맞춤기술찾기

이전대상기술

열전모듈 및 이의 제조방법

  • 기술번호 : KST2015128547
  • 담당센터 : 부산기술혁신센터
  • 전화번호 : 051-606-6561
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 사출금형 내부에 인서트(Insert)된 기판 일면에 P형반도체 또는 N형반도체가 사출 성형되는 열전모듈 및 제조방법에 관한 것이다. 본 발명에 의한 열전모듈은, 상/하면을 형성하며 발열 또는 흡열하는 상부기판(110) 및 하부기판(120)과, 상기 상부기판(110) 및 하부기판(120)의 일면에 구비되어 공급된 전원의 흐름을 안내하는 전극(130)과, 상기 전극(130) 사이에 이격된 다수 P형반도체(140) 및 N형 반도체(150)를 포함하여 구성되며, 상기 P형반도체(140)와 N형반도체(150) 중 어느 하나는, 전극(130)이 형성된 상태로 사출금형 내부에 인서트(Insert)된 상부기판(110) 또는 하부기판(120)에 사출 성형됨을 특징으로 한다. 이와 같은 구성에 의하면, 열전모듈을 저렴한 제조비용으로 대량 생산 가능하며, 박막화가 가능한 이점이 있다. 열전모듈, 사출성형, 인서트, 슬러리(slurry)
Int. CL H01L 35/34 (2006.01) H01L 35/32 (2006.01)
CPC H01L 35/32(2013.01) H01L 35/32(2013.01) H01L 35/32(2013.01) H01L 35/32(2013.01)
출원번호/일자 1020090035319 (2009.04.23)
출원인 한국기계연구원
등록번호/일자 10-0996299-0000 (2010.11.17)
공개번호/일자 10-2010-0116749 (2010.11.02) 문서열기
공고번호/일자 (20101123) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2009.04.23)
심사청구항수 11

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 한국기계연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 하국현 대한민국 부산광역시 북구
2 이길근 대한민국 부산광역시 해운대구

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 김기문 대한민국 서울시 강남구 역삼로 *** *층 (역삼동 현죽빌딩)(한미르특허법률사무소)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 한국기계연구원 대한민국 대전광역시 유성구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2009.04.23 수리 (Accepted) 1-1-2009-0245025-89
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2010.05.07 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2010.06.14 수리 (Accepted) 9-1-2010-0034963-64
4 등록결정서
Decision to grant
2010.11.13 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0515742-78
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2011.04.08 수리 (Accepted) 4-1-2011-5069919-31
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2011.04.08 수리 (Accepted) 4-1-2011-5069914-14
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2017.11.28 수리 (Accepted) 4-1-2017-5193093-72
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
상/하면을 형성하며 발열 또는 흡열하는 상부기판 및 하부기판과, 상기 상부기판 및 하부기판의 일면에 구비되어 공급된 전원의 흐름을 안내하는 전극과, 상기 전극 사이에 이격된 다수 P형반도체 및 N형 반도체를 포함하여 구성되며, 상기 P형반도체와 N형반도체 중 어느 하나는, 전극이 형성된 상태로 사출금형 내부에 인서트(Insert)된 상부기판 또는 하부기판에 사출 성형됨을 특징으로 하는 열전모듈
2 2
제 1 항에 있어서, 상기 전극은 은(Ag) 또는 구리(Cu)로 형성됨을 특징으로 하는 열전모듈
3 3
제 1 항에 있어서, 상기 P형반도체 및 N형반도체는 열전분말과 유기용제가 혼합된 슬러리(slurry)를 사출 성형하여 형성한 것임을 특징으로 하는 열전모듈
4 4
제 3 항에 있어서, 상기 P형반도체 및 N형반도체는 가열 가압에 의해 소결되어 전극과 부착됨을 특징으로 하는 열전모듈
5 5
열전모듈의 외관 일부를 형성하는 상부기판 또는 하부기판의 일면에 상부전극 또는 하부전극을 형성하는 전극형성단계와, 상기 상부전극 또는 하부전극의 일면에 P형반도체 또는 N형반도체를 형성하는 반도체형성단계와, 상기 상부기판과 하부기판을 접합하여 열전모듈을 형성하는 모듈형성단계를 포함하여 구성되며, 상기 반도체형성단계는, 상기 상부전극 또는 하부전극 일측에 열전분말과 유기용제가 혼합된 슬러리(slurry)를 사출하여 P형반도체 또는 N형반도체를 형성하는 과정임을 특징으로 하는 열전모듈의 제조방법
6 6
제 5 항에 있어서, 상기 전극형성단계는, 상기 상부기판 하면에 상부전극을 형성하는 과정과, 상기 하부기판 상면에 하부전극을 형성하는 과정으로 이루어지며, 상기 상부전극과 하부전극은 일부가 서로 겹쳐지는 위치에 형성됨을 특징으로 하는 열전모듈의 제조방법
7 7
제 5 항에 있어서, 상기 반도체형성단계는, 상기 상부전극 또는 하부전극이 형성된 상부기판 또는 하부기판을 사출금형 내부에 인서트(insert)하는 금형장입과정과, 상기 사출금형 내부에 슬러리를 사출하여 P형반도체 또는 N형반도체를 형성하는 슬러리사출과정과, 사출된 슬러리를 일정 두께만큼 절단하는 두께보정과정과, 사출금형을 형개(型開)하는 금형개방과정과, 개방된 사출금형 내부로부터 슬러리가 부착된 상부기판 또는 하부기판을 인출하는 기판인출과정으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 열전모듈의 제조방법
8 8
제 7 항에 있어서, 상기 모듈형성단계에서, 상기 슬러리에 포함된 유기용제는 제거되는 것을 특징으로 하는 열전모듈의 제조방법
9 9
제 8 항에 있어서, 상기 모듈형성단계에서, 일단부가 상기 상부기판과 하부기판에 각각 부착된 슬러리의 타단부는 하부기판과 상부기판에 각각 부착됨을 특징으로 하는 열전모듈의 제조방법
10 10
제 5 항에 있어서, 상기 전극형성단계 이전에는, P형반도체 및 N형반도체를 구성하게 될 열전분말을 제조하는 분말제조단계와, 분쇄된 열전분말을 수소 환원하는 수소환원단계와, 상기 수소환원단계를 거친 열전분말을 유기용제와 혼합하여 슬러리(slurry)화하는 슬러리단계가 구성됨을 특징으로 하는 열전모듈의 제조방법
11 11
제 7 항에 있어서, 상기 금형장입과정과, 슬러리사출과정 및 두께보정과정은 P형반도체와 N형반도체를 형성시에 각각 실시됨을 특징으로 하는 열전모듈의 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.