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하부 기판 상에 하부 전극층을 증착하고,상기 하부 전극층 상에 다결정 실리콘층을 증착하고,상기 다결정 실리콘층에 이온 임플랜테이션 공정에 의해 선택적으로 이온들을 주입하여 교대로 배치된 복수개의 n형 영역들 및 p형 영역들을 형성하고,상기 다결정 실리콘층을 패터닝하여 교대로 배치된 복수개의 n형 열전 반도체들 및 복수개의 p형 열전 반도체들을 형성하는 것을 포함하는 마이크로 열전 모듈 제조방법
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청구항 8에 있어서,상기 하부 전극층을 증착하기 전, 절연층을 증착하는 것을 더 포함하는 마이크로 열전 모듈 제조방법
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청구항 8에 있어서,상기 하부 전극층을 패터닝하여 각각 인접한 n형 열전 반도체와 p형 열전 반도체를 서로 전기적으로 연결하는 하부 전극들을 형성하는 것을 더 포함하는 마이크로 열전 모듈 제조방법
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청구항 11에 있어서,상기 다결정 실리콘층을 패터닝한 후에, 상기 하부 전극층이 패터닝되는 마이크로 열전 모듈 제조방법
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청구항 8에 있어서,각각 n형 열전 반도체와 p형 열전 반도체를 서로 전기적으로 연결하는 상부 전극들을 형성하는 것을 더 포함하되,상기 상부 전극들은 리프트 오프 기술을 사용하여 형성되는 마이크로 열전 모듈 제조방법
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청구항 8에 있어서,상기 다결정 실리콘층을 패터닝하기 전에, 상기 다결정 실리콘층 상에 전극 패드층을 형성하고,상기 전극패드층을 패터닝하여 상기 n형 영역들 및 p형 영역들 내에 한정된 전극패드들을 형성하는 것을 더 포함하는 마이크로 열전 모듈 제조방법
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하부 기판 상에 하부 전극층 및 다결정 실리콘층을 증착하고,상기 하부 기판 상의 다결정 실리콘층 내에 선택적으로 이온들을 주입하여 복수개의 제1 도전형 영역들을 형성하고,상기 다결정 실리콘층을 패터닝하여 서로 이격된 복수개의 제1 도전형 열전 반도체들을 형성하고,상기 하부 전극층을 패터닝하여 각각 상기 제1 도전형 열전 반도체의 외부로 연장된 연장부를 갖는 하부 전극들을 형성하고, 상기 하부 기판과 별개의 상부 기판 상에 상부 전극층 및 다결정 실리콘층을 형성하고,상기 상부 기판 상의 다결정 실리콘층 내에 선택적으로 이온들을 주입하여 복수개의 제2 도전형 영역들을 형성하고,상기 상부 기판 상의 다결정 실리콘층을 패터닝하여 서로 이격된 복수개의 제2 도전형 열전 반도체들을 형성하고,상기 상부 전극층을 패터닝하여 각각 상기 제2 도전형 열전 반도체의 외부로 연장된 연장부를 갖는 상부 전극들을 형성하고,상기 제1 도전형 열전 반도체들과 상기 제2 도전형 열전 반도체들이 서로 직렬 연결되도록 상기 제1 도전형 열전 반도체들의 단부들을 상기 상부 전극들의 연장부들에 각각 접합하고, 상기 제2 도전형 열전 반도체들의 단부들을 상기 하부 전극들의 연장부들에 각각 접합하는 것을 포함하는 마이크로 열전 모듈 제조방법
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청구항 15에 있어서,상기 하부 및 상부 기판 상에 각각 상기 하부 및 상부 전극층을 형성하기 전에, 상기 하부 및 상부 기판 상에 각각 절연층을 형성하는 것을 더 포함하는 마이크로 열전 모듈 제조방법
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청구항 15에 있어서,상기 다결정 실리콘층들 내에 이온들을 주입하는 것은 이온 임플랜테이션 공정에 의해 수행되는 마이크로 열전 모듈 제조방법
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청구항 15에 있어서,상기 제1 도전형 및 제2 도전형 열전 반도체들 상에 전극 패드들을 형성하고, 상기 전극 패드들이 상기 연장부들에 접합되는 마이크로 열전 모듈 제조방법
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