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슬롯형 리모트 저온 플라즈마 반응기

  • 기술번호 : KST2015128346
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 슬롯형(slot type) 저온 플라즈마 반응기에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 대면적에 플라즈마를 발생시키도록 "ㄷ" 형상으로 길게 형성된 2개의 세라믹 유전체판을 상호 대향되도록 설치하여, 이격된 슬롯형상으로 형성시키며, 슬롯형상사이로 투입 공정가스가 통과하도록 하며, 상기 세라믹 유전체판의 일측에는 고전압 전극이 장착되며, 이에 대응되는 다른 세라믹 유전체판의 일측에는 상기 고전압 전극에 대응되는 플라즈마 발생용 접지 전극이 장착되어, 두 유전체 판 사이에 글로우 모드로 운전되는 저온 플라즈마를 발생시키도록 하며, 상기 세라믹 유전체판의 내부에는 강제 냉각을 위한 채널을 포함하여 절연물질로 충진시키며, 외부에는 외부 세라믹 판을 부착하여 밀봉시키도록 이루어진 슬롯형 리모트 플라즈마 반응기에 관한 것이다. 이는 교류전원을 사용한 유전체 장벽 방전 방식(dielectric barrier discharge)으로 구성되어 있으며, 대기압 상태에서도 적절한 교류전원의 주파수와 방전 간극을 선정하여 발생되는 플라즈마의 상태를 글로우(glow) 모드로 운전할 수 있으며, 이 때 사용되는 가스를 고속으로 분사하여 발생된 플라즈마를 반응기 외부로 분출시켜 리모트(remote) 플라즈마 상태로 최종 이용하게 된다. 본 발명에 따른 슬롯형 리모트 플라즈마 반응기는 반도체, 디스플레이 등 각종 IT 산업은 물론 폴리머 필름 등을 포함한 각종 산업의 세정, 표면개질, 식각 공정에 응용될 수 있으며, 다양한 적용 분야에 따라 필요한 조건인 1 cm 이하의 소형에서부터 3 m 이상의 대면적을 뛰어난 편평도를 유지하며 용이하게 구현할 수 있고, 도선 등 회로가 구성된 표면에 전기장의 영향이 미치지 않도록 고안되었으며, 폴리머 표면 등을 처리할 때 열적 변형을 막기 위하여 플라즈마 온도를 조절할 수 있도록 구성할 수 있는 효과를 포함하고 있는 것이다.리모트 플라즈마, 슬롯형, 저온 플라즈마, 대기압
Int. CL H05H 1/26 (2006.01)
CPC H01J 37/3255(2013.01)H01J 37/3255(2013.01)H01J 37/3255(2013.01)H01J 37/3255(2013.01)H01J 37/3255(2013.01)H01J 37/3255(2013.01)H01J 37/3255(2013.01)
출원번호/일자 1020060064713 (2006.07.11)
출원인 한국기계연구원
등록번호/일자 10-0805690-0000 (2008.02.14)
공개번호/일자 10-2008-0006053 (2008.01.16) 문서열기
공고번호/일자 (20080221) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2006.07.11)
심사청구항수 3

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국기계연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 차민석 대한민국 대전 유성구
2 송영훈 대한민국 대전광역시 유성구
3 이재옥 대한민국 대전광역시 유성구
4 김관태 대한민국 대전광역시 서구
5 이대훈 대한민국 대전 유성구
6 김석준 대한민국 대전 서구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 진용석 대한민국 대전광역시 서구 청사로 ***, 청사오피스텔 ***호 세빈 국제특허법률사무소 (둔산동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국기계연구원 대한민국 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application
2006.07.11 수리 (Accepted) 1-1-2006-0493880-80
2 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2007.03.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0176760-99
3 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.
2007.05.30 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2007-0396989-94
4 의견서
Written Opinion
2007.05.30 수리 (Accepted) 1-1-2007-0396991-86
5 최후의견제출통지서
Notification of reason for final refusal
2007.09.17 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0500986-67
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2007.11.19 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2007-0827772-82
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2007.11.19 수리 (Accepted) 1-1-2007-0827773-27
8 등록결정서
Decision to grant
2008.02.13 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0074396-47
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2011.04.08 수리 (Accepted) 4-1-2011-5069919-31
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2011.04.08 수리 (Accepted) 4-1-2011-5069914-14
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2017.11.28 수리 (Accepted) 4-1-2017-5193093-72
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
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플라즈마 반응기에 있어서,대면적에 플라즈마를 발생시키도록 세라믹종류의 유전체를 "ㄷ"자 형의 봉의 형태로 길게 가공하여, "ㄷ"자의 오목한 일 측면에 고전압 전극(2)을 위한 금속 전극을 도포 한 후, 금속 전극의 표면에 글라스 페이스트를 도포 및 열처리한 2개의 세라믹 유전체 판(1)을 상호 대향되도록 설치하여, 간극이 0
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플라즈마 반응기에 있어서,대면적에 플라즈마를 발생시키도록 세라믹종류의 유전체를 "ㄷ"자 형의 봉의 형태로 길게 가공하여, "ㄷ"자의 오목한 일 측면에 고전압 전극(2)을 위한 금속 전극을 도포 한 후, 금속 전극의 표면에 글라스 페이스트를 도포 및 열처리한 1개의 세라믹 유전체 판(1)과 금속판(8)이 상호 대향되도록 설치하여, 간극이 0
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플라즈마 반응기에 있어서,대면적에 플라즈마를 발생시키도록 세라믹종류의 유전체를 "ㄷ"자 형의 봉의 형태로 길게 가공하여, "ㄷ"자의 오목한 일 측면에 고전압 전극(2)을 위한 금속 전극을 도포 한 후, 금속 전극의 표면에 글라스 페이스트를 도포 및 열처리한 1개의 세라믹 유전체 판(1)과 금속판(8)이 상호 대향되도록 설치하여, 간극이 0
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