1 |
1
압전 세라믹스 매트릭스 내에 자왜 세라믹스 상이 2D 연결성(connectivity)으로 분산되어 있는 3-2 구조의 압전 세라믹스-자왜 세라믹스 자기-전기결합 나노복합체 후막
|
2 |
2
제1항에 있어서, 상기 나노복합체 후막은 상기 압전 세라믹스 60~95 중량%, 상기 자왜 세라믹스 5~40 중량%를 함유하는 것을 특징으로 하는 자기-전기결합 나노복합체 후막
|
3 |
3
제1항에 있어서, 상기 나노복합체 후막은 5 ㎛ 이상의 두께를 갖는 것을 특징으로 하는 자기-전기결합 나노복합체 후막
|
4 |
4
제1항에 있어서, 상기 압전 세라믹스는 Pb(Zr,Ti)O3, BaTiO3, SrBi4Ti4O12, (K0
|
5 |
5
제1항에 있어서, 상기 자왜 세라믹스는 MnFe2O4, Fe3O4, CoFe2O4, MgFe2O4, Li0
|
6 |
6
제1항에 있어서, 상기 압전 세라믹스는 0
|
7 |
7
제1항에 있어서, 상기 나노복합체 후막은 200~250의 유전상수(εr)를 갖는 것을 특징으로 하는 자기-전기결합 나노복합체 후막
|
8 |
8
제1항에 있어서, 상기 나노복합체 후막은 100 mV/cm
|
9 |
9
삭제
|
10 |
10
세라믹소재를 혼합용기에 장입하고, 기판을 스테이지에 고정하는 재료준비단계(S100); 상기 혼합용기 내부에 캐리어가스를 공급하여 세라믹소재와 캐리어가스를 혼합하는 가스공급단계(S200);상기 혼합용기 내부에서 혼합된 캐리어가스 및 세라믹소재를 이송시켜 상기 기판에 분사하는 입자분사단계(S300); 상기 스테이지를 이송하여 기판에 나노복합체 후막을 형성하는 나노복합체 후막 형성단계(S400); 및상기 형성된 나노복합체 후막을 열처리하여 입자크기를 성장시키는 열처리단계(S500)를 포함하는 진공 분말 분사법을 이용한 제1항의 자기-전기결합 나노복합체 후막의 제조방법
|
11 |
11
제10항에 있어서, 상기 세라믹소재는 압전 세라믹스와 자왜 세라믹스의 혼합 분말인 것을 특징으로 하는 자기-전기결합 나노복합체 후막의 제조방법
|
12 |
12
제11항에 있어서, 상기 압전 세라믹스는 Pb(Zr,Ti)O3, BaTiO3, SrBi4Ti4O12, (K0
|
13 |
13
제11항에 있어서, 상기 자왜 세라믹스는 MnFe2O4, Fe3O4, CoFe2O4, MgFe2O4, Li0
|
14 |
14
제11항에 있어서, 상기 압전 세라믹스는 0
|
15 |
15
제10항에 있어서, 상기 세라믹소재는 압전 세라믹스 60 ~ 95 중량% 및 자왜 세라믹스 5 ~ 40 중량%를 함유하는 특징으로 하는 자기-전기결합 나노복합체 후막의 제조방법
|
16 |
16
제1항의 자기-전기결합 나노복합체 후막을 이용한 자기 센서
|
17 |
17
제1항의 자기-전기결합 나노복합체 후막을 이용한 자기-전기 변환기
|
18 |
18
제1항의 자기-전기결합 나노복합체 후막을 이용한 에너지 하베스팅 장치
|
19 |
19
삭제
|