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저온 열처리 공정을 이용한 다공성 세라믹 후막의 제조방법 및 이에 의해 제조되는 나노크기의 기공을 가지는 다공성 세라믹 후막

  • 기술번호 : KST2015128549
  • 담당센터 : 부산기술혁신센터
  • 전화번호 : 051-606-6561
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 저온 열처리공정을 이용한 다공성 세라믹 후막의 제조방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 세라믹 분말과 유기물 기공 형성체 분말을 분말혼합하는 단계(단계 1); 상기 단계 1의 혼합분말을 상온진공분말분사법으로 모재 일측에 증착하는 단계(단계 2); 및 상기 증착막에서 열처리공정으로 유기물 기공 형성체를 제거하여 다공성 세라믹 후막을 제조하는 단계(단계 3)를 포함하는 저온 열처리공정을 이용한 다공성 세라믹 후막의 제조방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 다공성 세라믹 후막의 제조방법은 상온진공분말분사법을 이용하여 코팅막을 제조하고, 저온 열처리를 통해 모재와의 반응에 영향을 미치지 않는 다공성 막을 형성할 수 있으며, 상기 방법으로 제조된 다공성 세라믹 후막은 나노크기의 기공 및 입자분포를 가지므로 전극의 활성을 증가시켜 고체연료전지, 촉매, 염료감응태양전지 및 가스센서 등의 다공성 세라믹 후막에 유용하게 사용할 수 있다. 세라믹 분말, 유기물 기공 형성체 분말, 상온진공분말분사법, 고체연료전지
Int. CL C04B 38/00 (2006.01) H01M 8/04 (2006.01)
CPC C04B 38/067(2013.01) C04B 38/067(2013.01) C04B 38/067(2013.01) C04B 38/067(2013.01) C04B 38/067(2013.01) C04B 38/067(2013.01) C04B 38/067(2013.01)
출원번호/일자 1020090032109 (2009.04.14)
출원인 한국기계연구원
등록번호/일자 10-1079249-0000 (2011.10.27)
공개번호/일자 10-2010-0113685 (2010.10.22) 문서열기
공고번호/일자 (20111103) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2009.04.14)
심사청구항수 8

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국기계연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 최종진 대한민국 부산시 연제구
2 박동수 대한민국 경남 창원시
3 최준환 대한민국 경남 창원시 가음동 *

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 이원희 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 ***, 성지하이츠빌딩*차 ***호 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국기계연구원 대한민국 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2009.04.14 수리 (Accepted) 1-1-2009-0223539-29
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2010.05.06 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2010.06.16 수리 (Accepted) 9-1-2010-0036906-18
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2011.03.11 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0137049-13
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2011.04.08 수리 (Accepted) 4-1-2011-5069919-31
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2011.04.08 수리 (Accepted) 4-1-2011-5069914-14
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2011.04.19 수리 (Accepted) 1-1-2011-0291062-39
8 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2011.04.19 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0291063-85
9 등록결정서
Decision to grant
2011.10.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0620411-46
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2017.11.28 수리 (Accepted) 4-1-2017-5193093-72
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번호 청구항
1 1
세라믹 분말과 유기물 기공 형성체 분말을 분말혼합하는 단계(단계 1); 상기 단계 1의 혼합분말을 상온진공분말분사법으로 모재 일측에 증착하는 단계(단계 2); 및 상기 증착막에서 열처리공정으로 유기물 기공 형성체를 제거하여 다공성 세라믹 후막을 제조하는 단계(단계 3)를 포함하는 저온 열처리공정을 이용한 다공성 세라믹 후막의 제조방법
2 2
제1항에 있어서, 상기 단계 1의 세라믹 분말은 (La,Sr)MnO3, (La,Sr)CoO3, (La,Sr)FeO3, LSM-YSZ, NiO-YSZ, TiO2 또는 Al2O3 인 것을 특징으로 하는 다공성 세라믹 후막의 제조방법
3 3
제1항에 있어서, 상기 단계 1의 유기물 기공 형성체는 폴리비닐리덴플루오라이드(PVDF), 폴리이미드(PI) 또는 폴리메틸메타크릴레이트(PMMA)인 것을 특징으로 하는 다공성 세라믹 후막의 제조방법
4 4
제1항에 있어서, 상기 단계 1의 분말혼합은 세라믹 분말에 대하여 유기물 기공 형성체의 함량이 5 - 50 부피%인 것을 특징으로 하는 다공성 세라믹 후막의 제조방법
5 5
제1항에 있어서, 상기 단계 3의 열처리공정은 300 - 500 ℃의 온도범위에서 수행되는 것을 특징으로 하는 다공성 세라믹 후막의 제조방법
6 6
5 - 50 부피%의 나노 기공을 갖는 제1항의 제조방법에 의해 제조되는 다공성 세라믹 후막
7 7
제6항에 있어서, 상기 다공성 세라믹 후막은 20 - 200 ㎚ 크기의 기공을 갖는 것을 특징으로 하는 다공성 세라믹 후막
8 8
제6항에 있어서, 상기 다공성 세라믹 후막은 고체 산화물 연료전지의 전극소재로 사용되는 것을 특징으로 하는 다공성 세라믹 후막
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패밀리정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 지식경제부 재료연구소 출연연 기본사업 중,저온 SOFC용 나노구조 박막형 전해질/전극 소재 기술 개발