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박막형 열전 에너지변환 모듈 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015128792
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 물리 기상 증착을 이용하여 기판(wafer)위에 n형 반도체 패턴과 p형 반도체 패턴을 형성하여 박막형 열전 에너지변환 모듈을 제조하는 공정에 관한 것이다. 보다 구체적으로는 열전 박막소재로 이용되는 금속화합물을 co-evaporating이나 co-sputtering 공정을 이용하여 증착함으로써 정확한 조성비를 갖는 n형 반도체 패턴과 p형 반도체 패턴으로 형성하여 열전성능이 높은 박막형 열전 에너지변환 모듈을 제조하는 공정에 관한 것이다.
Int. CL H01L 35/02 (2006.01) H01L 35/34 (2006.01)
CPC H01L 35/34(2013.01) H01L 35/34(2013.01) H01L 35/34(2013.01) H01L 35/34(2013.01)
출원번호/일자 1020100075960 (2010.08.06)
출원인 한국기계연구원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2011-0043423 (2011.04.27) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자 10-2009-0099163 (2009.10.19)
관련 출원번호 1020090099163
심사청구여부/일자 Y (2010.08.06)
심사청구항수 7

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국기계연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 한승우 대한민국 대전광역시 유성구
2 박현성 대한민국 대전광역시 유성구
3 현승민 대한민국 대전광역시 유성구
4 김정엽 대한민국 대전광역시 유성구
5 장봉균 대한민국 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인다나 대한민국 서울특별시 강남구 역삼로 *길 **, 신관 *층~*층, **층(역삼동, 광성빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [분할출원]특허출원서
[Divisional Application] Patent Application		 2010.08.06 수리 (Accepted) 1-1-2010-0508380-32
2 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2011.02.08 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0070231-23
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.04.08 수리 (Accepted) 4-1-2011-5069919-31
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.04.08 수리 (Accepted) 4-1-2011-5069914-14
5 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2011.04.08 수리 (Accepted) 1-1-2011-0257281-34
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2011.05.09 수리 (Accepted) 1-1-2011-0342646-78
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2011.05.09 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0342647-13
8 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2011.09.16 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0524369-96
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2017.11.28 수리 (Accepted) 4-1-2017-5193093-72
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
π형으로 접속되는 p형 반도체 패턴과 n형 반도체 패턴이 직렬로 연결된 열전 에너지변환 모듈을 제조하는 방법에 있어서,기판 상에 절연층과 전극층을 형성하는 단계;상기 전극층 상에 제 1 포토레지스트를 형성하는 단계;상기 제 1 포토레지스트 패터닝하는 단계;상기 패터닝된 제 1 포토레지스트를 이용하여 상기 절연층의 일부를 노출시키는 단계;상기 절연층 일부가 노출된 결과물 상에 리프트 오프 전용 포토레지스트와 제 2 포토레지스트 패턴을 순차로 형성하는 단계;상기 제 2 포토레지스트 패턴을 이용한 사진 식각 공정을 통해 상기 전극층의 일측 상부면을 노출시키는 단계;상기 노출된 전극층 상에 제 1 반도체 패턴을 형성하는 단계;상기 제 2 포토레지스트 패턴 및 리프트 오프 전용 포토레지스트를 제거하는 단계;상기 제 1 반도체 패턴 상에 본딩층을 형성하여 제 1 패턴을 형성하는 단계; 상기 공정과 동일한 공정을 진행하여 제 1 반도체와 반대 타입의 제 2 패턴을 형성하는 단계; 및상기 제 1 패턴의 전극층의 상부면에 제 2 패턴의 본딩층이 접속되도록 본딩하는 단계를 포함함을 특징으로 하는 박막형 열전 에너지변환 모듈 제조 방법
2 2
제 1항에 있어서, 상기 제 1 반도체 패턴과 제 2 반도체 패턴은 코스퍼터링(co-sputtering) 공정 또는 코이베퍼레이팅(co-evaporating) 공정으로 형성함을 특징으로 하는 박막형 열전 에너지변환 모듈 제조 방법
3 3
제 2항에 있어서, 상기 제 1 반도체 패턴을 코스퍼터링(co-sputtering) 공정 또는 코이베퍼레이팅(co-evaporating) 공정으로 형성할 때, 순수 Bi와 Te를 타깃으로 사용하되 Bi와 Te 타깃 각각에 걸리는 파워를 조절함으로써 Bi와 Te 각각의 입자들이 최종적으로 기판에 증착될 때 Bi-Te 박막인 Bi2Te3막으로 정확한 조성을 가지도록 조정함을 특징으로 하는 박막형 열전 에너지변환 모듈 제조 방법
4 4
제 2항에 있어서, 상기 제 2 반도체 패턴을 코스퍼터링(co-sputtering) 공정 또는 코이베퍼레이팅(co-evaporating) 공정으로 형성할 때, Bi-Sb합금과 순수 Te를 타깃으로 사용하되 Bi-Sb합금과 Te 타깃 각각에 걸리는 파워를 조절함으로써 Bi-Sb합금과 Te 각각의 입자들이 최종적으로 기판에 증착될 때 Bi-Sb-Te 박막인 Bi0
5 5
제 1항에 있어서,상기 본딩층은 금(Au)으로 형성하는 것을 특징으로 하는 박막형 열전 에너지변환 모듈 제조 방법
6 6
제 1항에 있어서,상기 본딩층은 주석(Sn)으로 형성하는 것을 특징으로 하는 박막형 열전 에너지변환 모듈 제조 방법
7 7
제 5항 또는 제 6항에 있어서, 상기 제 1 반도체 패턴 및 제 2 반도체 패턴과 상기 본딩층 사이에 니켈(Ni)층을 더 형성함을 특징으로 하는 박막형 열전 에너지변환 모듈 제조 방법
지정국 정보가 없습니다
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1 KR101068490 KR 대한민국 FAMILY
2 KR1020110043424 KR 대한민국 FAMILY

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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 지식경제부 한국기계연구원 나노기반 열전소재 및 모듈화 기술개발 열전 나노구조체 박막소재 및 모듈화 기술개발