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변형률 측정 장치

  • 기술번호 : KST2015128750
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 고속으로 미세 시험편의 변형률을 측정할 수 있는 변형률 측정 장치를 제공한다. 본 발명의 변형률 측정 장치는 회절 격자가 형성된 미세 시험편에 하중을 인가하는 인장 및 피로 시험 설비에 적용되며, 회절 격자와 거리를 두고 미세 시험편의 일측에 위치하고 회절 격자를 향해 레이저광을 방출하는 광원과, 광원의 적어도 일측에 배치되며 회절 격자에 의해 반사된 레이저광을 제공받아 레이저광의 위치를 검출하는 적어도 하나의 광 센서와, 광원 및 광 센서와 연결되어 미세 시험편의 변형률을 연산하는 제어부를 포함한다.
Int. CL G01N 3/08 (2006.01) G01B 11/16 (2006.01)
CPC G01B 11/167(2013.01) G01B 11/167(2013.01) G01B 11/167(2013.01) G01B 11/167(2013.01) G01B 11/167(2013.01)
출원번호/일자 1020100095322 (2010.09.30)
출원인 한국기계연구원
등록번호/일자 10-1033031-0000 (2011.04.27)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20110509) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2010.09.30)
심사청구항수 24

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국기계연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김재현 대한민국 대전 유성구
2 장봉균 대한민국 대전 유성구
3 황보윤 대한민국 대전 유성구
4 이학주 대한민국 대전 유성구
5 최병익 대한민국 대전 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 팬코리아특허법인 대한민국 서울특별시 강남구 논현로**길 **, 역삼***빌딩 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국기계연구원 대한민국 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2010.09.30 수리 (Accepted) 1-1-2010-0632902-07
2 보정요구서
Request for Amendment		 2010.10.01 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2010-0087161-24
3 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2010.10.05 수리 (Accepted) 1-1-2010-0643361-53
4 [우선심사신청]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Preferential Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)		 2010.11.12 수리 (Accepted) 1-1-2010-0741101-76
5 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2010.12.21 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
6 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2011.01.05 수리 (Accepted) 9-1-2011-0000272-27
7 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2011.01.19 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0032780-97
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2011.03.16 수리 (Accepted) 1-1-2011-0192357-58
9 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2011.03.16 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0192358-04
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.04.08 수리 (Accepted) 4-1-2011-5069919-31
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.04.08 수리 (Accepted) 4-1-2011-5069914-14
12 등록결정서
Decision to grant		 2011.04.18 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0206902-52
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2017.11.28 수리 (Accepted) 4-1-2017-5193093-72
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
회절 격자가 형성된 미세 시험편에 하중을 인가하는 인장 및 피로 시험 설비용 변형률 측정 장치에 있어서,상기 회절 격자와 거리를 두고 상기 미세 시험편의 일측에 위치하며 상기 회절 격자를 향해 레이저광을 방출하는 광원;상기 미세 시험편과 상기 광원 사이 또는 상기 미세 시험편을 기준으로 상기 광원의 반대쪽에 설치되는 오목 거울;상기 미세 시험편과 상기 오목 거울 사이에 배치되며 상기 회절 격자와 상기 오목 거울에 의해 순차적으로 반사된 레이저광을 제공받아 레이저광의 위치를 검출하는 적어도 하나의 광 센서; 및상기 광원 및 상기 광 센서와 연결되어 상기 미세 시험편의 변형률을 연산하는 제어부를 포함하는 변형률 측정 장치
2 2
제1항에 있어서,상기 광원은 400nm 내지 800nm 파장의 레이저광을 방출하는 변형률 측정 장치
3 3
제1항에 있어서,상기 광 센서는 포토 다이오드로 구성되는 변형률 측정 장치
4 4
제1항에 있어서,상기 미세 시험편은 제1 방향으로 하중을 인가받으며,상기 광 센서는 상기 제1 방향을 따라 상기 광원의 일측에 배치된 제1 광 센서와, 상기 광원의 다른 일측에 배치된 제2 광 센서를 포함하는 변형률 측정 장치
5 5
제4항에 있어서,상기 제1 광 센서와 상기 제2 광 센서는 상기 광원에 대해 같은 거리를 두고 배치되는 변형률 측정 장치
6 6
제5항에 있어서,상기 오목 거울은 상기 미세 시험편과 상기 광원 사이에 설치되고,상기 제1 광 센서와 상기 제2 광 센서는 상기 미세 시험편과 상기 오목 거울 사이에 위치하는 변형률 측정 장치
7 7
제6항에 있어서,상기 오목 거울은 상기 오목 거울의 초점 거리에 상기 미세 시험편이 위치하도록 설치되는 변형률 측정 장치
8 8
제6항에 있어서,상기 오목 거울은 상기 광원과 마주하는 중앙에 개구부를 형성하여 상기 광원에서 방출된 레이저광을 통과시키는 변형률 측정 장치
9 9
제5항에 있어서,상기 오목 거울은 상기 미세 시험편을 기준으로 상기 광원의 반대쪽에 설치되고,상기 미세 시험편은 투명한 물질로 형성되며,상기 제1 광 센서와 상기 제2 광 센서는 상기 미세 시험편과 상기 오목 거울 사이에 위치하는 변형률 측정 장치
10 10
제9항에 있어서,상기 오목 거울은 상기 오목 거울의 초점 거리에 상기 미세 시험편이 위치하도록 설치되는 변형률 측정 장치
11 11
제4항 내지 제10항 중 어느 한 항에 있어서,상기 제1 방향과 직교하는 제2 방향을 따라 상기 광원의 일측에 배치된 제3 광 센서와, 상기 광원의 다른 일측에 배치된 제4 광 센서를 더 포함하는 변형률 측정 장치
12 12
회절 격자가 형성된 미세 시험편에 제1 방향을 따라 하중을 인가하는 인장 및 피로 시험 설비용 변형률 측정 장치에 있어서,상기 회절 격자와 거리를 두고 상기 미세 시험편의 일측에 위치하며 상기 회절 격자를 향해 레이저광을 방출하는 광원;상기 제1 방향을 따라 상기 광원의 적어도 일측에 배치되며 상기 회절 격자에 의해 반사된 레이저광을 제공받아 레이저광의 위치를 검출하는 광 센서; 및상기 광원 및 상기 광 센서와 연결된 제어부를 포함하고,상기 제어부는 하기 수식 (1)에 의해 상기 제1 방향에 따른 상기 회절 격자의 간격(a)을 산출하며, -- (1)하기 수식 (2)에 의해 상기 제1 방향에 따른 상기 미세 시험편의 변형률(ε)을 연산하는 변형률 측정 장치
13 13
제12항에 있어서,상기 광 센서는 상기 제1 방향을 따라 상기 광원의 일측에 배치된 제1 광 센서와, 상기 광원의 다른 일측에 배치된 제2 광 센서를 포함하며,상기 제어부는 상기 제1 광 센서로부터 측정된 레이저광의 위치 좌표와 상기 제2 광 센서로부터 측정된 레이저광의 위치 좌표의 평균을 구해서 상기 레이저광의 위치 좌표(D1)를 산출하는 변형률 측정 장치
14 14
제13항에 있어서,상기 제1 방향과 직교하는 제2 방향을 따라 상기 광원의 일측에 배치된 제3 광 센서와, 상기 광원의 다른 일측에 배치된 제4 광 센서를 더 포함하며,상기 제어부는 하기 수식 (3)에 의해 상기 제2 방향에 따른 상기 회절 격자의 간격(b)을 산출하고, -- (3)하기 수식 (4)에 의해 상기 제2 방향에 따른 상기 미세 시험편의 변형률(ε')을 연산하는 변형률 측정 장치
15 15
제14항에 있어서,상기 제어부는 상기 제3 광 센서로부터 측정된 레이저광의 위치 좌표와 상기 제4 광 센서로부터 측정된 레이저광의 위치 좌표의 평균을 구해서 상기 레이저광의 위치 좌표(D2)를 산출하는 변형률 측정 장치
16 16
제14항에 있어서,상기 제어부는 하기 수식 (5)에 의해 상기 미세 시험편의 푸아송 비(υ)를 연산하는 변형률 측정 장치
17 17
회절 격자가 형성된 미세 시험편에 제1 방향을 따라 하중을 인가하는 인장 및 피로 시험 설비용 변형률 측정 장치에 있어서,상기 회절 격자와 거리를 두고 상기 미세 시험편의 일측에 위치하며 상기 회절 격자를 향해 레이저광을 방출하는 광원;상기 미세 시험편과 상기 광원 사이 또는 상기 미세 시험편을 기준으로 상기 광원의 반대쪽에 설치되며, 자신의 초점 거리에 상기 미세 시험편이 위치하도록 설치된 오목 거울;상기 미세 시험편과 상기 오목 거울 사이에 배치되며 상기 회절 격자와 상기 오목 거울에 의해 순차적으로 반사된 레이저광을 제공받아 레이저광의 위치를 검출하는 광 센서; 및상기 광원 및 상기 광 센서와 연결된 제어부를 포함하고,상기 제어부는 하기 수식 (6)에 의해 상기 제1 방향에 따른 상기 회절 격자의 간격(a)을 산출하며, -- (6)하기 수식 (7)에 의해 상기 제1 방향에 따른 상기 미세 시험편의 변형률(ε)을 연산하는 변형률 측정 장치
18 18
제17항에 있어서,상기 미세 시험편이 불투명할 때 상기 오목 거울은 상기 미세 시험편과 상기 광원 사이에 위치하며,상기 오목 거울은 상기 광원과 마주하는 중앙에 개구부를 형성하여 상기 광원에서 방출된 레이저광을 통과시키는 변형률 측정 장치
19 19
제17항에 있어서,상기 미세 시험편이 투명할 때 상기 오목 거울은 상기 미세 시험편을 기준으로 상기 광원의 반대쪽에 설치되는 변형률 측정 장치
20 20
제17항에 있어서,상기 광 센서는 상기 제1 방향을 따라 상기 광원의 일측에 배치된 제1 광 센서와, 상기 광원의 다른 일측에 배치된 제2 광 센서를 포함하며,상기 제어부는 상기 제1 광 센서로부터 측정된 레이저광의 위치 좌표와 상기 제2 광 센서로부터 측정된 레이저광의 위치 좌표의 평균을 구해서 상기 레이저광의 위치 좌표(D1)를 산출하는 변형률 측정 장치
21 21
제20항에 있어서,상기 제1 방향과 직교하는 제2 방향을 따라 상기 광원의 일측에 배치된 제3 광 센서와, 상기 광원의 다른 일측에 배치된 제4 광 센서를 더 포함하며,상기 제어부는 하기 수식 (8)에 의해 상기 제2 방향에 따른 회절 격자의 간격(b)을 산출하고, -- (8)하기 수식 (9)에 의해 상기 제2 방향에 따른 상기 미세 시험편의 변형률(ε')을 연산하는 변형률 측정 장치
22 22
제21항에 있어서,상기 제어부는 상기 제3 광 센서로부터 측정된 레이저광의 위치 좌표와 상기 제4 광 센서로부터 측정된 레이저광의 위치 좌표의 평균을 구해서 상기 레이저광의 위치 좌표(D2)를 산출하는 변형률 측정 장치
23 23
제21항에 있어서,상기 제어부는 하기 수식 (10)에 의해 상기 미세 시험편의 푸아송 비(υ)를 연산하는 변형률 측정 장치
24 24
제12항 내지 제23항 중 어느 한 항에 있어서,상기 광원은 400nm 내지 800nm 파장의 레이저광을 방출하며,상기 광 센서는 포토 다이오드로 구성되는 변형률 측정 장치
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 지식경제부,교육과학부 한국기계연구원 국가플랫폼기술개발사업,21c 프론티어기술개발사업 안전성 향상을 위한 나노 제품 설계 기술, 10nm급 측정 원천기술 개발