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금속 산화물 또는 금속 질화물로 구성되는 비전도성 금속 화합물을 포함하는 기판을 제공하는 단계;
레이저를 이용하여 상기 기판을 표면 개질하여 상기 기판 상에 회로 패턴부를 형성하는 단계; 및
상기 표면 개질된 회로 패턴부를 무전해 도금하는 단계를 포함하는 기판의 회로 형성 방법
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제 1항에 있어서,
상기 회로 패턴부는 홈 형태로 이루어지는, 기판의 회로 형성 방법
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제 1항에 있어서,
상기 무전해 도금된 회로 패턴부를 전해 도금하는 단계를 포함하는, 기판의 회로 형성 방법
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4
제 1항에 있어서,
상기 금속 화합물은 (CuFe)(CrFe)2O4, CuCr2O4, (NiMn)(CrFe)2O4, NiCr2O4, CuCo3, Al2O3 또는 AlN 인 것을 특징으로 하는, 기판의 회로 형성 방법
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5
제 1항에 있어서,
상기 금속 화합물은 탄소를 포함하는 비전도성 미세 입자를 포함하는, 기판의 회로 형성 방법
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제 5항에 있어서,
상기 미세 입자는 비전도성 카본 블랙(Carbon black)인, 기판의 회로 형성 방법
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제 1항에 있어서,
상기 레이저는 상기 기판의 모재는 투과되며, 상기 금속 화합물에는 흡수가 되는 레이저인, 기판의 회로 형성 방법
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8
금속 산화물 또는 금속 질화물로 구성되는 비전도성 금속 화합물로 이루어진 기판에 형성된 회로 로서,
레이저에 의하여 표면 개질된 상기 기판의 표면상에 형성된 도금층으로 이루어지는 것을 특징으로 하는, 회로
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9
제 8항에 있어서,
상기 도금층은 무전해 도금층을 포함하는, 회로
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제 9항에 있어서,
상기 도금층은 전해 도금층을 더 포함하는, 회로
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적어도 일부가 상부면에 위치된 제 1 회로를 포함하는 기판의 제 1층을 제공하는 단계;
상기 제 1 층의 상부면에 금속 산화물 또는 금속 질화물로 구성되는 비전도성 금속 화합물을 포함하는 기판의 제 2 층을 제공하는 단계;
레이저를 이용하여 상기 기판의 제 2층에 회로 패턴부를 형성하는 단계;
상기 회로 패턴부 내부를 무전해 도금하여 상기 제 1 층의 상기 제 1 회로와상기 제 2 층의 회로 패턴부를 전기적으로 연결하는 단계;
상기 회로 패턴부 상부를 표면 개질하는 단계 및
상기 표면 개질된 회로 패턴부 상부를 무전해 도금하여 제 2 층에 상기 제 1회로와 연결된 제 2 회로를 형성하는 단계를 포함하는, 기판의 층간 회로 연결 방법
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제 11항에 있어서,
상기 레이저를 이용하여 상기 기판의 제 2층에 회로 패턴부를 형성하는 단계는, 상기 레이저가 상기 기판을 통과하는 동안 상기 레이저가 상기 기판 내 재료들과 반응할 때 발생하는 상기 재료들의 검출 신호를 분석하여 상기 기판의 가공 깊이를 선택하는, 기판의 층간 회로 연결 방법
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제 12항에 있어서,
상기 검출 신호는 상기 레이저가 통과하는 재료가 레이저와 반응할 때 발생하는 플라즈마를 분광하여 측정되는, 기판의 층간 회로 연결 방법
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제 12항에 있어서,
상기 기판의 가공 깊이를 선택하는 것은 상기 분석된 재료의 검출 신호가 제 1 신호로부터 제 2 신호로 달라지게 되는 깊이를 상기 기판의 가공 깊이로 선택하는, 기판의 층간 회로 연결 방법
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제 14항에 있어서,
상기 제 1 신호는 상기 레이저가 상기 기판 재료와 반응할 때 발생하는 플라즈마 스펙트럼에 의한 신호이며, 상기 제 2 신호는 상기 레이저가 상기 회로 재료와 반응할 때 발생하는 플라즈마 스팩트럼에 의한 신호인, 기판의 층간 회로 연결 방법
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제 11항에 있어서,
상기 회로 패턴부는 상기 제 1 층의 상부면에 위치된 상기 제 1 회로의 일부와 연결되는 패턴홀을 포함하는, 기판의 층간 회로 연결 방법
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17
제 11항에 있어서,
상기 회로 패턴부는 홈 또는 홀 형태로 이루어지는, 기판의 층간 회로 연결 방법
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제 11항에 있어서,
상기 회로 패턴부 내부를 전해 도금하는 단계를 더 포함하는, 기판의 층간 회로 연결 방법
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제 11항에 있어서,
상기 무전해 도금된 회로패턴 상부를 전해 도금하는 단계를 포함하는, 기판의 층간 회로 연결 방법
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제 11항에 있어서,
상기 회로 패턴부 상부를 표면 개질하는 것은 레이저를 이용하여 이루어지는, 기판의 층간 회로 연결 방법
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제 11항에 있어서,
상기 금속 화합물은 (CuFe)(CrFe)2O4, CuCr2O4, (NiMn)(CrFe)2O4, NiCr2O4, CuCo3, Al2O3 또는 AlN 인 것을 특징으로 하는, 기판의 층간 회로 연결 방법
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제 11항에 있어서,
상기 금속 화합물은 탄소를 포함하는 비전도성 미세 입자를 포함하는, 기판의 층간 회로 연결 방법
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제 22항에 있어서,
상기 미세 입자는 비전도성 카본 블랙(Carbon black)인, 기판의 층간 회로 연결 방법
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제 11항에 있어서,
상기 레이저는 상기 기판의 모재는 투과되며, 상기 금속 화합물에는 흡수가 되는 레이저인, 기판의 층간 회로 연결 방법
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금속 산화물 또는 금속 질화물로 구성되는 비전도성 금속 화합물을 포함하는 기판에 위치되며 전기적으로 절연된 제 1 회로 및 제 2 회로를 연결하는 방법으로서,
레이저를 이용하여, 상기 제 1 회로의 적어도 일부 및 상기 제 2 회로의 적어도 일부를 포함하는 회로 패턴부를 형성하는 단계,
상기 회로 패턴부 내부를 무전해 도금하여 상기 제 1 회로와 상기 제 2 회로를 전기적으로 연결하는 전기적 연결부를 형성하는 단계를 포함하는, 기판의 회로 연결 방법
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제 25항에 있어서,
상기 회로 패턴부는 홈 또는 홀 형태로 이루어지는, 기판의 회로 연결 방법
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제 25항에 있어서,
상기 회로 패턴부 내부를 전해 도금하는 단계를 더 포함하는, 기판의 회로 연결 방법
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제 25항에 있어서,
상기 회로 패턴부 상부를 표면 개질하는 단계 및
상기 표면 개질된 회로 패턴부 상부를 무전해 도금하는 단계를 포함하는, 기판의 회로 연결 방법
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제 25항에 있어서,
상기 무전해 도금된 회로패턴부의 상부를 전해 도금하는 단계를 포함하는, 기판의 회로 연결 방법
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제 25항에 있어서,
상기 회로 패턴부의 상부를 표면 개질하는 것은 레이저를 이용하여 이루어지는, 기판의 회로 연결 방법
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제 25항에 있어서,
상기 금속 화합물은 (CuFe)(CrFe)2O4, CuCr2O4, (NiMn)(CrFe)2O4, NiCr2O4, CuCo3, Al2O3 또는 AlN 인 것을 특징으로 하는, 기판의 회로 연결 방법
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제 25항에 있어서,
상기 금속 화합물은 탄소를 포함하는 비전도성 미세 입자를 포함하는, 기판의 회로 연결 방법
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제 32항에 있어서,
상기 미세 입자는 비전도성 카본 블랙(Carbon black)인, 기판의 회로 연결 방법
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제 25항에 있어서,
상기 레이저는 상기 기판의 모재는 투과되며, 상기 금속 화합물에는 흡수가 되는 레이저인, 기판의 회로 연결 방법
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