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플라즈마 반응기에 있어서,대면적에 플라즈마를 발생시키도록 세라믹종류의 유전체(10) 상측에 소정폭과 소정 깊이를 가지며, 길이방향으로 형성되고, 상측으로 향하며, 단면상 'ㄷ'자 형태의 홈을 서로 일정 간격 이격되도록 다수개 가공하고, 상기 이웃한 단면상'ㄷ' 자 형태의 홈 사이의 공간에 플라즈마가 형성될 수 있도록 단면상'ㄷ' 자 형태의 홈과 같은 길이방향으로 하측으로 향하는 소정폭과 소정깊이를 가지는 홈을 가공하고, 각각의 'ㄷ'자 형태의 홈 내측면의 표면 전체에 'ㄷ'자 형태로 금속전극(20)을 코팅하고, 상기 금속전극(20)의 표면을 보호 및 절연을 위한 보호절연코팅재(30)를 상기 금속전극(20) 표면에 코팅하며, 상기 유전체(10)의 하단측에 접지전극홈이 형성되어지고, 상기 접지전극홈에 접지전극(50)을 코팅하며, 상기 접지전극(50)의 표면에 절연코팅재(40)를 코팅하여 하나의 모듈로 구성하는 것을 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 대범위 리모트 저온 플라즈마 반응기
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플라즈마 반응기에 있어서,대면적에 플라즈마를 발생시키도록 세라믹종류의 유전체(10) 상측에 소정폭과 소정 깊이를 가지며, 길이방향으로 형성되고, 상측으로 향하며, 단면상 'ㄷ'자 형태의 홈을 서로 일정 간격 이격되도록 다수개 가공하고, 이 들 이웃한 단면상'ㄷ' 자 형태의 홈 사이의 공간에 접지전극(60)을 장착할 수 있도록 단면상'ㄷ' 자 형태의 홈과 같은 길이방향으로 하측으로 향하는 소정폭과 소정깊이를 가지는 홈을 가공하고, 각각의 'ㄷ'자 형태의 홈 내측면의 표면 전체에 'ㄷ'자 형태로 금속전극(20)을 코팅하고, 상기 금속전극(20)의 표면을 보호 및 절연을 위한 보호절연코팅재(30)를 상기 금속전극(20) 표면에 코팅하며, 상기 유전체(10)의 하단측에 접지전극홈이 형성되어지고, 상기 접지전극홈에 접지전극(50)을 코팅하며, 상기 접지전극(50)의 표면에 절연코팅재(40)를 코팅한 것을 포함하여 구성된 유전체(10)의 하측으로 향한 소정폭의 홈에 소정 두께를 가지고 형성된 판형태의 측면접지전극(60)을 이웃한 유전체의 단면상'ㄷ' 자 형태 홈의 외부 경계와 측면접지전극(60) 사이에 플라즈마의 발생을 위하여 일정간격의 통공이 생기도록 이격시켜 배치하여 하나의 모듈로 구성하는 것을 특징으로 하는 대범위 리모트 저온 플라즈마 반응기
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플라즈마 반응기에 있어서,대면적에 플라즈마를 발생시키도록 세라믹종류의 유전체(10) 상측에 소정폭과 소정 깊이를 가지며, 길이방향으로 형성되고, 상측으로 향하며, 단면상 'ㄷ'자 형태의 홈을 서로 일정 간격 이격되도록 다수개 가공하고, 이 들 이웃한 단면상'ㄷ' 자 형태의 홈 사이의 공간에 접지전극(70)을 장착할 수 있도록 단면상'ㄷ' 자 형태의 홈과 같은 길이방향으로 하측으로 향하는 소정폭과 소정깊이를 가지는 홈을 가공하고, 각각의 'ㄷ'자 형태의 홈 내측면의 표면 전체에 'ㄷ'자 형태로 금속전극(20)을 코팅하고, 상기 금속전극(20)의 표면을 보호 및 절연을 위한 보호절연코팅재(30)를 상기 금속전극(20) 표면에 코팅하며, 상기 유전체(10)의 하단측에 접지전극홈이 형성되어지고, 상기 접지전극홈에 접지전극(50)을 코팅하며, 상기 접지전극(50)의 표면에 절연코팅재(40)를 코팅한 것을 포함하여 구성된 유전체(10)의 하측으로 향한 소정폭의 홈에 'H'자 형상으로 형성된 측면접지전극(70)을 이웃한 유전체의 단면상'ㄷ' 자 형태 홈의 외부 경계와 측면접지전극(70) 사이에 플라즈마의 발생을 위하여 일정간격의 통공이 생기도록 이격시켜 배치하되, 상기 측면접지전극(70)의 중앙에 인젝션홀(71)이 형성되어 있으며, 하나의 모듈로 구성되는 것을 특징으로 하는 대범위 리모트 저온 플라즈마 반응기
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제 1항 내지 3항중 어느 한항에 있어서,상기 유전체(10)와 측면접지전극(60,70)은 다수개가 배열되어 하나의 모듈로 구성되며, 상기 모듈은 반도체 웨이퍼의 원형형태와 동일하게 길이방향이 원형에 맞추어진 길이로 형성된 것을 특징으로 하는 대범위 리모트 저온 플라즈마 반응기
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제 4항에 있어서,상기 유전체(10)와 측면접지전극(60,70)은 평면상 길이방향이 원형 또는 타원형 또는 다각형으로 형성되어지며, 상기 유전체(10)와 측면접지전극(60,70)으로 이루어진 중심에서 일정 편심되어 반도체 웨이퍼 상측에 위치하는 것을 특징으로 하는 대범위 리모트 저온 플라즈마 반응기
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제 2항 또는 제 3항에 있어서,상기 측면접지전극(60,70)은 아노다이징 처리된 금속을 사용하는 것을 특징으로 하는 대범위 리모트 저온 플라즈마 반응기
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제 2항에 있어서,상기 측면접지전극(60)은 상측을 향하는 'ㄷ'자 형태로 형성되어 상측의 홈으로 냉각수가 흐르는 것을 특징으로 하는 대범위 리모트 저온 플라즈마 반응기
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제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,상기 유전체(10)의 강제 냉각을 수행하여 플라즈마의 온도조절 및 반응기의 내구성 향상을 위하여, 상기 유전체(10)의 보호절연코팅재(30) 상측으로 냉각수가 흐르는 것을 특징으로 하는 대범위 리모트 저온 플라즈마 반응기
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제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 플라즈마 온도를 더욱 낮출 필요가 있을 경우에, 투입되는 공정가스를 외부에 설치된 냉동기를 통한 강제 냉각을 수행하여 리모트 플라즈마의 온도를 감소시키도록 이루어진 것을 특징으로 하는 대범위 리모트 저온 플라즈마 반응기
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제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 고전압발생을 의한 전원장치는 10 kHz 이상 교류전원이며, 상기 유전체(10)간의 간극과 유전체(10)와 측면접지전극(60,70)간의 간극은 1mm이내 인 것을 특징으로 하는 대범위 리모트 저온 플라즈마 반응기
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제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 보호절연코팅재(30)는 테프론 코팅 또는 세라믹용사코팅 중 어느한가지 또는 두가지를 동시에 사용하며, 상기 유전체(10)의 하단에 코팅되는 절연코팅재(40)는 세라믹용사코팅재을 사용하는 것을 특징으로 하는 대범위 리모트 저온 플라즈마 반응기
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제 3항에 있어서,상기 측면접지전극(70)의 중앙에 형성된 인젝션홀(71)에 분사노즐을 설치하여 화학약품 또는 순수 또는 수증기 중 어느한가지 또는 두가지 이상을 주입하는 것을 특징으로 하는 대범위 리모트 저온 플라즈마 반응기
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