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치밀한 구조를 갖는 스피넬계 전도성 박막, 이의 제조방법및 이를 이용한 금속 접속자

  • 기술번호 : KST2015128507
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 치밀한 구조를 갖는 스피넬계 전도성 박막, 이의 제조방법 및 이를 이용한 금속 접속자에 관한 것으로, 본 발명에 의하면 에어로졸 증착법을 이용하여 형성된 스피넬계 전도성 산화물을 치밀한 구조를 갖는 박막은 고온으로 인해 생성되는 금속 산화층의 형성을 감소시켜 높은 온도 및 장시간 열처리에도 20 mΩ·㎠ 이하의 전기 전도성을 유지하여 안정성이 우수한 전도성 기판을 제조할 수 있을 뿐만 아니라, 고온하에서 장시간에 사용가능하여 800 ℃ 이하에서 사용되는 저온형 고체 산화물 연료전지(SOFC)의 금속재료 접속자의 장기사용안정성을 높이는 데 유용하게 사용할 수 있다. 에어로졸 증착법, 스피넬 구조, 산화방지, 접속자, 전도성 산화물, 금속 기판
Int. CL H01M 8/04 (2006.01) H01M 8/10 (2006.01)
CPC H01M 8/0215(2013.01) H01M 8/0215(2013.01) H01M 8/0215(2013.01) H01M 8/0215(2013.01) H01M 8/0215(2013.01) H01M 8/0215(2013.01) H01M 8/0215(2013.01)
출원번호/일자 1020080055701 (2008.06.13)
출원인 한국기계연구원
등록번호/일자 10-0960270-0000 (2010.05.20)
공개번호/일자 10-2009-0129665 (2009.12.17) 문서열기
공고번호/일자 (20100607) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2008.06.13)
심사청구항수 10

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국기계연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 최종진 대한민국 부산시 연제구
2 박동수 대한민국 경남 창원시

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 이원희 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 ***, 성지하이츠빌딩*차 ***호 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국기계연구원 대한민국 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2008.06.13 수리 (Accepted) 1-1-2008-0423334-78
2 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2009.02.04 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2009-0068869-33
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2009.05.08 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2009.06.11 수리 (Accepted) 9-1-2009-0033980-48
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2009.11.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2009-0487018-14
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2009.12.18 수리 (Accepted) 1-1-2009-0786193-29
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2009.12.18 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2009-0786192-84
8 등록결정서
Decision to grant		 2010.05.19 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0211786-24
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.04.08 수리 (Accepted) 4-1-2011-5069914-14
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.04.08 수리 (Accepted) 4-1-2011-5069919-31
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2017.11.28 수리 (Accepted) 4-1-2017-5193093-72
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번호 청구항
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3 3
원료 분말을 밀링하여 혼합하여 하소하여 전도성 산화물을 제조하는 단계(단계 1); 상기 단계 1의 전도성 산화물을 재밀링하여 전도성 산화물 분말을 제조하는 단계(단계 2); 및 상기 단계 2에서 제조된 전도성 산화물 분말을 금속 기판상에 증착하여 박막을 형성시키는 단계(단계 3);를 포함하는 스피넬계 전도성 박막의 제조방법
4 4
제3항에 있어서, 상기 단계 1의 원료 분말은 망간 산화물 및 코발트 산화물인 것을 특징으로 하는 치밀성이 향상된 스피넬계 전도성 박막의 제조방법
5 5
제4항에 있어서, 상기 망간 산화물은 Mn(NO3)2, MnO2 또는 MnCO3 인 것을 특징으로 하는 치밀성이 향상된 스피넬계 전도성 박막의 제조방법
6 6
제4항에 있어서, 상기 코발트 산화물은 Co3O4, CoCO3 또는 Co(NO3)2 인 것을 특징으로 하는 치밀성이 향상된 스피넬계 전도성 박막의 제조방법
7 7
제3항에 있어서, 상기 단계 1의 밀링은 100 - 300 rpm에서 6 - 24시간 동안 수행하는 것을 특징으로 하는 치밀성이 향상된 스피넬계 전도성 박막의 제조방법
8 8
제3항에 있어서, 상기 단계 1의 하소는 900 - 1400 ℃에서 1 - 8시간 동안 수행되는 것을 특징으로 하는 치밀성이 향상된 스피넬계 전도성 박막의 제조방법
9 9
제3항에 있어서, 상기 단계 2의 재밀링은 100 - 300 rpm에서 10 - 24시간 동안 수행하는 것을 특징으로 하는 치밀성이 향상된 스피넬계 전도성 박막의 제조방법
10 10
제3항에 있어서, 상기 단계 2의 분말의 평균 입경은 0
11 11
제3항에 있어서, 상기 단계 3의 금속 기판은 티타늄, 스테인레스 스틸, 구리, 니켈 및 니켈 합금으로 이루어진 군으로부터 선택되는 어느 하나인 것을 특징으로 하는 치밀성이 향상된 스피넬계 전도성 박막의 제조방법
12 12
제3항에 있어서, 상기 단계 3의 증착은 에어로졸 증착법인 것을 특징으로 하는 치밀성이 향상된 스피넬계 전도성 박막의 제조방법
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