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인듐포스파이드 코아를 형성하는 단계; 및II족 원소와 VI족 원소를 동시에 포함하고 일정 온도 이상 가열시 분해되어 II-VI족 화합물 형성이 가능한 단일분자 전구체를 이용하여 상기 인듐포스파이드 코아의 표면에 II-VI족 화합물 반도체 껍질을 형성하는 단계를 포함하는 II-VI족 화합물 껍질 코팅을 갖는 인듐포스파이드 양자점의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 단일분자 전구체는 징크(zink)와 황(sulfur)을 모두 포함하는 징크 다이에틸디티오카바메이트(zinc diethyldithiocarbamate), 징크 다이메틸디티오카바메이트(zinc dimethyldicarbamate)와 같이 징크(zinc)와 황(sulfur)을 포함하는 분자로 구성된 그룹에서 적어도 하나의 물질을 포함하고, 상기 II-VI족 화합물 껍질은 징크설파이드(ZnS)로 형성되는 것을 특징으로 하는 II-VI족 화합물 껍질 코팅을 갖는 인듐포스파이드 양자점의 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 II-VI족 화합물 반도체 껍질을 형성하는 단계는상기 인듐포스파이드 코아를 포함하는 용액을 담고 있는 반응기에 상기 단일분자 전구체가 용해된 전구체 용액을 추가한 다음, 소정의 온도에서 소정의 시간 동안 가열하는 것을 특징으로 하는 II-VI족 화합물 껍질 코팅을 갖는 인듐포스파이드 양자점의 제조방법
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제3항에 있어서,상기 가열은 25~250℃의 온도 범위에서 0
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제3항에 있어서, 상기 II-VI 족 화합물 반도체 껍질을 형성하는 단계에서는 상기 단일 분자 전구체 용액을 시간 간격을 두고 추가로 주입하면서 가열 공정을 수행하여 다중 껍질로 이루어진 상기 II-VI족 화합물 반도체 껍질을 형성하는 것을 특징으로 하는 II-VI족 화합물 껍질 코팅을 갖는 인듐포스파이드 양자점의 제조방법
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제5항에 있어서, 상기 시간 간격을 두고 추가로 주입되는 상기 전구체 용액은 같은 징크설파이드 전구체 용액인 것을 특징으로 하는 II-VI족 화합물 껍질 코팅을 갖는 인듐포스파이드 양자점의 제조방법
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제5항에 있어서,상기 다중 껍질은 순차적으로 형성된 InxZn1-xPxS1-x 껍질(단, x는 0이상 내지 1미만으로서, 그 값은 순차적으로 감소한다)이 되도록, 상기 징크설파이드 전구체 용액과 인듐포스파이드를 포함하는 단일분자 전구체 용액의 혼합 비율을 점진적으로 변화하도록 시간 간격을 두고 주입하는 것을 특징으로 하는 II-VI족 화합물 껍질 코팅을 갖는 인듐포스파이드 양자점의 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 인듐포스파이드 코아를 형성하는 단계는인듐 전구체 용액과 포스파이드 전구체 용액을 혼합하는 혼합 단계;상기 혼합된 전구체 용액을 제1 온도까지 가열하여 소정의 시간 동안 유지하는 제1 열처리 단계; 및상기 가열된 전구체 용액을 상기 제1 온도보다 높은 제2 온도까지 가열하여 소정의 시간 동안 유지하는 제2 열처리 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 II-VI족 화합물 껍질 코팅을 갖는 인듐포스파이드 양자점의 제조방법
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제1항 내지 제8항 중에서 어느 하나의 항에 기재되어 있는 제조방법으로 제조된 인듐포스파이드 양자점
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