즘 작동기인 것을 특징으로 하는 UV 나노임프린트 리소그래피 공정
11 11
제 7 항에 있어서, 상기 부가압력 작동기는 상기 기판의 배면에 면접촉(surface contact)하는 플런저(plunger)를 포함하는 UV 나노임프린트 리소그래피 공정
12 12
제 7 항에 있어서, 상기 부가압력 작동기는 상기 기판의 배면에 점접촉(point contact)하는 플런저(plunger)를 포함하는 UV 나노임프린트 리소그래피 공정
13 13
제 1 항에 있어서, 상기 부가압력을 가하는 단계는 상기 스탬프의 상면으로부터 부가압력을 가하는 것을 포함하는 UV 나노임프린트 리소그래피 공정
14 14
제 13 항에 있어서, 상기 스탬프의 상면으로부터 부가압력을 가하는 단계는 상기 스탬프의 모서리에 부가압력 작동기를 이용하여 부가압력을 가하는 것을 포함하는 UV 나노임프린트 리소그래피 공정
15 15
제 14 항에 있어서, 상기 부가압력 작동기는 상기 스탬프의 상면에 점접촉(point contact)하는 플런저(plunger)를 포함하는 UV 나노임프린트 리소그래피 공정
16 16
제 14 항에 있어서, 상기 부가압력 작동기는 상기 스탬프의 상면에 면접촉(surface contact)하는 플런저(plunger)를 포함하는 UV 나노임프린트 리소그래피 공정
17 17
기판(substrate) 상에 나노구조물(nanostructure)을 형성하기 위한 UV 나노임프린트 리소그래피(ultraviolet nanoimprint lithography) 공정에 있어서, 레지스트가 도포된 기판을 하부에서 지지하며, 상기 기판과 접하는 면에 적어도 하나 이상의 구멍이 형성되어 있는 기판 테이블; 상기 기판의 상부에 위치하면서 상기 기판 상의 레지스트의 가압상태를 탐지하는 광학 측정장치; 상기 기판 테이블에 형성되는 구멍 내에 배치되어 상기 기판의 배면으로부터 부가압력을 가하는 부가압력 작동기; 상기 부가압력 작동기와 연결되어 작동을 제어하는 작동기 컨트롤러; 및 상기 광학 측정장치 및 상기 작동기 컨트롤러에 각각 연결되어, 상기 광학 측정장치로부터 전달되는 레지스트의 가압상태에 따라 상기 부가압력 작동신호를 상기 작동기 컨트롤러로 전송하는 피드백 컨트롤러 를 포함하는 선택적 부가압력 작동 시스템
18 17
기판(substrate) 상에 나노구조물(nanostructure)을 형성하기 위한 UV 나노임프린트 리소그래피(ultraviolet nanoimprint lithography) 공정에 있어서, 레지스트가 도포된 기판을 하부에서 지지하며, 상기 기판과 접하는 면에 적어도 하나 이상의 구멍이 형성되어 있는 기판 테이블; 상기 기판의 상부에 위치하면서 상기 기판 상의 레지스트의 가압상태를 탐지하는 광학 측정장치; 상기 기판 테이블에 형성되는 구멍 내에 배치되어 상기 기판의 배면으로부터 부가압력을 가하는 부가압력 작동기; 상기 부가압력 작동기와 연결되어 작동을 제어하는 작동기 컨트롤러; 및 상기 광학 측정장치 및 상기 작동기 컨트롤러에 각각 연결되어, 상기 광학 측정장치로부터 전달되는 레지스트의 가압상태에 따라 상기 부가압력 작동신호를 상기 작동기 컨트롤러로 전송하는 피드백 컨트롤러 를 포함하는 선택적 부가압력 작동 시스템
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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 EP01606834 EP 유럽특허청(EPO) FAMILY
2 EP01606834 EP 유럽특허청(EPO) FAMILY
3 JP04651390 JP 일본 FAMILY
4 JP18521682 JP 일본 FAMILY
5 KR100495836 KR 대한민국 FAMILY
6 US06943117 US 미국 FAMILY
7 US20040192041 US 미국 FAMILY
8 WO2004086471 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 JP2006521682 JP 일본 DOCDBFAMILY
2 JP4651390 JP 일본 DOCDBFAMILY
3 US2004192041 US 미국 DOCDBFAMILY
4 US6943117 US 미국 DOCDBFAMILY
국가 R&D 정보가 없습니다.