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기판(substrate) 상에 나노구조물(nanostructure)을 형성하기 위한 UV 나노임프린트 리소그래피(ultraviolet nanoimprint lithography) 공정에 있어서, 상기 기판 상면에 레지스트(resist)를 도포하는 단계; 형성하고자 하는 나노구조물에 대응되는 나노구조물이 표면에 형성된 스탬프를 상온에서 상기 레지스트 상면에 접촉시켜 소정의 저압력으로 가압하는 단계; 자외선을 상기 레지스트에 조사(照査)하는 단계; 상기 스탬프를 상기 레지스트로부터 분리하는 단계; 상기 레지스트가 도포된 기판의 상면을 식각(etching)하는 단계 를 포함하고, 상기 스탬프는 적어도 2개 이상의 요소(element) 스탬프들로 구성되며, 서로 이웃한 요소 스탬프들 사이에 상기 각각의 요소 스탬프 상에 형성된 나노구조물의 깊이보다 더 깊은 홈(groove)이 형성된 다중 양각 요소 스탬프인 것을 특징으로 하는 UV 나노임프린트 리소그래피 공정
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제 1 항에 있어서, 상기 다중 양각 요소 스탬프는 각 요소 스탬프의 표면에 형성된 나노구조물의 깊이보다 상기 홈의 깊이가 2 배 내지 1000 배 더 깊은 것을 특징으로 하는 UV 나노임프린트 리소그래피 공정
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제 1 항에 있어서, 상기 다중 양각 요소 스탬프의 요소 스탬프들 사이에 형성되는 홈은 그 양 측면이 경사지게 형성되는 것을 특징으로 하는 UV 나노임프린트 리소그래피 공정
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제 1 항에 있어서, 상기 다중 양각 요소 스탬프는 자외선 투과가 가능한 수정(quartz), 유리, 사파이어(sapphire), 다이아몬드를 포함하여 이루어지는 군에서 선택되는 소재로 이루어지는 것을 특징으로 하는 UV 나노임프린트 리소그래피 공정
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제 1 항에 있어서, 상기 다중 양각 요소 스탬프는 판재(plate) 형태의 한 쪽 표면에 미세형상 가공공정을 통해 각 요소 스탬프에 해당하는 나노구조물을 각인하는 단계; 상기 요소 스탬프 사이 간격에 홈을 가공하는 단계 를 포함하여 다중 양각 요소 스탬프로 제작되는 것을 특징으로 하는 UV 나노임프린트 리소그래피 공정
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제 1 항에 있어서, 상기 다중 양각 요소 스탬프는 판재 형태의 한 쪽 표면에 일정한 간격을 띄우고 홈을 가공하는 단계; 상기 서로 이웃하는 요소 스탬프들에 미세형상 가공공정을 통해 나노구조물을 각인하는 단계 를 포함하여 다중 양각 요소 스탬프로 제작되는 것을 특징으로 하는 UV 나노임프린트 리소그래피 공정
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제 5 항 또는 제 6 항에 있어서, 홈을 가공하는 단계는 다이싱(dicing), 레이저(laser) 또는 식각(etching) 공정을 이용하는 것을 특징으로 하는 UV 나노임프린트 리소그래피 공정
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제 1 항에 있어서, 상기 다중 양각 요소 스탬프는 나노구조물이 각인된 판재 형태의 스탬프를 각각의 요소 스탬프로 절단하는 단계; 상기 절단된 요소 스탬프들을 판재 형태의 소재에 일정한 간격을 유지하면서 접착하는 단계 를 포함하여 다중 양각 요소 스탬프로 제작되는 것을 특징으로 하는 UV 나노임프린트 리소그래피 공정
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제 8 항에 있어서, 상기 요소 스탬프를 접착하는 단계는 상기 판재 형태의 소재의 한 쪽 면에 일정한 간격으로 얕은 홈 또는 관통공을 형성하고, 이 홈 또는 관통공에 상기 각 요소 스탬프를 끼워 넣어 접착하는 것을 특징으로 하는 UV 나노임프린트 리소그래피 공정
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제 8 항에 있어서, 상기 요소 스탬프를 접착하는 단계에서 사용되는 접착제는 소정의 온도 이상에서 접착력이 소멸되는 것을 특징으로 하는 UV 나노임프린트 리소그래피 공정
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제 1 항에 있어서, 상기 레지스트를 도포하는 단계는 스핀 코팅(spin coating)으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 UV 나노임프린트 리소그래피 공정
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제 1 항에 있어서, 상기 레지스트를 도포하는 단계는 액적 도포(droplet dispensing) 방식으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 UV 나노임프린트 리소그래피 공정
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제 12 항에 있어서, 상기 액적 도포 방식은 레지스트 액적을 상기 다중 양각 요소 스탬프의 각 요소 스탬프에 직접 도포하는 것을 특징으로 하는 UV 나노임프린트 리소그래피 공정
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제 1 항에 있어서, 상기 레지스트를 도포하는 단계는 분사(spray) 방식으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 UV 나노임프린트 리소그래피 공정
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제 14 항에 있어서, 상기 분사 방식은 상기 다중 양각 요소 스탬프의 각 요소 스탬프에 대응되는 위치에 구멍(opening)이 형성된 마스크를 상기 기판 위에 설치하고, 그 위에 레지스트를 분사함으로써 상기 기판의 상면에 레지스트를 도포하는 것을 특징으로 하는 UV 나노임프린트 리소그래피 공정
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제 14 항에 있어서, 상기 분사 방식은 상기 다중 양각 요소 스탬프의 각 요소 스탬프에 대응되는 위치에 구멍(opening)이 형성된 마스크를 상기 기판 위에 설치하고, 그 위에 레지스트를 분사함으로써 상기 기판의 상면에 레지스트를 도포하는 것을 특징으로 하는 UV 나노임프린트 리소그래피 공정
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