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π형으로 접속되는 p형 반도체 패턴과 n형 반도체 패턴이 직렬로 연결된 마이크로 열전 에너지 변환 모듈 제조 과정에서
티타늄 패턴층(120'a, 220'a)과 금 패턴층(120'b, 220'b)이 상하로 적층되어 n형 타입의 제1반도체 패턴층(160)이 형성되는 제1전극패턴층(120') 또는 p형 타입의 제2반도체 패턴층(260)이 형성되는 제2전극패턴층(220') 상에 마스크 얼라이너에 의해 고정되는 쉐도우 마스크에 있어서,
상하를 관통하는 하부 개구(140'-1)의 상층부를 이루는 제1 하부 개구(140'-1a)가 형성되는 상부 멤브레인 패턴층(141'-1)과, 제1 하부 개구(140'-1a)의 하단부로부터 확장되어 상기 하부 개구(140'-1)의 하층부를 이루는 제2 하부 개구(140'-1b)가 형성되는 하부 멤브레인 패턴층(141'-2)을 포함하는 멤브레인 패턴층(141');
상기 멤브레인 패턴층(141') 상부에 적층되며 상기 하부 개구(140'-1)와 연통되도록 상하를 관통하는 상부 개구(140'-2)가 형성되고,
실리콘 웨이퍼 패턴층(142'-1)과, 상기 실리콘 웨이퍼 패턴층(142'-1) 하부에 적층 형성되는 일측 절연 패턴층(142'-2)과, 상기 일측 절연 패턴층(142'-2) 하부에 적층 형성되는 접착 보조 패턴층(142'-3)과, 상기 접착 보조 패턴층(142'-3) 하부에 적층 형성되어 하면이 상기 상부 멤브레인 패턴층(141'-1) 상면에 접촉하는 도금 전극 패턴층(142'-4)과, 상기 실리콘 웨이퍼 패턴층(142'-1) 상부에 적층 형성되는 타측 절연 패턴층(142'-5)과, 상기 타측 절연 패턴층(142'-5) 상부에 적층 형성되는 식각 보호 패턴층(142'-6)을 포함하는 멤브레인 보강층(142'); 을 포함하는 것을 특징으로 하는 마이크로 열전 에너지 변환 모듈 제조용 쉐도우 마스크
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제1항의 마이크로 열전 에너지 변환 모듈 제조용 쉐도우 마스크의 제조 방법으로서,
실리콘 웨이퍼(142-1) 일측면에 일측 절연층(142-2), 접착 보조층(142-3) 및 도금 전극층(142-4)을 순차적으로 적층 형성하는 단계;
상기 실리콘 웨이퍼(142-1) 일측면에 대향되는 타측면에 타측 절연층(142-5) 및 식각 보호층(142-6)을 순차적으로 적층 형성하는 단계;
상기 도금 전극층(142-4)의 일측면에 제1 개구(142'-7h)를 갖는 제1 일측 포토레지스트 패턴층(142'-7)을 적층 형성하는 단계;
도금 공정 및 CMP 공정에 의하여 상기 제1 일측 포토레지스트 패턴층(142'-7)의 제1 개구(142'-7h)에 상기 상부 멤브레인 패턴층(141'-1)을 적층 형성하는 단계;
상기 제1 일측 포토레지스트 패턴층(142'-7)의 일측면 및 상기 상부 멤브레인 패턴층(141'-1) 일측면에 상기 하부 멤브레인 패턴층(141'-2)이 적층 형성 가능한 제2 개구(142'-8h)를 갖는 제2 일측 포토레지스트 패턴층(142'-8)을 적층 형성하는 단계;
도금 공정 및 CMP 공정에 의하여 상기 제2 일측 포토레지스트 패턴층(142'-8)의 제2 개구(142'-8h)에 상기 하부 멤브레인 패턴층(141'-2)을 적층 형성하는 단계;
상기 제1 일측 포토레지스트 패턴층(142'-7) 및 제2 일측 포토레지스트 패턴층(142'-8)을 제거하여 상기 멤브레인 패턴층(141')을 노출시키는 단계;
상기 식각 보호층(142-6) 및 타측 절연층(142-5)을 순차적으로 식각하고, 상기 실리콘 웨이퍼(142-1)를 식각하고, 상기 일측 절연층(142-2), 접착 보조층(142-3), 도금 전극층(142-4)을 순차적으로 식각하여 상기 상부 개구(140'-2)를 형성하는 단계;
를 포함하는 것을 특징으로 하는 마이크로 열전 에너지 변환 모듈 제조용 쉐도우 마스크의 제조 방법
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제4항에 있어서,
상기 일측 절연층(142-2)은 실리콘 디옥사이드(SiO2)로 형성되고,
상기 접착 보조층(142-3)은 실리콘 나이트라이드(Si3N4)로 형성되고,
상기 도금 전극층(142-4)은 티타늄(Ti) 및 구리(Cu)가 순차적으로 적층되거나 탄탈륨(Ta) 및 구리(Cu)가 순차적으로 적층되어 형성되고,
상기 타측 절연층(142-5)은 실리콘 디옥사이드(SiO2)로 형성되고,
상기 식각 보호층(142-6)은 실리콘 나이트라이드(Si3N4)로 형성되는 것을 특징으로 마이크로 열전 에너지 변환 모듈 제조용 쉐도우 마스크의 제조 방법
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