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다층 평판 전극을 구비한 유전체 장벽 방전방식 평판형저온 플라즈마 반응기의 제조방법

  • 기술번호 : KST2015128207
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 질소산화물(NOx), 휘발성유기화합물(VOCs) 등의 각종 유해가스 처리 및 오존 등의 화학적으로 반응성이 높은 화학종(chemically reactive species) 발생을 위한 유전체 장벽 방전방식 평판형 저온 플라즈마 반응기의 제조방법에 관한 것으로서, 두개의 유전체 재료인 평판 형상의 고체판과 상기 고체판 사이에 금속성 재료를 도포하는 단계와, 상기 고체판을 서로 접합하여 구성하는 단계와, 상기의 평판형 전극판을 상호 일정한 거리로 평행하게 이격되어 설치되도록 하는 스페이서가 다수개 병렬 융착 적층형태를 이루는 단계를 특징으로 하는 다층 평판 전극을 구비한 유전체 장벽 방전방식 평판형 저온 플라즈마 반응기의 제조방법을 특징으로 하며, 본 발명의 평판형 저온 플라즈마 반응기는 종래기술의 취약점인 내구성 및 양산성의 극대화를 위하여 고안되었다.플라즈마 반응기, 세라믹 판, 전극 접촉부
Int. CL B01D 53/32 (2006.01)
CPC B01D 53/32(2013.01) B01D 53/32(2013.01) B01D 53/32(2013.01) B01D 53/32(2013.01)
출원번호/일자 1020030077053 (2003.10.31)
출원인 한국기계연구원
등록번호/일자 10-0454444-0000 (2004.10.18)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20041028) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2003.10.31)
심사청구항수 9

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국기계연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 차민석 대한민국 대전광역시유성구
2 송영훈 대한민국 대전광역시유성구
3 이재옥 대한민국 대전광역시유성구
4 김관태 대한민국 대전광역시서구
5 신완호 대한민국 충청북도청주시상당구
6 김석준 대한민국 대전광역시서구
7 김해두 대한민국 경상남도창원시
8 윤중열 대한민국 경상남도창원시가음동*
9 김홍식 대한민국 대전광역시유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 이은철 대한민국 서울특별시 송파구 법원로**길 **, A동 *층 ***호 (문정동, H비지니스파크)(*T국제특허법률사무소)
2 유완식 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 ***, **층 *T 국제특허법률사무소 (역삼동, 여삼빌딩)(*T국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국기계연구원 대한민국 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application
2003.10.31 수리 (Accepted) 1-1-2003-0412626-64
2 우선심사신청서
Request for Accelerated Examination
2004.02.27 수리 (Accepted) 1-1-2004-0083102-68
3 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2004.06.08 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2004-0228788-16
4 대리인 변경 신고서
Agent change Notification
2004.07.22 수리 (Accepted) 1-1-2004-0326213-16
5 명세서 등 보정서
Amendment to Description, etc.
2004.08.03 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2004-0347280-91
6 서지사항 보정서
Amendment to Bibliographic items
2004.08.13 수리 (Accepted) 1-1-2004-0361395-61
7 보정통지서
Request for Amendment
2004.08.13 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2004-0053026-31
8 대리인 선임 신고서
Notification of assignment of agent
2004.10.08 수리 (Accepted) 1-1-2004-0456324-35
9 등록결정서
Decision to grant
2004.10.15 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2004-0432020-56
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2005.01.21 수리 (Accepted) 4-1-2005-0002690-32
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2011.04.08 수리 (Accepted) 4-1-2011-5069919-31
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2011.04.08 수리 (Accepted) 4-1-2011-5069914-14
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2017.11.28 수리 (Accepted) 4-1-2017-5193093-72
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번호 청구항
1 1

다층 평판 전극을 구비한 유전체 장벽 방전방식 평판형 저온 플라즈마 반응기를 구성하는데 있어서,

글래스 페이스트를 이용하여 세라믹 판 사이의 접합을 하는 공정에서 상호 접합에 앞서 100 내지 200℃에서 0

2 2

다층 평판 전극을 구비한 유전체 장벽 방전방식 평판형 저온 플라즈마 반응기를 구성하는데 있어서,

금속 전극을 세라믹 판의 일측면의 내부에 스크린 인쇄 처리하는 단계와,

금속 전극을 상기 세라믹 판의 가장자리까지 연결되어 외부의 전극이 통전할 수 있는 전극 접촉부를 스크린 인쇄 처리하되 이웃하는 세라믹 평판 전극의 전극 접촉부와 서로 반대 방향으로 엇갈리도록 배열되도록 형성된 단계와,

금속전극의 프린팅 면이 노출된 상태에서 100 내지 200℃에서 0

3 3

다층 평판 전극을 구비한 유전체 장벽 방전방식 평판형 저온 플라즈마 반응기를 구성하는데 있어서,

세라믹 판의 일측면 내부와 이에 대응하는 타 세라믹 판의 일측면의 내부에 각각 금속전극으로 스크린 인쇄 처리하는 단계와,

금속 전극을 상기 세라믹 판의 가장자리까지 연결되어 외부의 전극이 통전할 수 있는 전극 접촉부를 스크린 인쇄 처리하되 이웃하는 세라믹 평판 전극의 전극 접촉부와 서로 반대 방향으로 엇갈리도록 배열되도록 형성된 단계와,

금속전극의 프린팅 면이 노출된 상태에서 100 내지 200℃에서 0

4 4

다층 평판 전극을 구비한 유전체 장벽 방전방식 평판형 저온 플라즈마 반응기를 구성하는데 있어서,

금속 전극을 세라믹 판의 일 측면의 내부에 스크린 인쇄 하고, 상기 세라믹 판의 가장자리까지 연결되어 외부의 전극이 통전할 수 있는 전극접촉부를 형성하되 이웃하는 세라믹 평판 전극의 전극 접촉부와 서로 반대 방향으로 엇갈리도록 배열되도록 형성된 단계와,

금속전극의 프린팅 면이 노출된 상태에서 100 내지 200℃에서 0

5 5

다층 평판 전극을 구비한 유전체 장벽 방전방식 평판형 저온 플라즈마 반응기를 구성하는데 있어서,

세라믹 판의 일면에 글래스 페이스트를 스크린 인쇄 하는 단계와

글래스 페이스트로 프린팅 면이 노출된 상태에서 100 내지 200℃에서 0

6 6

제2항 내지 제5항중 어느 한 항에 있어서,

금속전극의 형상은 모든 모서리가 둥글게 처리되는 단계를 특징으로 하는 다층 평판 전극을 구비한 유전체 장벽 방전방식 평판형 저온 플라즈마 반응기의 제조방법

7 7

제2항 내지 제5항중 어느 한 항에 있어서,

금속전극의 재질은 전도성 금속인 것을 특징으로 하는 다층 평판 전극을 구비한 유전체 장벽 방전방식 평판형 저온 플라즈마 반응기의 제조방법

8 8

제2항 내지 제5항중 어느 한 항에 있어서,

복수개의 세라믹 평판 전극의 일측에는 상기 전극 접촉부와 대응되는 위치에 금속전극 노출부가 마련하도록 처리하는 단계를 특징으로 하는 다층 평판 전극을 구비한 유전체 장벽 방전방식 평판형 저온 플라즈마 반응기의 제조방법

9 9

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