1 |
1
하나 이상의 압전재료로 구성된 압전재료층과 하나 이상의 자왜재료로 구성된 자왜재료층이 적층되고,상기 압전재료층은 페로브스카이트(Perovskite) 결정구조의 단결정으로 이루어지며, 상기 단결정의 003c#011003e#방향이 상기 압전재료층의 두께방향으로 배향되며 적층된 것을 특징으로 하는 자기전기 복합체
|
2 |
2
삭제
|
3 |
3
제1항에 있어서,상기 단결정은 xPb(A1 , A2 , …, B1 , B2 ,…)03 + (1-x)PbTiO3 (단, x는 몰 분율이고, 0 〈 x 〈1 이라 함)로 이루어지는 고용체로서, A 1 , A 2 , …는, Zn, Mg, Ni, Lu, In 및 Sc으로 이루어지는 군에서 선택된 1 또는 복수의 원소로 되고, B1 , B2 ,…는, Nb, Ta, Mo 및 W로 이루어지는는 군에서 선택된 1 또는 복수의 원소로 된 것을 특징으로 하는 자기전기 복합체
|
4 |
4
제3항에 있어서,상기 단결정은 Pb(Mg1/3Nb2/3)O3-PbTiO3 (PMN-PT), Pb(Zn1/3Nb2/3)O3-PbTiO3 (PZN-PT), BaTiO3 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 자기전기 복합체
|
5 |
5
제1항에 있어서,상기 자왜재료는 페라이트계의 세라믹스, Ni, Terfenol, Gafenol, Fe 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 자기전기 복합체
|
6 |
6
제1항에 있어서,상기 자왜재료층과 상기 압전재료층이 교대로 적층된 것을 특징으로 하는 자기전기 복합체
|
7 |
7
제1항에 있어서,상기 자기전기 복합체의 두께 및 가로 세로 길이의 비율을 가변하여 상기 자기전기 복합체의 공진-반공진 주파수 대역이 가변가능한 것을 특징으로 하는 자기전기 복합체
|
8 |
8
제1항에 있어서,상기 압전재료층과 상기 자왜재료층의 두께비는 0
|
9 |
9
자왜재료로 구성된 제1자왜재료층;압전재료로 구성된 압전재료층; 및자왜재료로 구성된 제2자왜재료층을 포함하고,상기 압전재료층은 페로브스카이트(Perovskite) 결정구조의 단결정으로 이루어지고, 상기 단결정의 003c#011003e#방향이 상기 압전재료층의 두께방향으로 배향되며 적층된 것을 특징으로 하는 자기전기 복합체
|
10 |
10
삭제
|
11 |
11
제9항에 있어서,상기 단결정은 xPb(A 1 , A 2 , …, B 1 , B 2 ,…)03 + (1-x)PbTiO3 (단, x는 몰 분율이고, 0 〈 x 〈1 이라 함)로 이루어지는 고용체로서, A1 , A2 , …는, Zn, Mg, Ni, Lu, In 및 Sc으로 이루어지는 군에서 선택된 1 또는 복수의 원소로 되고, B1 , B2 ,…는, Nb, Ta, Mo 및 W로 이루어지는는 군에서 선택된 1 또는 복수의 원소로 된 것을 특징으로 하는 자기전기 복합체
|
12 |
12
제11항에 있어서,상기 단결정은 Pb(Mg1/3Nb2/3)O3-PbTiO3 (PMN-PT), Pb(Zn1/3Nb2/3)O3-PbTiO3 (PZN-PT), BaTiO3 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 자기전기 복합체
|
13 |
13
제9항에 있어서,상기 자왜재료는 페라이트계의 세라믹스, Ni, Terfenol, Gafenol, Fe 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 자기전기 복합체
|
14 |
14
제9항에 있어서,상기 압전재료층과 상기 제1 또는 제2자왜재료층의 두께비는 0
|
15 |
15
제9항에 있어서,상기 자기전기 복합체의 두께 및 가로 세로 길이의 비율을 가변하여 상기 자기전기 복합체의 공진-반공진 주파수 대역이 가변가능한 것을 특징으로 하는 자기전기 복합체
|
16 |
16
자기전기 효과(Magnetoelectric effect)를 가지는 하나 이상의 압전재료로 구성된 압전재료층과 하나 이상의 자왜재료로 구성된 자왜재료층이 적층되고,상기 압전재료층은 페로브스카이트(Perovskite) 결정구조의 단결정으로 이루어지며, 상기 단결정의 003c#011003e#방향이 상기 압전재료층의 두께방향으로 배향되며 적층된 자기전기 복합체를 포함하는 것을 특징으로 하는 전자장치
|
17 |
17
제16항에 있어서,상기 전자장치는 스핀트로닉 장치, 초고속 정보 저장 장치, 마그네틱-일렉트릭 센서, 마그네틱 센서, 일렉트릭 센서, 광전자 장치, 마이크로웨이브 전자 장치, 마그네틱-일렉트릭 트랜스듀서, 일렉트릭-마그네틱 트랜스듀서, 자기 구동 에너지 하베스터, 자기-기계 복합 에너지 하베스터 중 어느 하나에 해당되는 것을 특징으로 하는 전자장치
|
18 |
18
제17항에 있어서, 상기 전자장치는 자기전기 효과를 활용하는 것을 특징으로 하는 전자장치
|
19 |
19
제18항에 있어서,상기 자기전기 복합체의 두께 및 가로 세로 길이의 비율을 가변하여 상기 자기전기 복합체의 공진-반공진 주파수 대역이 가변가능한 것을 특징으로 하는 전자장치
|
20 |
20
삭제
|
21 |
21
삭제
|