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Na/K 합금을 제조하는 단계 (단계 1);디메톡시에탄(dimethoxyethane)과 적린(red phosphorus)을 상기 단계 1에서 제조된 Na/K 합금에 첨가하여 가열하는 단계 (단계 2);상기 단계 2에서 가열된 용액에 디메톡시에탄에 용해된 터셔리-부틸디메틸클로로실란(tert-butyldimethylchlorosilane)을 첨가하여 가열하는 단계 (단계 3); 및상기 단계 3에서 혼합된 용액에서 P(SiMe2-tert-Bu)3의 추출 단계 (단계 4)를 포함하는 것을 특징으로 하는 P(SiMe2-tert-Bu)3의 제조방법
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제 2항에 있어서, 상기 단계 1에서 Na/K 합금은 Na : K의 몰비가 1 ~ 5 : 1 또는 1 : 1 ~ 5 인 것을 특징으로 하는 P(SiMe2-tert-Bu)3의 제조방법
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제 2항에 있어서, 상기 단계 1의 Na/K 합금 제조 시 가열 온도는 80~140 ℃인 것을 특징으로 하는 P(SiMe2-tert-Bu)3의 제조방법
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제 2항에 있어서, 상기 단계 2에서 적린의 첨가량은 적린 : Na/K 합금의 몰비가 1 : 3 ~ 1 : 4인 것을 특징으로 하는 P(SiMe2-tert-Bu)3의 제조방법
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제 2항에 있어서, 상기 단계 2는 40~60 ℃의 온도로 20~28시간 가열하는 것을 특징으로 하는 P(SiMe2-tert-Bu)3의 제조방법
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제 2항에 있어서, 상기 단계 3에서 터셔리-부틸디메틸클로로실란의 첨가량은 터셔리-부틸디메틸클로로실란 : Na/K 합금의 몰비가 0
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제 2항에 있어서, 상기 단계 3은 40~60 ℃의 온도로 20~28시간 가열하는 것을 특징으로 하는 전구체 P(SiMe2-tert-Bu)3의 제조방법
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전구체 P(SiMe2-tert-Bu)3을 포함하는 InP 양자점
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제 9항에 있어서, 상기 전구체 P(SiMe2-tert-Bu)3을 포함하는 InP 양자점은 2~5 nm의 직경을 갖는 것을 특징으로 하는 전구체 P(SiMe2-tert-Bu)3을 포함하는 InP 양자점
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미리스트산(myristic acid, MA)와 1-옥타데켄(1-octadecene, ODE)의 혼합물에 인듐 아세테이트를 첨가하여 90~120 ℃로 가열하는 단계 (단계 a);ODE에 전구체 P(SiMe2-tert-Bu)3을 용해시키는 단계 (단계 b);상기 단계 a에서 제조된 용액을 210~300 ℃로 가열하고 단계 b에서 제조된 용액을 주입하는 단계 (단계 c); 상기 단계 c에서 혼합된 용액을 냉각하는 단계 (단계 d);상기 단계 d에서 냉각된 용액에서 InP 양자점을 침전시킨 후 세정하는 단계 (단계 e)포함하는 것을 특징으로 하는 InP 양자점의 제조방법
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제 11항에 있어서, 상기 단계 e에서 양자점의 침전 및 세정은 메탄올 및 부탄올의 혼합액으로 수행되는 것을 특징으로 하는 InP 양자점의 제조방법
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제 12항에 있어서, 상기 단계 a에서 인듐 아세테이트와 MA의 몰비는 1 : 2
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전구체 P(SiMe2-tert-Bu)3를 포함하는 코어/쉘 형태의 InP/ZnS 양자점
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제 14항에 있어서, 상기 양자점은 500~650 nm에서 발광성을 나타내는 것을 특징으로 하는 전구체 P(SiMe2-tert-Bu)3을 포함하는 코어/쉘 형태의 InP/ZnS 양자점
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미리스트산(myristic acid, MA)과 1-옥타데켄(1-octadecene,ODE)의 혼합물에 인듐 전구체를 첨가하여 90~120 ℃로 가열하는 단계 (단계 A);ODE에 전구체 P(SiMe2-tert-Bu)3을 용해시키는 단계 (단계 B);상기 단계 A에서 제조된 용액을 210~300 ℃로 가열하고 상기 단계 B에서 제조된 용액을 주입하는 단계 (단계 C); ODE에 징크 디에틸디티오카바메이트(zinc dietyldithiocarbamate, ZDC), 트리옥틸포스핀(Trioctylphosphine, TOP) 및 올레익산(oleic acid, OLA)을 혼합하는 단계 (단계 D); 상기 단계 C의 용액과 상기 단계 D의 용액을 혼합 후 냉각하는 단계 (단계 E); 상기 단계 E에서 냉각된 용액으로부터 코어/쉘 형태의 InP/ZnS 양자점을 침전 시킨 후 세정하는 단계 (단계 F); 및 상기 단계 F에서 생성된 침전을 필터링하고 건조하는 단계 (단계 G)를 포함하는 것을 특징으로 하는 전구체 P(SiMe2-tert-Bu)3를 포함하는 코어/쉘 형태의 InP/ZnS 양자점의 제조방법
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