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금속 기판과 PZT계 압전 후막사이에 La2O3 또는 La(CH3COO)3·6H2O 및 NiO, Ni(CH3COO)4·4H2O 또는 Ni(NO3)4·6H2O의 혼합 조성물로 이루어진 상온 전도성 막을 포함하는 고성능 압전 후막
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제1항에 있어서, 상기 금속 기판은 티타늄, 스테인레스 스틸, 구리, 니켈 및 니켈 합금으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종인 것을 특징으로 하는 고성능 압전 후막
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제1항에 있어서, 상기 PZT계 후막은 Pb1+a(Zrb,Ti1-b)O3 조성물로 이루어지고, a는 0 내지 0
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제1항에 있어서, 상기 PZT계 압전 후막은 두께가 0
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제1항에 있어서, 상기 전도성 막은 금속기판의 산화를 방지하고, PZT계 압전 후막과 기판상의 반응을 억제하는 것을 특징으로 하는 고성능 압전 후막
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제1항에 있어서, 상기 전도성 막은 에어로졸 증착법으로 형성되는 것을 특징으로 하는 고성능 압전 후막
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제1항에 있어서, 상기 전도성 막은 1 - 50 ㎛인 것을 특징으로 하는 고성능 압전 후막
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La2O3 또는 La(CH3COO)3·6H2O 및 NiO, Ni(CH3COO)4·4H2O 또는 Ni(NO3)4·6H2O의 혼합물인 전도성 산화물 원료 분말을 혼합· 하소한 후 재밀링하여 전도성 산화물 분말을 제조하는 단계(단계 1);
상기 단계 1에서 제조된 전도성 산화물 분말을 금속 기판상에 에어로졸법으로 증착시켜 전도성 막을 형성하는 단계(단계 2);
상기 단계 2에서 형성된 상온 전도성 막에 PZT계 세라믹 분말으로 PZT계 압전 후막을 형성하는 단계(단계 3); 및
상기 단계 3에서 PZT계 압전 후막이 형성된 전도성 막/압전 후막을 열처리하는 단계(단계 4)를 포함하는 제1항의 고성능 압전 후막의 제조방법
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제9항에 있어서, 상기 단계 1의 원료분말은 몰비율로 1:1 혼합되는 것을 특징으로 하는 고성능 압전 후막의 제조방법
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제9항에 있어서, 상기 단계 1의 원료분말의 하소는 600 - 900 ℃에서 수행되는 것을 특징으로 하는 고성능 압전 후막의 제조방법
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제9항에 있어서, 상기 단계 1의 전도성 산화물 분말의 평균 입경은 0
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제9항에 있어서, 상기 단계 2의 증착은 에어로졸 증착법으로 전도성 산화물 분말을 100 - 500 m/s로 가속시켜 특징으로 하는 고성능 압전 후막의 제조방법
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제9항에 있어서, 상기 단계 3의 형성은 에어로졸 증착법, 스퍼터링법, 졸-겔(Sol-gel)법 및 스크린 프린팅법으로 이루어진 군으로 선택되는 어느 하나 또는 이를 병용하는 것을 특징으로 하는 고성능 압전 후막의 제조방법
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제15항에 있어서, 상기 에어로졸 증착법은 PZT계 세라믹 분말을 100 - 500 m/s의 속도로 가속시켜 분사시키는 것을 특징으로 하는 고성능 압전 후막의 제조방법
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제9항에 있어서, 상기 단계 3의 PZT계 세라믹 분말은 0
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제9항에 있어서, 상기 단계 4의 열처리는 500 - 900℃에서 수행되는 것을 특징으로 하는 고성능 압전 후막의 제조방법
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