| 1 |
1
액상 염화티타늄(TiCl4)이 저장되는 저장부와, 액상 마그네슘(Mg)이 저장되는 반응부와, 양 단이 상기 저장부와 반응부에 연결되어 상기 저장부 내의 염화티타늄(TiCl4)을 상기 반응부 내로 이송시키는 이송관이 포함된 스폰지 티타늄 제조장치에 있어서,
상기 이송관은 상기 염화티타늄(TiCl4)이 이송되는 내관; 및
상기 내관의 외경보다 큰 내경을 가지며 상기 내관을 커버하는 외관으로 이루어지는 이중관이고,
상기 이송관은 상기 내관과 외관의 이격 공간에 설치되어 내관 부식부로부터 유출되는 염산가스를 센싱하는 적어도 하나 이상의 염산가스 센서와, 상기 이송관의 양 측에 상기 염산가스 센서의 가스유출신호에 의해 상기 이송관을 밀폐시키는 차단부재를 포함하는 것을 특징으로 하는 스폰지 티타늄 제조장치
|
| 2 |
2
삭제
|
| 3 |
3
삭제
|
| 4 |
4
제 1항에 있어서,
상기 이송관은 일 단이 상기 외관에 연결되어 밀폐된 가스를 외부로 배출시키는 덕트(duct)를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 스폰지 티타늄 제조장치
|
| 5 |
5
제 4항에 있어서,
상기 덕트(Duct)는 타 단이 물분사부재와 연결되는 것을 특징으로 하는 스폰지 티타늄 제조장치
|
| 6 |
6
액상 마그네슘(Mg)이 저장된 반응부에 액상 염화티타늄(TiCl4)을 공급하여 스폰지 티타늄으로 환원시키는 스폰지 티타늄 환원단계가 포함된 스폰지 티타늄 제조방법에 있어서,
상기 스폰지 티타늄 환원단계는,
저장부의 액상 염화티타늄(TiCl4)을 이송관의 내관을 통하여 반응부로 공급하는 제 1공정;
상기 내관의 부식부로부터 염산가스가 유출되는 경우 상기 염산가스를 염산가스 센서에 의해 센싱하는 제 2공정;
상기 염산가스 센서의 가스유출신호로 작동되는 차단부재에 의해 이송관을 밀폐시키는 제 3공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 스폰지 티타늄 제조방법
|
| 7 |
7
제 6항에 있어서,
상기 스폰지 티타늄 환원단계는,
밀폐된 이송관에 존재하는 가스를 덕트(Duct)를 통하여 외부로 배출시키는 제 4공정을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 스폰지 티타늄 제조방법
|
| 8 |
8
제 7항에 있어서,
상기 스폰지 티타늄 환원단계는,
상기 가스를 물분사 샤워방식으로 희석시켜 외부로 배출시키는 제 5공정을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 스폰지 티타늄 제조방법
|
