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분화유도체층을 형성하는 단계;상기 분화유도체층의 일부를 선택적으로 제거하여 전극영역을 형성하는 단계;상기 분화유도체층 및 상기 전극영역에 유기실버잉크를 도포하는 단계; 및열처리를 통해 상기 전극영역에 도포된 상기 유기실버잉크가 전도성 실버 클러스터를 형성하고, 상기 분화유도체층에 도포된 상기 유기실버잉크가 비전도성 실버 클러스터를 형성하도록 하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 자기분화법을 이용한 박막트랜지스터의 전극 형성 방법
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기판상에 게이트 전극을 패턴하는 단계;상기 게이트 전극 상부에 유전체층을 적층하는 단계;상기 유전체층 상부에 분화유도체층을 적층하는 단계;상기 분화유도체층의 일부를 선택적으로 제거하여 전극영역을 형성하도록 하는 단계;상기 분화유도체층 및 상기 전극영역에 유기실버잉크를 도포하는 단계;상기 기판을 열처리하여 상기 전극영역에 도포된 상기 유기실버잉크가 전도성 실버 클러스터를 형성하고, 상기 분화유도체층에 도포된 상기 유기실버잉크가 비전도성 실버 클러스터를 형성하도록 하는 단계; 및상기 전도성 및 비전도성 영역이 자기분화된 상기 기판 상부에 반도체층을 형성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 자기분화법을 이용한 박막트랜지스터 제조 방법
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기판상에 게이트 전극을 패턴하는 단계;상기 게이트 전극 상부에 유전체층을 적층하는 단계;상기 유전체층 상부에 반도체층을 형성하는 단계;상기 반도체층 상부에 분화유도체층을 적층하는 단계;상기 분화유도체층의 일부를 선택적으로 제거하여 전극영역을 형성하도록 하는 단계;상기 분화유도체층 및 상기 전극영역에 유기실버잉크를 도포하는 단계;상기 기판을 열처리하여 상기 전극영역에 도포된 상기 유기실버잉크가 전도성 실버 클러스터를 형성하고, 상기 분화유도체층에 도포된 상기 유기실버잉크가 비전도성 실버 클러스터를 형성하도록 하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 자기분화법을 이용한 박막트랜지스터 제조 방법
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기판상에 반도체층을 형성하는 단계;상기 반도체층 상부에 분화유도체층을 적층하는 단계;상기 분화유도체층의 일부를 선택적으로 제거하여 전극영역을 형성하도록 하는 단계;상기 분화유도체층 및 상기 전극영역에 유기실버잉크를 도포하는 단계;상기 기판을 열처리하여 상기 전극영역에 도포된 상기 유기실버잉크가 전도성 실버 클러스터를 형성하고, 상기 분화유도체층에 도포된 상기 유기실버잉크가 비전도성 실버 클러스터를 형성하도록 하는 단계;상기 전도성 및 비전도성 영역이 자기분화된 상기 기판 상부에 유전체층을 형성하는 단계; 및상기 유전체층 상부에 게이트 전극을 형성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 자기분화법을 이용한 박막트랜지스터 제조 방법
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기판상에 분화유도체층을 적층하는 단계;상기 분화유도체층의 일부를 선택적으로 제거하여 전극영역을 형성하도록 하는 단계;상기 분화유도체층 및 상기 전극영역에 유기실버잉크를 도포하는 단계;상기 기판을 열처리하여 상기 전극영역에 도포된 상기 유기실버잉크가 전도성 실버 클러스터를 형성하고, 상기 분화유도체층에 도포된 상기 유기실버잉크가 비전도성 실버 클러스터를 형성하도록 하는 단계;상기 전도성 및 비전도성 영역이 자기분화된 상기 기판 상부에 반도체층을 형성하는 단계;상기 반도체층 상부에 유전체층을 형성하는 단계; 및상기 유전체층 상부에 게이트 전극을 형성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 자기분화법을 이용한 박막트랜지스터 제조 방법
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제2항 또는 제5항에 있어서,상기 전극영역 형성 단계는 레이저를 이용하여 상기 전극영역의 형상대로 상기 분화유도체층의 일부만을 선택적으로 제거하는 것을 특징으로 하는 자기분화법을 이용한 박막트랜지스터 제조 방법
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제2항 또는 제5항에 있어서,상기 전극영역 형성 단계는 상기 분화유도체층에 상기 전극영역의 형상대로 패터닝된 스탬프를 접촉시킨 후 떼어냄으로써 상기 분화유도체층의 일부만을 선택적으로 제거하는 것을 특징으로 하는 자기분화법을 이용한 박막트랜지스터 제조 방법
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제2항 또는 제5항에 있어서,상기 전극영역 형성 단계는 상기 분화유도체층의 일부를 제거하여 상호 이격된 소스 전극영역 및 드레인 전극영역을 형성하는 것을 특징으로 하는 자기분화법을 이용한 박막트랜지스터 제조 방법
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제2항 또는 제5항에 있어서,상기 전극영역 형성 단계는 상기 분화유도체층의 일부를 제거하여 소스 전극영역 및 드레인 전극영역을 이격 없이 형성하고,상기 유기실버잉크 도포 단계를 수행한 후 레이저를 이용하여 상기 전극영역에 도포된 상기 유기실버잉크의 일부를 제거함으로써 게이트 채널영역을 형성하는 단계를 수행하는 것을 특징으로 하는 자기분화법을 이용한 박막트랜지스터 제조 방법
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제2항 또는 제5항에 있어서,상기 반도체층은 유기 반도체 혹은 금속산화물 반도체이거나, 반도체성 카본 나노튜브나 실리콘 나노 와이어, 혹은 금속산화물 입자가 분산된 액상의 잉크, 혹은 금속산화물 전구체 용액을 통해 적층되는 것을 특징으로 하는 자기분화법을 이용한 박막트랜지스터 제조 방법
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