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자기정렬 유기박막 트랜지스터 및 그 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015128395
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 자기정렬 유기박막 트랜지스터 및 그 제조 방법에 관한 것이다. 본 발명에 따르면, 기판 위에 패터닝된 제1 도전막으로 게이트 전극을 형성하고, 게이트 전극을 덮도록 기판 위에 게이트 절연막을 형성한 후, 게이트 절연막 위에 제2 도전막을 형성한다. 이어서, 기판의 하부 쪽에서 게이트 전극을 마스크로 이용하여 제2 도전막에 자외선을 조사하는 자외선 후면 노광을 수행한 후, 제2 도전막을 현상함으로써 게이트 전극과 자기정렬되어 게이트 전극과 중첩되지 않는 소스/드레인 전극을 형성한다. 이어서, 소스/드레인 전극의 사이 및 상부에 유기 반도체막을 형성한다. 본 발명은 릴-투-릴 공정을 이용하여 유기박막 트랜지스터를 제조할 수 있으므로 제조 공정이 단순해진다.유기박막 트랜지스터, 자기정렬, 후면 노광, 자외선 경화, 릴-투-릴
Int. CL B82Y 40/00 (2011.01) H01L 29/786 (2011.01)
CPC H01L 51/0021(2013.01) H01L 51/0021(2013.01) H01L 51/0021(2013.01) H01L 51/0021(2013.01) H01L 51/0021(2013.01)
출원번호/일자 1020070066207 (2007.07.02)
출원인 한국기계연구원
등록번호/일자 10-0832873-0000 (2008.05.21)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20080602) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2007.07.02)
심사청구항수 13

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국기계연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김강대 대한민국 부산 진구
2 이택민 대한민국 대전 유성구
3 최현철 대한민국 전남 해남군
4 김동수 대한민국 대전 서구
5 최병오 대한민국 대전 서구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 양광남 대한민국 서울(특허법인 퇴사후 사무소변경 미신고)
2 연무식 대한민국 서울(특허법인 퇴사후 사무소변경 미신고)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국기계연구원 대한민국 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2007.07.02 수리 (Accepted) 1-1-2007-0483267-67
2 등록결정서
Decision to grant		 2008.05.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0268452-56
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.04.08 수리 (Accepted) 4-1-2011-5069919-31
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.04.08 수리 (Accepted) 4-1-2011-5069914-14
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2017.11.28 수리 (Accepted) 4-1-2017-5193093-72
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번호 청구항
1 1
기판;상기 기판 위에 패터닝되어 형성된 게이트 전극;상기 기판과 상기 게이트 전극을 덮는 게이트 절연막;상기 게이트 전극과 자기정렬되어 상기 게이트 전극과 중첩되지 않도록 상기 게이트 절연막 위에 형성되는 소스/드레인 전극; 및상기 소스/드레인 전극의 사이 및 상부에 형성되는 유기 반도체막;을 포함하는 자기정렬 유기박막 트랜지스터
2 2
제1항에 있어서,상기 게이트 절연막은 자외선 투과가 가능한 절연성 물질로 이루어지고, 상기 소스/드레인 전극은 자외선 경화가 가능한 도전성 물질로 이루어지는 것을 특징으로 하는 자기정렬 유기박막 트랜지스터
3 3
기판을 제공하는 단계;상기 기판 위에 패터닝된 제1 도전막으로 게이트 전극을 형성하는 단계;상기 게이트 전극을 덮도록 상기 기판 위에 게이트 절연막을 형성하는 단계;상기 게이트 절연막 위에 제2 도전막을 형성하는 단계;상기 기판의 하부 쪽에서 상기 게이트 전극을 마스크로 이용하여 상기 제2 도전막에 자외선을 조사하는 자외선 후면 노광을 수행하는 단계;상기 제2 도전막을 현상함으로써 상기 게이트 전극과 자기정렬되어 상기 게이트 전극과 중첩되지 않는 소스/드레인 전극을 형성하는 단계; 및상기 소스/드레인 전극의 사이 및 상부에 유기 반도체막을 형성하는 단계;를 포함하는 자기정렬 유기박막 트랜지스터의 제조 방법
4 4
제3항에 있어서,상기 게이트 전극 형성 단계는 상기 기판에 섀도우 마스크를 덮고 상기 제1 도전막을 열 증착하는 단계인 것을 특징으로 하는 자기정렬 유기박막 트랜지스터의 제조 방법
5 5
제3항에 있어서,상기 게이트 전극 형성 단계는 열 증착, 전자빔 증착, 스퍼터링, 마이크로 컨택 프린팅, 나노 임프린팅 중의 어느 한 공정을 이용하여 상기 기판에 상기 제1 도전막을 증착하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 자기정렬 유기박막 트랜지스터의 제조 방법
6 6
제3항에 있어서,상기 게이트 절연막 형성 단계는 스핀 코팅 또는 라미네이팅 공정을 이용하여 수행되는 것을 특징으로 하는 자기정렬 유기박막 트랜지스터의 제조 방법
7 7
제3항에 있어서,상기 게이트 절연막은 자외선 투과가 가능한 절연성 물질로 이루어지는 것을 특징으로 하는 자기정렬 유기박막 트랜지스터의 제조 방법
8 8
제3항에 있어서,상기 게이트 절연막은 폴리-4-비닐페놀, 폴리이미드, 폴리비닐알콜, 폴리스티렌, 무기물/유기물의 혼성 절연물 중의 어느 하나로 이루어지는 것을 특징으로 하는 자기정렬 유기박막 트랜지스터의 제조 방법
9 9
제3항에 있어서,상기 제2 도전막 형성 단계는 스크린 프린팅을 이용하여 수행되는 것을 특징으로 하는 자기정렬 유기박막 트랜지스터의 제조 방법
10 10
제3항에 있어서,상기 제2 도전막은 자외선 경화가 가능한 도전성 물질로 이루어지는 것을 특징으로 하는 자기정렬 유기박막 트랜지스터의 제조 방법
11 11
제3항에 있어서,상기 제2 도전막은 전도성 물질이 분말 상태로 자외선 경화 수지에 분산되어 있는 페이스트 형태 또는 전도성 화합물이 이온 상태로 자외선 경화 수지에 분산되어 있는 액상 형태인 것을 특징으로 하는 자기정렬 유기박막 트랜지스터의 제조 방법
12 12
제3항에 있어서,상기 기판은 릴 형태로 제공되는 것을 특징으로 하는 자기정렬 유기박막 트랜지스터의 제조 방법
13 13
제12항에 있어서,상기 게이트 전극 형성 단계, 상기 게이트 절연막 형성 단계, 상기 제2 도전막 형성 단계, 상기 자외선 후면 노광 단계, 상기 소스/드레인 전극 형성 단계, 상기 유기 반도체막 형성 단계 중의 적어도 두 단계는 상기 릴 형태의 기판이 연속적으로 이송되는 상태에서 연속하여 진행되는 것을 특징으로 하는 자기정렬 유기박막 트랜지스터의 제조 방법
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1 CN101542744 CN 중국 FAMILY
2 EP02165370 EP 유럽특허청(EPO) FAMILY
3 JP22532559 JP 일본 FAMILY
4 KR1020090045884 KR 대한민국 FAMILY
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6 WO2009005221 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 CN101542744 CN 중국 DOCDBFAMILY
2 CN101542744 CN 중국 DOCDBFAMILY
3 EP2165370 EP 유럽특허청(EPO) DOCDBFAMILY
4 EP2165370 EP 유럽특허청(EPO) DOCDBFAMILY
5 JP2010532559 JP 일본 DOCDBFAMILY
6 JP2010532559 JP 일본 DOCDBFAMILY
7 JP2010532559 JP 일본 DOCDBFAMILY
8 US2010176379 US 미국 DOCDBFAMILY
9 WO2009005221 WO 세계지적재산권기구(WIPO) DOCDBFAMILY
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1 과기부 한국기계연구원 동북아 R and D 허브 기반 구축사업 디지털 microfluidics와 롤투롤 인쇄기술을 이용한point-of-care 시스템