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기판;상기 기판 상에 형성된 버퍼층;상기 버퍼층 상에 형성되고, 산화물 반도체층을 포함하는 복수의 박막 트랜지스터;인접한 박막 트랜지스터를 연결하는 브리지(bridge); 및상기 복수의 박막 트랜지스터와 상기 브리지 상에 형성된 보호막;을 포함하고,상기 브리지에는 주름 패턴이 형성된, 박막 트랜지스터 패널
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제1항에 있어서,상기 기판은 고무 또는 폴리머로 형성된, 박막 트랜지스터 패널
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제1항에 있어서,상기 복수의 박막 트랜지스터는 격자 형태로 배열된, 박막 트랜지스터 패널
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제3항에 있어서,상기 브리지는 하나의 박막 트랜지스터 주위의 4개의 박막 트랜지스터를 연결하는, 박막 트랜지스터 패널
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제1항에 있어서,인접하는 한 쌍의 박막 트랜지스터는 2개의 상기 브리지로 연결되는, 박막 트랜지스터 패널
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제1항에 있어서,상기 복수의 박막 트랜지스터는 정사각형 또는 원형으로 형성된, 박막 트랜지스터 패널
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제1항에 있어서,상기 브리지의 상기 주름 패턴의 파장은 상기 브리지의 길이의 1/3 이하로 형성된, 박막 트랜지스터 패널
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제1항에 있어서,상기 산화물 반도체층은 아연 산화물(zinc oxide) 또는 인듐-갈륨 아연 산화물(indium gallium zinc oxide)로 형성된, 박막 트랜지스터 패널
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제1항에 있어서,상기 브리지는 상기 버퍼층과 일체로 형성된, 박막 트랜지스터 패널
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기판;상기 기판 상에 형성된 버퍼층;상기 버퍼층 상에 형성되고, 산화물 반도체층을 포함하는 복수의 박막 트랜지스터;인접한 박막 트랜지스터를 연결하는 브리지(bridge); 및상기 복수의 박막 트랜지스터와 상기 브리지 상에 형성된 보호막;을 포함하고,상기 복수의 박막 트랜지스터는 제1 방향을 따라 일렬로 배열되고, 상기 제1 방향과 수직한 제2 방향을 따라 교호적으로 배열된, 박막 트랜지스터 패널
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제10항에 있어서,상기 기판은 고무 또는 폴리머로 형성된, 박막 트랜지스터 패널
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제10항에 있어서,상기 브리지는 상기 제2 방향을 따라 인접하는 상기 복수의 박막 트랜지스터를 연결하는, 박막 트랜지스터 패널
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제10항에 있어서,상기 브리지는 상기 제1 방향을 따라 인접하는 상기 복수의 박막 트랜지스터를 연결하고, 상기 브리지에는 주름 패턴이 형성된, 박막 트랜지스터 패널
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제10항에 있어서,상기 복수의 박막 트랜지스터는 상기 제1 방향을 따라 길게 형성되는 직사각형 또는 상기 제1 방향을 따라 길게 형성되는 타원형으로 형성된, 박막 트랜지스터 패널
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제14항에 있어서,상기 박막트랜지스터는 상기 제1 방향을 따라 길게 형성되는 직사각형으로 형성되고,상기 제1 방향을 따라 형성되는 박막 트랜지스터의 한 변의 길이(L), 상기 제1 방향과 직교하는 제2 방향을 따라 형성되는 박막 트랜지스터의 길이(H) 및 상기 제2 방향을 따라 인접하는 박막 트랜지스터 사이의 거리(D)는,2≤L/H≤50, 0
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제10항에 있어서,상기 산화물 반도체층은 아연 산화물 또는 인듐-갈륨 아연 산화물로 형성된, 박막 트랜지스터 패널
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17
제10항에 있어서,상기 브리지는 상기 버퍼층과 일체로 형성된, 박막 트랜지스터 패널
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고무 또는 폴리머로 형성된 기판 상에 희생층을 적층하고,희생층 상에 버퍼층을 형성하고,상기 버퍼층 상에 게이트 전극, 게이트 절연막, 산화물 반도체층, 소스 전극 및 드레인 전극을 순차적으로 적층한 후 패터닝하여 복수의 박막 트랜지스터를 형성하고,인접한 복수의 박막 트랜지스터를 연결하는 브리지를 형성하고,상기 박막 트랜지스터 상에 보호막을 형성하고,상기 희생층을 제거하고, 연신시킨 기판 상에 상기 브리지로 연결된 상기 복수의 박막 트랜지스터를 전사하고,상기 기판을 수축시켜 상기 브리지에 주름을 형성하는 단계를 포함하는 박막 트랜지스터 패널의 제조 방법
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제18항에 있어서,상기 브리지는 상기 버퍼층을 연장하여 형성하는, 박막 트랜지스터 패널의 제조 방법
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제18항에 있어서,상기 산화물 반도체층은 아연 산화물 또는 인듐-갈륨 아연 산화물로 형성하는, 박막 트랜지스터 패널의 제조 방법
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제18항에 있어서,상기 희생층은 게르마늄 또는 산화 게르마늄으로 형성하는, 박막 트랜지스터 패널의 제조 방법
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제18항에 있어서,상기 복수의 박막 트랜지스터를 형성한 후, 400℃ 이상의 고온에서 열처리하는 단계를 더 포함하는 박막 트랜지스터 패널의 제조 방법
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