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반도체 웨이퍼(401)를 PR제거 시스템(100) 내부로 인입하기 위해 도어를 여는 도어열림 단계와;(S10)상기 PR 제거 시스템(100)의 열린 도어를 통해 반도체 웨이퍼(401)를 인입하는 웨이퍼 인입단계와;(S20)상기 반도체 웨이퍼(401)를 인입한 뒤 도어를 닫는 도어닫힘 단계와;(S30)상기 반도체 웨이퍼(401)의 PR을 제거하기 위해 고온수와 반응가스를 주입하는 수증기 및 반응가스 주입단계와;(S40)상기 반도체 웨이퍼(401)의 PR을 제거하기 위해 플라즈마 전극(501,502)에 전원을 인가하는 전원인가 단계와;(S50)상기 플라즈마 전극(501,502)에서 발생된 플라즈마와 고온수를 믹싱 및 고농축의 활성라디칼을 생성하는 활성라디칼 공급단계와;(S55)상기 반도체 웨이퍼(401)의 PR이 반응가스와 고온수 및 활성라디칼과의 반응으로 제거되는 PR에싱 단계와;(S60)상기 반도체 웨이퍼(401)의 PR제거 반응 후 고온수와 반응가스 및 활성라티칼이 혼합된 배기가스가 배출되고, 처리된 물이 배출되는 배기가스 배출 및 드레인 단계와;(S70)상기 반도체 웨이퍼(401)를 배출하기 위해 PR제거 시스템(100)의 도어를 여는 도어열림 단계와;(S80)상기 PR제거 시스템(100)에서 배출되어 다음 공정 챔버로 이동되어지는 웨이퍼 배출단계;(S90)를 포함하는 반도체 웨이퍼의 PR을 PR 제거설비를 이용한 PR제거 방법에 있어서,상기 반도체 웨이퍼(401)의 PR을 제거하기 위해 플라즈마 전극(501,502)에 전원을 인가하는 전원인가 단계(S50)와; 상기 플라즈마 전극(501,502)에서 발생된 플라즈마와 고온수를 믹싱 및 고농축의 활성라디칼을 생성하는 활성라디칼 공급단계(S55)는 가열부(600), 반응부(500) 및 처리부(400)로 구성되며, 상기 가열부(600)는 가열기 케이스(601)내의 가열기(602)로부터 제조된 고온수(603)와 상기 고온수(603)가 증발된 수증기(604)를 반응부(500)의 고온수 슬롯(503)에 공급하도록 형성되며, 상기 반응부(500)의 중앙부에는 고온수 슬롯(503)이 형성되고, 상기 고온수 슬롯(503)의 좌우측에 플라즈마 발생 슬롯(504)이 형성되며, 상기 플라즈마 발생 슬롯(504)좌우측에 고전압의 방전극(502)과 이에 대응되는 접지극(501)을 위치하여, 저온 플라즈마를 발생시키도록 하며, 상기 처리부(400)는 상기 반도체 웨이퍼(401)의 회전을 일으키는 회전 테이블(402)과, 상기 회전 테이블(402)을 회전시키는 회전모터(403)로 형성되며, 물과 파티클을 포집할 수 있는 보호커버(404)를 포함하며, 응축된 물을 외부로 배출시키는 드레인(405)과 발생된 연기를 배출시키는 배기(406)를 포함하도록 형성되며, 상기 반응부(500)에서 공급되는 고온수와 플라즈마는 슬롯형태로 고밀도의 플라즈마가 공급되어 반도체 웨이퍼(401)의 포토레지스터를 완전히 제거시키도록 이루어진 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 제거용 리모트 플라즈마 시스템을 이용한 PR제거 방법
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FPD기판(401)을 PR제거 시스템(100) 내부로 인입하기 위해 도어를 여는 도어열림 단계와;(S110)상기 PR 제거 시스템(100)의 열린 도어를 통해 FPD기판(401)을 인입하는 FPD기판 인입단계와;(S120)상기 FPD기판(401)을 인입한뒤 도어를 닫는 도어닫힘 단계와;(S130)상기 FPD기판(401)의 PR을 제거하기 위해 고온수와 반응가스를 주입하는 고온수 및 반응가스 주입단계와;(S140)상기 FPD기판(401)의 PR을 제거하기 위해 플라즈마 전극(501,502)에 전원을 인가하는 전원인가 단계와;(S150)상기 플라즈마 전극(501,502)에서 발생된 플라즈마와 고온수를 믹싱 및 고농축의 활성라디칼을 생성하는 활성라디칼 공급단계와;(S155)상기 FPD기판(401)의 PR이 반응가스와 고온수 및 활성라디칼과의 반응으로 제거되는 PR에싱 단계와;(S160)상기 FPD기판(401)의 PR제거 반응 후 고온수와 반응가스 및 활성라티칼이 혼합된 배기가스가 배출되고, 처리된 물이 배출되는 배기가스 배출 및 드레인 단계와;(S170)상기 FPD기판(401)를 배출하기 위해 PR제거 시스템(100)의 도어를 여는 도어열림 단계와;(S180)상기 PR제거 시스템(100)에서 배출되어 다음 공정챔버로 이동되어지는 FPD기판 배출단계;(S190)를 포함하는 반도체 웨이퍼의 PR을 PR 제거설비를 이용한 PR제거 방법에 있어서, 상기 FPD기판(401)의 PR을 제거하기 위해 고온수와 반응가스를 주입하는 고온수 및 반응가스 주입단계(S140)와;상기 FPD기판(401)의 PR을 제거하기 위해 플라즈마 전극(501,502)에 전원을 인가하는 전원인가 단계(S150)는 가열부(600), 반응부(500) 및 처리부(400)로 구성되며, 상기 가열부(600)는 가열기 케이스(601)내의 가열기(602)로부터 제조된 고온수(603)와 상기 고온수(603)가 증발된 수증기(604)를 반응부(500)의 고온수 슬롯(503)에 공급하도록 형성되며, 상기 반응부(500)의 중앙부에는 고온수 슬롯(503)이 형성되고, 상기 고온수 슬롯(503)의 좌우측에 플라즈마 발생 슬롯(504)이 형성되며, 상기 플라즈마 발생 슬롯(504)좌우측에 고전압의 방전극(502)과 이에 대응되는 접지극(501)을 위치하여, 저온 플라즈마를 발생시키도록 하며, 상기 처리부(400)는 상기 FPD기판(401)의 회전을 일으키는 회전 테이블(402)과, 상기 회전 테이블(402)을 회전시키는 회전모터(403)로 형성되며, 물과 파티클을 포집할 수 있는 보호커버(404)를 포함하며, 응축된 물을 외부로 배출시키는 드레인(405)과 발생된 연기를 배출시키는 배기(406)를 포함하도록 형성되며,상기 반응부(500)에서 공급되는 고온수와 플라즈마는 슬롯형태로 고밀도의 플라즈마가 공급되어 FPD기판(401)의 포토레지스터는 완전히 제거시키도록 이루어진 것을 특징으로 하는 FPD기판의 포토레지스트 제거용 베이퍼 시스템을 이용한 PR제거 방법
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반도체 웨이퍼 및 FPD기판의 PR을 제거하는 시스템에 있어서,가열부(600), 반응부(500) 및 처리부(400)로 구성되며, 상기 가열부(600)는 가열기 케이스(601)내의 가열기(602)로부터 제조된 고온수(603)와 상기 고온수(603)가 증발된 수증기(604)를 반응부(500)의 고온수 슬롯(503)에 공급하도록 형성되며, 상기 반응부(500)의 중앙부에는 고온수 슬롯(503)이 형성되고, 상기 고온수 슬롯(503)의 좌우측에 플라즈마 발생 슬롯(504)이 형성되며, 상기 플라즈마 발생 슬롯(504)좌우측에 고전압의 방전극(502)과 이에 대응되는 접지극(501)을 위치하여, 저온 플라즈마를 발생시키도록 하며, 상기 처리부(400)는 상기 반도체 웨이퍼(401) 및 FPD기판(401)의 회전을 일으키는 회전 테이블(402)과, 상기 회전 테이블(402)을 회전시키는 회전모터(403)로 형성되며, 물과 파티클을 포집할 수 있는 보호커버(404)를 포함하며, 응축된 물을 외부로 배출시키는 드레인(405)과 발생된 연기를 배출시키는 배기(406)를 포함하도록 형성되며,상기 반응부(500)에서 공급되는 고온수와 플라즈마는 슬롯형태로 고밀도의 플라즈마가 공급되어 반도체 웨이퍼(401) 및 FPD기판(401)의 포토레지스터는 완전히 제거시키도록 이루어진 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 및 FPD기판의 포토레지스트 제거용 리모트 플라즈마 시스템
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제3항에 있어서,고온수 슬롯(503)과, 플라즈마 발생슬롯(504)은 한 쌍 이상의 다수개로 이루어진 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 및 FPD기판의 포토레지스트 제거용 리모트 플라즈마 시스템
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반도체 웨이퍼 및 FPD기판의 PR을 제거하는 플라즈마 시스템에 있어서,전처리 시스템인(300)은 대상물체인 반도체 웨이퍼 및 FPD기판의 PR를 제거하기 위한 플라즈마 시스템에 인입하기 전 단계로서 이용되며, 외부로부터 밀폐된 가열기 케이싱(301)내에서 대상물체인 반도체 웨이퍼(401) 및 FPD기판(401)을 고정지그(303)에 장착시키고, 유량 조절장치(306)로부터 물을 공급하여, 상기 대상물체를 완전히 물속에 잠기게 하고, 가열기 케이싱(301)의 하단에 장착된 가열기(302)를 작동하여, 가열기 케이싱(301)내의 온도를 100 oC 이상으로 유지하도록 이루어진 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 및 FPD기판의 포토레지스트 제거용 리모트 플라즈마 시스템
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