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ⅰ) 올리고머릭 실세스퀴옥산(Polyhedral oligomeric silsesquioxanes)과, 폴리에스테르(메트)아크릴레이트(Polyester(meth)acrylate), 폴리우레탄(메트)아크릴레이트(Polyurethane(meth)acrylate) 및 에폭시(메트)아크릴레이트(Epoxy(meth)acrylate)를 포함하는 광반응성 올리고머 로 이루어진 군에서 선택되는 1종 이상의 광반응성 중합체 10 내지 30 중량%;ⅱ) 상기 광반응성 올리고머의 단량체로 이루어진 군에서 선택되는 1종 이상의 광반응성 단량체(monomer) 60 내지 85 중량%; 및ⅲ) 광개시제(initiator) 1 내지 10 중량%를 포함하며, 점도가 5 내지 1000 cp인 역 임프린트 몰드(reversal imprint mold) 제조용 수지 조성물
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제1항에 있어서, 상기 (ⅰ) 내지 (ⅲ)성분의 합 100 중량부에 대하여, ⅳ) 이형제 1 내지 50 중량부를 더욱 포함하는 역 임프린트 몰드 제조용 수지 조성물
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제1항에 있어서, ⅲ) 상기 광개시제는 Irgacure 184, Irgacure 369, Irgacure 651, Irgacure 819, Irgacure 907, 벤지온알킬에테르(Benzionalkylether), 벤조페논(Benzophenone), 벤질디메틸카탈(Benzyl dimethyl katal), 하이드록시사이클로헥실페닐아세톤(Hydroxycyclohexyl phenylacetone), 클로로아세토페논(Chloroacetophenone), 1,1-디클로로아세토페논(1,1-Dichloro acetophenone), 디에톡시아세토페논(Diethoxy acetophenone), 하이드록시아세토페논(디에톡시아세토페논(Hydroxy Acetophenone), 2-클로로티옥산톤(2-Choro thioxanthone), 2-ETAQ(2-EthylAnthraquinone), 1-하이드록시-사이클로헥실-페닐-케톤(1-Hydroxy-cyclohexyl-phenyl-ketone), 2-하이드록시-2-메틸-1-페닐-1-프로파논(2-Hydroxy-2-methyl-1-phenyl-1-propanone), 2-하이드록시-1-[4-(2-하이드록시에톡시)페닐]-2-메틸-1-프로파논(2-Hydroxy-1-[4-(2-hydroxyethoxy)phenyl]-2-methyl-1-propanone), 및 메틸벤조일포메이트(methylbenzoylformate)로 이루어진 군에서 1종 이상 선택되는 것인 역 임프린트 몰드 제조용 수지 조성물
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제2항에 있어서, ⅳ) 상기 이형제는 실리콘계 또는 불소계 이형제로 이루어진 군에서 1종 이상 선택되는 것인 역 임프린트 몰드 제조용 수지 조성물
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ⅰ) 청구항 제1항에 의한 수지 조성물로부터 제조되는 역 임프린트용 몰드를 준비하는 단계;ⅱ) 기판 위에 전이시키고자 하는 고분자 수지를 상기 몰드에 코팅하는 단계; 및ⅲ) Tg-80℃ 내지 Tg의 온도에서 상기 코팅된 몰드를 기판 위에 0
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제7항에 있어서,ⅳ) 상기 (ⅱ) 및 (ⅲ)단계를 반복하여 적어도 2 이상의 서로 다른 고분자 수지를 적층시키는 단계를 더 포함하는 역 임프린트 방법
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제7항에 있어서, 상기 (ⅱ)단계의 고분자 수지는 PMMA(Polymethymethacrylate), PS(Polystyrene), P3HT(poly(3-hexylthiophene)), 구리 프탈로시아닌(copper phthalocyanine), PCBM([6,6]-phenyl-C61-butyric acid methyl ester), F8BT(poly(9,9-dioctylfluorene-alt-benzothiadiazole)), TFB(poly(9,9-dioctylfluorene-co-N-(4-butylphenyl)diphenylamine), 무기입자를 포함하는 고분자 나노복합 수지 및 폴리아닐린으로 이루어진 군에서 1종 이상 선택되는 것인 역 임프린트 방법
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