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지르코늄 디보라이드(ZrB2) 분말 또는 지르코늄 디보라이드(ZrB2)를 기지로 하는 복합 분말의 내부에 기계적 결함(defection)을 유발시키는 전처리를 수행하는 결함 유발 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 지르코늄 디보라이드계 분말의 저온 소결 방법
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제 1 항에 있어서,지르코늄 디보라이드(ZrB2)를 기지로 하는 복합 분말은 지르코늄 디보라이드-실리콘 카바이드(ZrB2-SiC)인 것을 특징으로 하는 지르코늄 디보라이드계 분말의 저온 소결 방법
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제 1 항에 있어서, 상기 결함 유발 단계는, 상기 지르코늄 디보라이드(ZrB2) 분말 또는 상기 지르코늄 디보라이드(ZrB2)를 기지로 하는 복합 분말을 진공밀봉 하는 진공밀봉단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 지르코늄 디보라이드계 분말의 저온 소결 방법
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제 1 항 내지 제 3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 결함 유발 단계는, 상기 지르코늄 디보라이드(ZrB2) 분말 또는 상기 지르코늄 디보라이드(ZrB2)를 기지로 하는 복합 분말을 기계적 밀링(milling) 처리하는 공정인 것을 특징으로 하는 지르코늄 디보라이드계 분말의 저온 소결 방법
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제 4 항에 있어서, 상기 기계적 밀링(milling) 처리하는 공정은 스펙스밀(spex mill) 공정, 어트리션밀(attrition mill) 공정 또는 유성밀(planetary mill) 공정 중 어느 하나의 공정인 것을 특징으로 하는 지르코늄 디보라이드계 분말의 저온 소결 방법
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제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 결함 유발 단계 이후에, 상기 지르코늄 디보라이드(ZrB2) 분말 또는 상기 지르코늄 디보라이드(ZrB2)를 기지로 하는 복합 분말을 방전 플라즈마 소결법(spark plasma sintering)으로 소결하는 소결 단계;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 지르코늄 디보라이드계 분말의 저온 소결 방법
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제 6 항에 있어서, 상기 소결 단계는 40MPa 내지 120MPa의 압력 및 1400℃ 내지 1700℃ 이하의 온도 하에서 수행되는 것을 특징으로 하는 지르코늄 디보라이드계 분말의 저온 소결 방법
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