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(1) 고체 기판 상에 탄소나노튜브 박막을 형성하는 단계; (2) 상기 탄소나노튜브 박막 상에 연성 투명 기판을 형성할 수 있는 전구체를 도포하는 단계; (3) 상기 전구체를 경화시켜, 상기 탄소나노튜브 박막이 고정화된 연성 투명 기판으로 만드는 단계; 및 (4) 상기 고체 기판을 제거하는 단계를 포함하여 이루어지는 전도성 투명 전극 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 고체 기판은 여과 멤브레인, 금속기판, 불투명 무기기판, 투명 무기기판 및 폴리머 기판 중에서 선택되는 것을 특징으로 하는 전도성 투명 전극 제조방법
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제2항에 있어서, 상기 여과 멤브레인은 알루미늄 옥사이드, 폴리카보네이트, 폴리에틸렌 테레프탈레이트, 질산 셀룰로스 또는 초산 셀룰로스와 같은 셀룰로스 에스테르, 나일론, 폴리프로필렌 및 폴리에테르술폰으로 이루어진 군에서 선택된 재질의 것이고, 상기 여과 멤브레인의 기공의 직경은 0
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제1항에 있어서, 상기 탄소나노튜브는 단일벽 탄소나노튜브, 이중벽 탄소나노튜브, 다중벽 탄소나노튜브, 탄소나노섬유 또는 흑연으로 이루어진 군에서 하나 이상 선택되는 것을 특징으로 하는 전도성 투명 전극 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 탄소나노튜브는 금, 은 또는 구리 금속의 나노입자로 치환된 형태인 것을 특징으로 하는 전도성 투명 전극 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 연성 투명 기판을 형성할 수 있는 전구체는, 폴리디메틸실록산, 폴리에폭사이드, 폴리아크릴레이트, 폴리이미드, 폴리에스테르, 폴리카보네이트, 셀룰로스아세테이트, 폴리스티렌, 폴리올레핀, 폴리메타크릴레이트, 폴리술폰, 폴리에테르술폰 또는 폴리비닐아세테이트를 형성할 수 있는 단량체인 것을 특징으로 하는 전도성 투명 전극 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 (1)단계에서 상기 고체 기판 상의 탄소나노튜브 박막의 형성은, 진공여과법, 자기조립법, 랭뮤어-블로제트법, 용액캐스팅법, 바코팅법, 침지코팅법, 스핀코팅법, 분사코팅법 및 롤투롤법으로 이루어진 군에서 선택된 방법에 의해 수행되는 것을 특징으로 하는 전도성 투명 전극 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 (1)단계에서 상기 고체 기판 상의 탄소나노튜브 박막의 형성은, 계면활성제로서 트리톤 X-100, 도데실벤젠술폰산의 나트륨염, 세틸 트리메틸 암모늄 브로마이드 또는 소듐 도데실 설페이트를 포함하고, 0
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제1항에 있어서, 상기 (1)단계에서 상기 고체 기판 상의 탄소나노튜브 박막의 형성은, 용매로서 N-메틸피롤리돈, o-디클로로벤젠, 디클로로에탄, 디메틸포름아미드 또는 클로로포름을 포함하고, 0
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제1항에 있어서, 상기 (2)단계에서 상기 탄소나노튜브 박막 상에, 연성 투명 기판을 형성할 수 있는 전구체의 도포는, 바코팅법, 침지코팅법, 스핀코팅법, 분사코팅법 및 롤투롤법으로 이루어진 군에서 선택된 방법에 의해 수행되는 것을 특징으로 하는 전도성 투명 전극 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 (3)단계에서 상기 전구체의 경화는, 냉각에 의해, 경화제에 의해, 열에 의해, 자외선 조사에 의해, 또는 용매의 휘발에 의해 수행되는 것을 특징으로 하는 전도성 투명 전극 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 (4)단계에서 상기 고체 기판의 제거는, 기계적 박리에 의해, 또는 용매에 의한 상기 고체 기판의 용해에 의해 수행되는 것을 특징으로 하는 전도성 투명 전극 제조방법
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